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引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备
被引量:
1
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作者
张鹤
郑新霞
+7 位作者
张晓丹
刘伯飞
林泉
樊正海
魏长春
孙建
耿新华
赵颖
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期495-498,共4页
为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池...
为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。
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关键词
PIN型Si基薄膜太阳电池
三结电池
透明导电氧化物(TCO)衬底
微晶硅(μc-Si:H)电池
zno
背反射层(
br
)
原文传递
题名
引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备
被引量:
1
1
作者
张鹤
郑新霞
张晓丹
刘伯飞
林泉
樊正海
魏长春
孙建
耿新华
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期495-498,共4页
基金
国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436
2009AA050602)
+6 种基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602
2006CB202603)
国家自然科学基金项目(60976051)
科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390
2009DFA62580)
教育部新世纪人才资助项目(NCET-08-0295)
天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500)
文摘
为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。
关键词
PIN型Si基薄膜太阳电池
三结电池
透明导电氧化物(TCO)衬底
微晶硅(μc-Si:H)电池
zno
背反射层(
br
)
Keywords
PIN Si-based thin film solar cells
triple-junction cells
transparent conductivity oxide(TCO) substrate
microcrystalline(μc-Si:H) cells
zno back reflection(br) layer
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备
张鹤
郑新霞
张晓丹
刘伯飞
林泉
樊正海
魏长春
孙建
耿新华
赵颖
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
原文传递
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