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剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用
被引量:
5
1
作者
史锡婷
陈四海
+3 位作者
何少伟
黄磊
李毅
易新建
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期15-18,共4页
介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305IID型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层,即双层AZ5214和ZKPI+AZ5214。此两种剥离工艺简单易操作,可剥离出1μm金属镍柱,并可在MEMS工艺制作中获得了良好的效果。
关键词
微电子机械系统
剥离技术
双层光刻胶
聚酰亚胺
下载PDF
职称材料
题名
剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用
被引量:
5
1
作者
史锡婷
陈四海
何少伟
黄磊
李毅
易新建
机构
华中科技大学光电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期15-18,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60477040)
文摘
介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305IID型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层,即双层AZ5214和ZKPI+AZ5214。此两种剥离工艺简单易操作,可剥离出1μm金属镍柱,并可在MEMS工艺制作中获得了良好的效果。
关键词
微电子机械系统
剥离技术
双层光刻胶
聚酰亚胺
Keywords
MEMS
lift-off technology
bi-layer photoresist
zkpⅰ
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用
史锡婷
陈四海
何少伟
黄磊
李毅
易新建
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
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