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不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响 被引量:5
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作者 苗鸿雁 李慧勤 +2 位作者 谈国强 安百江 鲁文豪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期293-296,共4页
本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响。采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.05,0.1,0.2),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD、FE-SEM测试表征晶体的物相组成和晶... 本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响。采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.05,0.1,0.2),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD、FE-SEM测试表征晶体的物相组成和晶体形貌,XRD表明所制备的Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体晶体发育比较完整。通过UV-vis测试进一步说明掺杂的效果。VSM测试表明,所制备的样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性。 展开更多
关键词 zn1-xnixo 稀磁半导体 水热法 铁磁性
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水热合成Zn_(0.9)Ni_(0.1)O稀磁半导体粉体
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作者 李慧勤 苗鸿雁 +2 位作者 谈国强 安百江 夏傲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期279-282,共4页
采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.9Ni0.1O稀磁半导体晶体,没有其它杂质相的产生。通过UV/Vis测... 采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.9Ni0.1O稀磁半导体晶体,没有其它杂质相的产生。通过UV/Vis测试进一步说明掺杂的效果,掺杂使ZnO的禁带宽度降低至3.18 eV。FE-SEM测试显示所制备的晶体呈现长柱状。VSM测试表明,所制备的样品Zn0.9Ni0.1O在室温下表现出铁磁性。文章采用水热法制备出了具有铁磁性能的稀磁半导体粉体。 展开更多
关键词 稀磁半导体 zn1-xnixo 水热法 铁磁性
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水热反应时间对Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体结构与磁性的影响
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作者 李钰梅 邢光建 +2 位作者 胡昕 王怡 武光明 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第2期401-403,共3页
利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO(Zn_(1-x)Ni_xO)稀磁半导体材料,通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试,探讨了反应时间对Zn_(1-x)Ni_xO材料结构及磁性的影响。结果表明,反应时间显著影响Zn_(1-x)Ni_xO的结构... 利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO(Zn_(1-x)Ni_xO)稀磁半导体材料,通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试,探讨了反应时间对Zn_(1-x)Ni_xO材料结构及磁性的影响。结果表明,反应时间显著影响Zn_(1-x)Ni_xO的结构与磁性,随着反应时间的延长,样品的结晶质量下降,形貌由六方棒状结构转变为片状结构,同时磁性减弱。 展开更多
关键词 zn1-xnixo稀磁半导体 水热法 反应时间 磁性 结构
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稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO,Zn_(1-2x)Mn_xNi_xO及Zn_(1-2x)Co_xNi_xO纳米晶体的制备与磁性研究
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作者 高茜 祁阳 姜星星 《纳米科技》 2011年第4期59-63,共5页
利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散谱(EDS)分别对样品的磁性、晶相结构、形貌和成... 利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散谱(EDS)分别对样品的磁性、晶相结构、形貌和成分进行了表征分析,讨论了获得本征铁磁性Zn1-xNixO样品的制备条件,比较了Mn、Co共掺杂对Zn1-xNixO磁性的影响,给出了Ni在ZnO中的固溶度以及实际掺杂浓度与名义掺杂浓度的关系。 展开更多
关键词 稀磁半导体(DMS) 溶胶-凝胶法 zn1-xnixo 室温铁磁性
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Characterization of new negative temperature coefficient thermistors based on Zn-Ni-O system
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作者 Xiang SUN Hong ZHANG +2 位作者 Ya LIU Jia GUO Zhicheng LI 《Journal of Advanced Ceramics》 CSCD 2016年第4期329-336,共8页
Y2O3-doped Zn1-xNixO (x=0,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,and 0.9) powders were prepared by a wet chemical synthesis method,and the related ceramics were obtained by the traditional ceramic sintering technology.The phases and rel... Y2O3-doped Zn1-xNixO (x=0,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,and 0.9) powders were prepared by a wet chemical synthesis method,and the related ceramics were obtained by the traditional ceramic sintering technology.The phases and related electrical properties of the ceramics were investigated.The analysis of X-ray diffraction (XRD) indicates that the prepared ceramics with Ni substitution have a cubic crystalline structure.The resistance-temperature feature indicates that all the ceramics show a typical effect of negative temperature coefficient (NTC) of resistivity with the thermal constants between 3998 and 5464 K,and have high cyclical stability in a temperature range from 25 to 300 ℃.The impedance analysis reveals that both grain effect and grain boundary effect contribute collectively to the NTC effect.The electron hopping and band conduction models are proposed for the grain (bulk) conduction,and the thermally activated charge carrier transport overcoming the energy barrier is suggested for the grain boundary conduction. 展开更多
关键词 zn1-xnixo THERMISTORS MICROSTRUCTURE electrical properties conduction mechanism
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