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石英衬底上生长的立方相Zn1-xMnxO薄膜及其光学、磁学特性
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作者 邱东江 罗孟波 +1 位作者 丁扣宝 施红军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1010-1013,共4页
采用电子束反应蒸发法,(MnO)y(ZnO)1-y(y≥0.3)陶瓷靶作为蒸发源,高心含量的Ar/O2混合气为反应气体,在石英玻璃衬底上生长得到Mn含量超过50%(原子分数)的Zn1-xMnxO薄膜。场发射扫描电子显微镜和X射线衍射测量显示x〉O.5的... 采用电子束反应蒸发法,(MnO)y(ZnO)1-y(y≥0.3)陶瓷靶作为蒸发源,高心含量的Ar/O2混合气为反应气体,在石英玻璃衬底上生长得到Mn含量超过50%(原子分数)的Zn1-xMnxO薄膜。场发射扫描电子显微镜和X射线衍射测量显示x〉O.5的Zn1-xMnxO薄膜呈单一晶相的立方相、岩盐矿结构。这与采用abinifio方法计算得到的结果一致(作为简化,计算时未考虑Mn的自旋的影响),即对于x≥0.5的Zn1-xMnxO材料体系,其取类MnO的立方岩盐矿结构比取类ZnO的六方相纤锌矿结构更稳定。对石英玻璃基Zn1-xMnxO薄膜的紫外.可见透射光谱测量表明,随着Mn含量从0增大到0.68,Zn1-xMnxO薄膜的光学带隙从3.35eV增大到5.02eV.磁性测量结果表明,所制备立方Zn0.32Mn0.68O薄膜在室温下没有表现出宏观磁性. 展开更多
关键词 电子束反应蒸发 立方zn1-xmnxo薄膜 光学和磁学特性
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Zn_(1-x)Mg_xO和Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的制备及其发光性能 被引量:2
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作者 吕婷 张志勇 +2 位作者 闫军锋 赵丽丽 赵武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期624-629,共6页
采用溶胶-凝胶技术,在Si(110)衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明:Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜均具有较高的Tc(002)结构系数和较为... 采用溶胶-凝胶技术,在Si(110)衬底上制备了Mg、Mn掺杂外延生长的Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜,通过XRD、AFM、PL等考察不同杂质浓度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明:Zn1-xMgxO和Zn1-xMnxO薄膜均具有较高的Tc(002)结构系数和较为光滑、平整的表面形貌。掺杂使得薄膜的紫外发光峰向短波方向移动至365nm左右,同时Zn1-xMnxO薄膜的室温可见光发射得以有效地钝化,使其近带边紫外光发射与深能级可见光发射比例高达56,极大地提高了薄膜紫外发光性能。并对掺杂薄膜紫外发光蓝移和Zn1-xMnxO薄膜室温可见光发射的猝灭机理进行了深入探讨,得出掺杂组分为Zn0.85Mg0.15O、Zn0.97Mn0.03O时,薄膜具有最强的紫外光发射性能。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶技术 zn1-xMgxO薄膜 zn1-xmnxo薄膜 光致发光
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ZnO薄膜的制备及其性能 被引量:5
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作者 赵跃智 周思凯 张俊 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1277-1279,共3页
用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边... 用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随Mn离子的掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。 展开更多
关键词 PLD znO薄膜 zn1-xmnxo薄膜 光吸收谱
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脉冲激光沉积ZnO薄膜的制备及其性能研究
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作者 赵跃智 曹钦存 陈长乐 《真空》 CAS 北大核心 2008年第5期65-67,共3页
本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显... 本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随着Mn离子掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁。 展开更多
关键词 PLD znO薄膜 zn1-xmnxo薄膜 光吸收谱
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脉冲激光沉积ZnO及其掺杂薄膜的研究
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作者 赵跃智 张俊 《中国材料科技与设备》 2007年第4期44-45,49,共3页
本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在... 本文用脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明:薄膜具有(103)面的择优取向,表面比较平坦;SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边,且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出:Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随Mn离子的掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增加;薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。 展开更多
关键词 PLD znO薄膜 zn1-xmnxo薄膜 光吸收谱
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Zn_(1-x)Mn_xO纳米薄膜磁有序性的Monte Carlo模拟 被引量:1
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作者 高茜 娄晓燕 +1 位作者 祁阳 单文光 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期458-464,共7页
基于Zn1-xMnxO纳米薄膜磁性研究的实验结果及相关理论,建立了一个包含多种交换作用的Ising多层膜模型,采用MonteCarlo模拟的Metropolis算法对于其铁磁序的成因进行了模拟研究.结果表明,Mn掺杂浓度(x)越低越有利于铁磁序的形成,但是x越低... 基于Zn1-xMnxO纳米薄膜磁性研究的实验结果及相关理论,建立了一个包含多种交换作用的Ising多层膜模型,采用MonteCarlo模拟的Metropolis算法对于其铁磁序的成因进行了模拟研究.结果表明,Mn掺杂浓度(x)越低越有利于铁磁序的形成,但是x越低,系统的磁化强度越小,居里温度越低.载流子对铁磁序的形成所起的调节作用随着x的增大而增强,又随着磁各向异性常数(K)的增大而弱化.本研究预测了K的增大有利于铁磁序的形成,并能提高居里温度. 展开更多
关键词 稀磁半导体(DMS) zn1-xmnxo纳米薄膜 Ising多层膜 MONTECARLO模拟
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ABNORMAL MAGNETIC BEHAVIOR IN DMS ZN_(1-X)MN_XO NANOWIRES 被引量:2
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作者 ZHANG Xiaomei ZHANG Yue GU Yousong QI Junjie HUANG Yunhua LIU Juan 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2006年第4期490-492,共3页
Zn1xMnxO nanowires were synthesized through chemical vapor deposition of pure Zn and MnCl2 power mixtures on silicon substrates. The morphology, structure and composition were meas-ured by SEM, TEM, EDX and XRD. Magne... Zn1xMnxO nanowires were synthesized through chemical vapor deposition of pure Zn and MnCl2 power mixtures on silicon substrates. The morphology, structure and composition were meas-ured by SEM, TEM, EDX and XRD. Magnetic proper-ties were measured by SQUID. The results show that the nanowires exhibit clear ferromagnetic behavior at low temperature. An abnormal peak is observed in the M-T curve at 55 K in a magnetic field of 500 Oe. 展开更多
关键词 稀磁性半导体 异常磁性性能 锰掺杂 zn1-xmnxo纳米线
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