Y_(2)O_(3)含量对TC4表面WC增强钛基激光熔覆层组织与摩擦学性能的影响

目的增加航空TC_(4)合金的安全服役寿命。方法采用同轴送粉激光熔覆技术在其表面制备了TC_(4)+Ni-MoS_(2)+WC+xY_(2)O_(3)(x=0%、1%、2%、3%、4%,质量分数)耐磨复合涂层,利用着色渗透探伤、XRD、SEM、EDS、EBSD和TEM等多种检测手段和设备,分析了Y_(2)O_(3)添加对涂层组织与摩擦学性能的影响规律。结果3%Y_(2)O_(3)涂层的成形质量最优,所有涂层生成相相同,主要由TiC、Ti_(2)Ni、Ti_(2)S、基体β-Ti以及未熔WC组成。Y_(2)O_(3)与TiC、Ti_(2)S、Ti_(2)Ni之间形成了共格依附生长关系,所有涂层中均有效合成了TiC-Ti_(2)S、TiC-Ti_(2)Ni和Ti_(2)S-Ti_(2)Ni共格复合结构相。随着Y_(2)O_(3)含量增大,基体显露面积增加,其余物相逐步细化、团聚并沿晶界连续生长。所有涂层的显微硬度均高于TC_(4)基材,大小与Y_(2)O_(3)含量呈负相关变化。所有涂层的摩擦因数均高于基材,磨损率均低于基材,摩擦因数和磨损率随着Y_(2)O_(3)含量增加,出现了先降低后升高的变化规律,其中3%Y_(2)O_(3)涂层的摩擦因数最低(μ=0.4813),耐磨性(3.55×10^(4)mm^(3)/(N·m))和磨损面质量(Ra=21.24μm)最优。结论适量Y_(2)O_(3)有助于改善涂层的成形质量,Y_(2)O_(3)添加并未影响涂层物相种类,且可作为异质形核基底细化相互依附生长的TiC-Ti_(2)S-Ti_(2)Ni共格结构相,除基体相外,Y_(2)O_(3)易吸引其余物相在涂层晶界处钉扎;Y_(2)O_(3)含量增加不能增大涂层显微硬度,所有涂层均不具备减摩性能,但耐磨性均优于TC_(4)基材,适量Y_(2)O_(3)添加可使涂层综合摩擦学性能达到最优。

纳米TiO_(2)对NH_(3)-H_(2)O-LiBr工质降膜吸收性能的影响

为了探讨纳米TiO_(2)对三元NH_(3)-H_(2)O-LiBr工质降膜吸收的影响,本文利用数值分析建立了三元工作流体薄膜吸收的连续方程、能量方程和组分质量平衡方程,采用Matlab软件进行编程和计算纳米流体的降膜吸收性能,将其与实验数据进行对比验证,并进一步分析了纳米TiO_(2)质量分数、初始氨浓度、初始温度、冷却水进口温度、吸收压力和下降薄膜管长度对薄膜吸收性能的影响。研究表明:添加纳米TiO_(2)可以增强降膜吸收的传质速率,主要原因为液膜中氨的扩散系数增加。当纳米TiO_(2)质量分数从0%增加到0.1%、0.3%和0.5%时,扩散系数分别增加了3.44倍、6.42倍和11.76倍。此外,增加初始氨浓度、降低初始温度、提高冷却水进口温度或降低吸收压力都可以提高最终溶液的饱和度。

Investigation of Sprayed Lu2O3 Thin Films Using XPS

Spray pyrolysis method was used to deposit Lutetium Oxide (Lu2O3) thin films using lutetium (III) chloride as source material and water as oxidizer. Annealing was carried out in argon atmosphere at 450°C for 60 minutes of the films. To investigate the composition and stoichiometry of sprayed as-deposited and annealed Lu2O3 thin films, depth profile studies using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was done. Nearly stoichiometric was observed for both annealed and as-deposited films in inner and surface layers.

XPS Depth Profile Study of Sprayed Ga2O3 Thin Films

Ga2O3 thin films were fabricated by spray pyrolysis method using gallium acetylacetonate as source material and water as oxidizer. The films were annealed at 450°C for 60 minutes in argon atmosphere. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth profile studies were carried out to analyze the stoichiometry and composition of sprayed as-deposited and annealed Ga2O3 thin films. Surface layers and the inner layers of as-deposited and annealed films were found nearly stoichiometric.

立方相Y_2O_3:Eu纳米晶中C_2格位Eu^(3+)的~5D_0能级量子效率

采用化学自发燃烧法制备了立方相不同粒径的纳米晶Y2O3:Eu(1 mol%),并通过退火处理得到了体相材料,测量了它们的发射谱和处在C2格位上Eu3+的5D0能级室温和10 K下的荧光衰减曲线。利用发射光谱数据计算了Eu3+在不同粒径纳米晶体Y2O3中的光学跃迁强度参数Ωλ(λ=2,4),通过对室温和低温下5D0能级荧光衰减的测量,用两种不同方法估计了处在C2格位上Eu3+的5D0能级的量子效率,对所获得的结果进行了讨论,并对两种获得量子效率不同方法进行了评价。

纳米Y_2O_3∶Eu^(3+)发光材料的研究综述

综述了纳米Y2 O3 ∶Eu3 +发光材料的研究进展情况 ,介绍了Y2 O3 ∶Eu3 +发光材料的各种制备方法 ,其中重点介绍了沉淀法和溶胶 -凝胶法。对纳米发光材料结构与性能的关系进行了详细评述 。

草酸沉淀法制备细颗粒红色荧光粉Y_2O_3∶Eu^(3+)的发光特性

对草酸作为沉淀剂制备的细颗粒红色荧光粉Y2 O3 ∶Eu3 + 进行结构和发光特性研究 ,结果表明 :其一次粒径为 2 0～ 30nm ,团聚尺寸D50 =0 .5 3μm。该荧光粉最大激发峰位于 2 5 2 .2nm ,较微米级荧光粉 2 33nm红移了 19.2nm ;最大的发射峰位于 6 12nm ,与微米级的相比几乎没有差别。Eu3 + 离子的掺入构成了发光中心 ,其最佳掺杂的质量分数为 9% ,荧光粉发光的猝灭浓度由微米级的 6 %提高到 9%。由于纳米晶存在表面缺陷和悬挂键 ,其亮度约为微米晶的 70 %左右 ,随着团聚尺寸的增加、煅烧温度的提高和助熔剂的加入 ,荧光粉的发光强度增大。包膜能部分消除表面缺陷和悬挂键 ,提高发光亮度。荧光粉的色坐标为x =0 .6 4 79,y =0 .344 2。

SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉光致发光材料的固相反应法合成与特性

采用高温固相反应法,在还原气氛下制备了掺稀土离子Eu2+和Dy3+的铝酸锶长余辉光致发光材料。XRD研究表明,所制备的铝酸盐具备SrAl2O4的晶体结构。SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的发光光谱是中心位于520nm的带状谱,激发峰波长范围位于300nm～500nm,发光余辉可持续12h以上。研究了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的耐温性和耐水性,结果表明,随热处理温度升高,发光亮度下降;水浸使发光材料与水反应生成水化物,使发光性能下降。

SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)光致发光釉的研究

利用SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉光致发光粉体 ,在陶瓷坯体上制备了釉面平整光滑的长余辉光致发光釉 ;通过比较 SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)粉体和光致发光釉的激发光谱和发光光谱以及结构分析表明 ,该发光釉保持了 Sr Al2 O4:Eu2 +,Dy3 +发光材料的发光特性 ,其发射峰是中心位于 5 2 0 nm的宽带光谱 ;研究了釉料不同组成对发光釉性能的影响及 Sr Al2 O4:Eu2 +,Dy3 +粉体的不同含量对光致发光釉发光亮度和余辉时间的影响 ,获得了釉面发光亮度高。

水热法制备具有光滑表面的球形Y_2O_3∶Eu^(3+)发光材料(英文)

The spherical Y2O3∶Eu3+ luminescent particles with size of 0.5~3 μm and smooth surface were synthesized by hydrothermal method. The resulted Y2O3∶Eu3+ precursors and the calcined particles were characterized by differential thermal analysis (DTA) and thermogravimetric (TG) analysis, X-ray diffraction (XRD), Fourier-transform IR spectroscopy (FTIR), scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence spectra (PL). FTIR, TG-DTA, XRD measurements show that the precursors are crystal with hydroxyl and carbonate group, and the pure cubic yttria is obtained after annealing above 700 ℃. The SEM images indicate that the Y2O3∶Eu3+ particles are in spherical shape and with smooth surface. PL analysis shows that the particles present characteristic red emission of Eu3+.

燃烧法合成长余辉发光材料SrAl_2O_4:Eu^(2+),Dy^(3+)

应用燃烧法在较低的温度下成功合成了SrA l2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,TEM观察表明晶体为长100 nm以上,直径小于30 nm的针形结构.进一步研究了炉温、硼酸和稀土加入量等对发光材料性能的影响,应用X射线粉末衍射对不同条件下生成的发光材料的组成和晶体结构进行了表征,用F-2500荧光分光光度计研究了发光材料的激发光谱、发射光谱及余辉亮度等特性.结果表明,硼酸和Dy3+的加入可以提高发光材料的发光强度和余辉时间.

共掺杂对Y_2O_3:Eu^(3+)纳米晶结构和发光性质的影响

采用燃烧法制备不同离子(M:Li+,Na+,K+,Mg2+,Sr2+,Ba2+,B3+,Al3+)共掺杂的纳米Y2O3∶Eu3+粉末。系统地研究了各掺杂离子对纳米Y2O3∶Eu3+材料的结构、发光性质及其寿命的影响。比较发现,掺杂不仅可以调节纳米材料的尺寸,还可以影响材料的结晶性,尤其是后者对发光性质和荧光动力学过程,如荧光强度、电荷迁移带的位置和5D0的寿命等有重要的影响。

均分散球形Y_2O_3:Eu^(3+)纳米晶的制备研究

采用凝胶网格共沉淀法,以明胶为反应基质制备单分散球形纳米Y2_O3_:Eu(3+)~荧光粉,考察了制备条件对产物粒径的影响。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和荧光光谱等手段对样品进行了表征。结果表明:该法制得产物为球形,一次晶粒粒径在13nm^25nm之间,且粒度分布均匀,与微米晶相比,该纳米晶的激发光谱发生明显红移。

Y_3Al_5O_(12)∶Eu^(3+)磷光体的溶胶凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料,采用溶胶 凝胶法在1000℃下合成了Eu3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明,YAG∶Eu3+的晶相形成温度为991℃。Eu3+在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu3+含量和烧结温度对Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu3+浓度的增加,Eu3+发射峰强度增强。

Y2O3：Eu^3＋纳米管阵列的荧光和拉曼光谱研究

用电场辅助电沉积的方法,在多空有序氧化铝模板(AMM)中成功合成了Eu3+掺杂的Y2O3纳米管阵列。扫描电镜和透射电镜观察表明这些稀土化合物纳米管是均匀、连续的、且相互平行。纳米管的外径大约60nm、壁厚3nm。实验中得到的全是纳米管,没有发现纳米丝。XRD、Raman光谱、XPS和荧光光谱表明Eu3+离子确实进入了晶格。大部分Eu3+离子占据缺少反对称中心的C2位置,只有少量的Eu3+离子占据具有对称中心的S6位置。在394nm波长的紫外光激发下,Y2O3纳米管阵列的发射光谱仅在612nm处有一个峰,这对应于Eu3+中电子的5D0→7F2跃迁。当Eu3+与Y3+的摩尔比为7.5%时,纳米管阵列的发光最强。

红色Y_2O_2S:Eu^(3+)磷光材料的沉淀法制备和发光性能研究

用沉淀法制备了Eu3+掺杂的Y2O2S磷光材料,测量并研究了掺杂不同物质的量的Eu3+离子的Y2O2S磷光材料的发射谱和激发谱.发射光谱对应了Eu3+离子5DJ(J=0,1,2,3)-7FJ(J=0,1,2,3,4)的特征发射,激发光谱主峰对应260,345,468,540nm等,余辉时间(到人眼的最小亮度分辨率0.32mcd/m2)可达1h以上.

共沉淀法制备Y_2O_2S∶Eu^(3+),Mg^(2+),Ti^(4+)红色长余辉材料

用共沉淀法制备了Y2O2S∶Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y2O2S∶Eu3+,Mg2+,Ti4+长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y2O2S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu3+浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu3+的5D1→7F3较高能级跃迁的587.6 nm谱线强度随Eu3+浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu3+均匀进入Y2O2S基质晶格而形成有效的发光中心。

SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)纳米长余辉发光材料的制备与表征

采用溶胶鄄凝胶法制备了SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+纳米长余辉发光材料,研究了pH值、反应温度和络合剂等对溶胶鄄凝胶形成的影响,研究了灼烧温度对SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+晶相、颗粒尺度和发光性能的影响。利用XRD,SEM,光谱分析等手段对产物进行了结构和性能分析。实验结果表明,在800℃时SrAl2O4晶相开始形成但没有发光,而在1100℃烧结的样品则具有很好的发光性能。样品平均晶粒尺寸随灼烧温度升高而增加,平均晶粒尺寸为20~40nm。样品的激发光谱是峰值在240,330,378和425nm的连续宽带谱,发光光谱是峰值在523nm的宽带谱,与SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+粗晶材料相比,发光光谱发生了“红移”现象。样品的热释光峰值位于157℃,与SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+粗晶材料相比,峰值向低温移动了13℃。

烧制工艺对Y_2O_3:Eu^(3+)荧光粉颗粒形貌的影响

研究了Y2O3∶Eu3+荧光粉在高温合成过程中颗粒形貌的变化,结果表明烧制工艺对荧光粉颗粒形貌影响很大;对现有工艺进行了改进,通过预烧及掺入分散剂等方法改善了荧光粉颗粒的形貌,并获得免球磨Y2O3∶Eu3+荧光粉。

纳米晶Y_2O_3:Eu^(3+)红色荧光体的发光性质研究

研究了纳米晶Y2 O3:Eu3+ 红色荧光体的发光性质。结果表明 :该荧光体最大激发峰位于 2 5 2 6nm ,最大发射峰位于 6 13 4nm ,随着团聚尺寸的增加、煅烧温度的提高和助熔剂的加入 ,Y2 O3:Eu3+ 红色荧光体的发光强度增大 ;包膜工艺消除了纳米晶Y2 O3:Eu3+ 红色荧光体的表面缺陷和悬挂键 ,改善了其发光特性。