期刊文献+
共找到22篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
基于柔性衬底的Ti、F共掺ZnO透明导电薄膜的制备及其性能研究 被引量:1
1
作者 邓皓谦 赵文达 +2 位作者 杜小琴 晏忠 吴晓京 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期963-969,共7页
为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的Zn O(TFZO)透明导电薄膜。研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺杂量对TFZO薄膜电学性能和光学性能的影响。实验结果表明,... 为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的Zn O(TFZO)透明导电薄膜。研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺杂量对TFZO薄膜电学性能和光学性能的影响。实验结果表明,在衬底温度为150℃,氧分压为0.5 Pa,Ti、F掺杂量各为1%(原子比)时,制备的TFZO薄膜的电阻率达到1.69×10-3Ω·cm,可见光范围内平均透过率为81%。对薄膜进行弯曲可靠性测试和疲劳测试,向内、向外弯曲半径大于10mm时,薄膜电阻基本没有变化,在15 mm条件下弯曲1000次后薄膜亦无明显的电阻变化。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 tif共掺杂zno PET柔性衬底 脉冲激光沉积
下载PDF
掺杂浓度对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量:3
2
作者 吕珺 周丽萍 +2 位作者 汪冬梅 吴玉程 郑治祥 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期31-35,共5页
通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明:制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3+和F-的掺杂浓... 通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明:制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3+和F-的掺杂浓度皆为0.75at%时,薄膜的平均晶粒尺寸最大为43.8nm;导电性能最好,电阻率可低至1.02×10-2Ω.cm;在可见光范围内薄膜的平均透过率超过90%,吸收边出现明显的蓝移现象。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶 Al-f共掺杂 掺杂浓度 光电性能
下载PDF
Ti掺杂ZnO纳米薄膜的微结构/生长取向程度及其光致发光特性研究 被引量:2
3
作者 马书懿 刘静 +2 位作者 赵强 张小雷 李发明 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第3期34-39,共6页
采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后... 采用射频(RF)反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有(100)方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Ti).利用X射线衍射(XRD)和光致荧光发光(PL)表征技术,研究了不同Ti掺杂浓度对ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.结果显示,Ti掺杂前后ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,同时均表现出沿(100)方向的择优生长特性;掺入2%Ti元素后薄膜的织构系数Tc(100)明显增加,表明Ti的掺入对ZnO薄膜的结晶取向程度有一定影响.与未掺杂的ZnO薄膜相比,ZnO∶Ti薄膜的衍射峰发生宽化且峰强减小,薄膜的结晶质量下降.改变Ti的掺杂量,发现Si衬底上制备的薄膜发光强度和发光峰位随掺杂浓度发生相应的改变. 展开更多
关键词 ti掺杂zno薄膜 射频反应磁控溅射 X射线衍射 光致发光
下载PDF
液相法直接制备Ti-ZnO及其光催化性能研究 被引量:1
4
作者 弓莹 高雯雯 +1 位作者 焦玉荣 刘慧瑾 《当代化工》 CAS 2017年第7期1315-1317,1321,共4页
以硫酸氧钛、醋酸锌、氢氧化钠为出发原料,在醇水溶液体系中,通过液相法直接制备了尺寸为25 nm的Ti-ZnO纳米晶体,ZnO为纤锌矿结构。Ti-ZnO显示出优异的光催化性能,在紫外灯照6 h后,Ti-ZnO对甲基橙的降解率达到97.34%。
关键词 zno ti掺杂 光催化
下载PDF
磁控溅射功率对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
5
作者 李园 黄美东 +2 位作者 张建鹏 杨明敏 高倩 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第5期28-32,共5页
为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能,采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO(TZO)薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对... 为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能,采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO(TZO)薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对TZO薄膜微观结构及光电性能的影响.结果表明:溅射功率对薄膜样品沉积速率的影响呈现先升后降的趋势,对电阻率的影响正好相反.当溅射功率为100W时,薄膜的沉积速率最大,为7.96nm/min,此时电阻率为最小的1.02×10-3Ω·cm;所有TZO薄膜在可见光波段的平均透过率均高于80%,为透明导电薄膜.Ti掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,具有良好的c轴择优取向,溅射功率为100W时其微观结构均匀、平整、致密,表面形貌最好. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 溅射功率 ti掺杂TZO薄膜(TZO) 光电性能
下载PDF
掺Ti对ZnO纳米颗粒的微观结构与光学特性的影响
6
作者 张正中 刘昊 吴阳江 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第6期1049-1054,共6页
本研究利用溶胶凝胶法制备了Ti_xZn_(1-x)O纳米粒子,并且分析了Ti掺杂对ZnO纳米粒子晶体结构与光学特性的影响.微观结构分析得知Ti掺杂会使ZnO结晶较差,晶格常数与压缩应力增大,但可使晶粒缩小至5 nm左右.光致发光(PL)光谱分析得出Ti掺... 本研究利用溶胶凝胶法制备了Ti_xZn_(1-x)O纳米粒子,并且分析了Ti掺杂对ZnO纳米粒子晶体结构与光学特性的影响.微观结构分析得知Ti掺杂会使ZnO结晶较差,晶格常数与压缩应力增大,但可使晶粒缩小至5 nm左右.光致发光(PL)光谱分析得出Ti掺杂会造成氧空位缺陷减少,近带边发光(NBE)峰值蓝移,但NBE峰值强度增幅变化却不大.拉曼光谱分析表明Ti_xZn_(1-x)O的结晶品质不佳且NBE峰值强度的增幅未完全依循多声子模态信号减弱而增强的规律,其原因是NBE峰值强度除受多声子模态信号影响外还受其它因素的影响.TC(002)值越高时样品的多声子模态信号会越弱,而NBE峰值强度增幅越大. 展开更多
关键词 氧化锌 纳米颗粒 钛掺杂 微观结构 光学特性
下载PDF
Ti掺杂ZnO光电性能的第一性原理研究 被引量:5
7
作者 曲灵丰 侯清玉 +1 位作者 许镇潮 赵春旺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第15期180-188,共9页
在掺杂量为1.04 at%-1.39 at%的范围内,Ti掺杂ZnO体系吸收光谱分布和电导率的实验结果存在争议均有文献报道,但是,迄今为止,对此未有合理的理论解释.为了解决存在的争议,本文采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U的方... 在掺杂量为1.04 at%-1.39 at%的范围内,Ti掺杂ZnO体系吸收光谱分布和电导率的实验结果存在争议均有文献报道,但是,迄今为止,对此未有合理的理论解释.为了解决存在的争议,本文采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U的方法,用第一性原理构建了两种不同掺杂量Zn_(0.9792)Ti_(0.0208)O和Zn_(0.9722)Ti_(0.0278)O超胞模型,所有模型在几何结构优化的基础上,对能带结构分布,态密度分布和吸收光谱分布进行了计算.计算结果表明:在本文限定的掺杂量范围内,Ti掺杂量越增加,掺杂体系体积越增加,体系总能量越升高,体系稳定性越下降,形成能越升高,掺杂越难,掺杂体系布居值减小,Ti-O键长变长,共价键减弱,离子键增强,所有掺杂体系均转化为n型化简并半导体;掺杂体系带隙越变宽,吸收光谱蓝移越显著,电子有效质量越增加,电子浓度越增加,电子迁移率越减小,电子电导率越减小,掺杂体系导电性能越差.计算结果与实验结果相符合.对存在的问题进行了合理的理论解释.对Ti掺杂ZnO光电功能材料的设计和制备有一定的理论指导作用. 展开更多
关键词 ti掺杂zno 吸收光谱分布 电导率 第一性原理
下载PDF
N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti光催化处理染料废水的研究 被引量:8
8
作者 杨开 钟登杰 +1 位作者 徐云兰 胡学步 《重庆理工大学学报(自然科学)》 CAS 2017年第10期134-139,164,共7页
采用溶胶-凝胶法制备N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极。掺杂催化剂的X射线衍射(XRD)结果表明:N,F,Ce元素的掺杂有效抑制了TiO_2催化剂由锐钛矿相向金红石相的转变。考察了N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极的制备条件对催化性能的影响及其在可见... 采用溶胶-凝胶法制备N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极。掺杂催化剂的X射线衍射(XRD)结果表明:N,F,Ce元素的掺杂有效抑制了TiO_2催化剂由锐钛矿相向金红石相的转变。考察了N,F,Ce三掺杂TiO_2/Ti膜电极的制备条件对催化性能的影响及其在可见光照射下处理罗丹明B的影响因素和光催化效率。在最佳条件下,处理150 min,其脱色率可达62.1%。处理过程中罗丹明B溶液的紫外-可见分光光谱表明:可见光区最大吸收波长略有蓝移,说明分子遭到了破坏,但未能使其矿化。 展开更多
关键词 N f Ce掺杂tiO2/ti 可见光 光催化 罗丹明B
下载PDF
F,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及掺杂机理研究 被引量:2
9
作者 王延峰 谢希成 +7 位作者 刘晓洁 韩冰 武晗晗 连宁宁 杨富 宋庆功 裴海林 李俊杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期282-290,共9页
本文采用磁控溅射技术,对F和Al共掺杂ZnO(FAZO)薄膜进行研究,系统地研究了溅射气压对薄膜结构、形貌、光电等特性的影响.实验研究结果表明:F,Al共掺入并未改变ZnO的生长方式,所制备的薄膜都呈(002)择优生长;随着溅射气压增加,FAZO薄膜... 本文采用磁控溅射技术,对F和Al共掺杂ZnO(FAZO)薄膜进行研究,系统地研究了溅射气压对薄膜结构、形貌、光电等特性的影响.实验研究结果表明:F,Al共掺入并未改变ZnO的生长方式,所制备的薄膜都呈(002)择优生长;随着溅射气压增加,FAZO薄膜的沉积速率降低,结晶质量恶化,表面形貌由“弹坑状”逐渐变为“弹坑状”与“颗粒状”并存的形貌特性,表面粗糙度增加.在0.5 Pa时制备的FAZO薄膜性能最优,迁移率40.03 cm2/(V·s),载流子浓度3.92×1020 cm–3,电阻率最低,为3.98×10–4 ΩW·cm,380-1200 nm平均透过率约90%.理论模拟结果表明:F和Al的共掺杂兼顾了F,Al单独掺杂的优点,克服了以往金属元素掺杂仅依靠金属元素轨道提供导电电子的不足,实现了既增加载流子浓度又减少了掺入原子各轨道间相互作用对载流子散射的影响.掺入的F 2p电子轨道对O 2p及Zn 4s电子轨道产生排斥,使它们分别下移,提供导电电子;同时掺入的Al的3s和3p电子轨道也为导电电子提供了贡献.F和Al共掺之后载流子浓度提升更加显著,导电性能增强. 展开更多
关键词 f和Al共掺杂zno薄膜 磁控溅射 第一性原理计算 太阳电池
下载PDF
F掺杂对溶胶-凝胶法制备的ZnO∶Fe薄膜结构及光学性质的影响
10
作者 周攀钒 袁欢 +5 位作者 张琴 张秋平 徐小楠 鹿轶红 章春来 徐明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3247-3252,共6页
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn0.98-xFe0.02FxO(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)薄膜,进而利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透过谱(UV-VIS)、光致发光(PL)多种测试手段研究了不同掺F浓度对Zn O∶Fe薄膜的表面形... 采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Zn0.98-xFe0.02FxO(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)薄膜,进而利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透过谱(UV-VIS)、光致发光(PL)多种测试手段研究了不同掺F浓度对Zn O∶Fe薄膜的表面形貌、微结构、禁带宽度及光致发光的影响。结果表明:样品均为六角纤锌矿结构,当F掺杂浓度为2at%时,薄膜的结晶度最好且表现出明显的c轴择优取向。随着F掺杂浓度的进一步增大,薄膜的结晶性逐渐变差,c轴择优取向消失。F掺杂Zn O∶Fe薄膜在可见光区均有很高的透过率,平均可达93%。样品的禁带宽度随着掺F浓度的增加而减小。PL谱观察到Zn0.98-xFe0.02FxO薄膜的发射峰主要由紫外发射峰和蓝光发射峰组成,其中2at%F掺杂样品的紫外发射强度最大,同时蓝光发射强度随着F含量的增大逐渐减小。 展开更多
关键词 f掺杂 znofe∶f薄膜 溶胶-凝胶法 光学禁带 光致发光
下载PDF
退火气氛对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响
11
作者 周丽萍 呂珺 +3 位作者 汪冬梅 陈雯雯 吴玉程 郑治祥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期536-538,共3页
通过溶胶.凝胶法,采用Al、F共掺杂的方法在4种不同的气氛下制备ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系.制备的Al:F:ZnO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.4种退火气氛相比,在空气气氛... 通过溶胶.凝胶法,采用Al、F共掺杂的方法在4种不同的气氛下制备ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系.制备的Al:F:ZnO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.4种退火气氛相比,在空气气氛下退火时,平均晶粒尺寸最大,为43.4nm,导电性能最好,电阻率可低达6.5×10^-2Ω·cm。4种退火气氛下,薄膜在可见光范围内的平均透过率均达到了75%以上,其中,空气气氛下退火时薄膜的透光性最好。 展开更多
关键词 zno薄膜 AL f共掺杂 溶胶-凝胶 退火气氛
下载PDF
Ni掺杂ZnO纳米线的电子结构与磁性 被引量:7
12
作者 张富春 张威虎 +1 位作者 董军堂 张志勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2326-2332,共7页
采用自旋极化密度泛函理论系统研究了Ni掺杂ZnO纳米线的电子结构、磁学和光学性质.磁学性质计算结果显示六种Ni掺杂ZnO纳米线的磁性耦合体系出现了铁磁(FM)、反铁磁(AFM)和顺磁(PM)二种不同的耦合状态.能量计算结果表明Ni原子在纳米线... 采用自旋极化密度泛函理论系统研究了Ni掺杂ZnO纳米线的电子结构、磁学和光学性质.磁学性质计算结果显示六种Ni掺杂ZnO纳米线的磁性耦合体系出现了铁磁(FM)、反铁磁(AFM)和顺磁(PM)二种不同的耦合状态.能量计算结果表明Ni原子在纳米线外表面沿[0001]方向替代Zn原子时能量最低,体系的AFM耦合相对稳定,AFM体系表现出金属性.态密度计算结果显示FM耦合在费米能级附近出现了明显的自旋极化现象,发生了强烈的Ni 3d和O 2p杂化效应,掺杂产生的磁矩主要来源于Ni 3d未成对轨道电子和部分O 2p轨道电子的贡献,FM耦合表现出半金属性.另外,光学性质计算结果显示Ni掺杂ZnO纳米线的远紫外吸收峰发生了红移现象,而380 nm附近的近紫外吸收峰发生了明显的蓝移现象,在整个紫外区都表现出了优异的发光性能.以上结果表明Ni掺杂ZnO纳米线是一种很有前途的磁光电子材料. 展开更多
关键词 氧化锌:纳米线:第一性原理:掺杂:磁学性质
下载PDF
Controllable synthesis of Eu3+ ions doped Zn(OH)F and ZnO micro-structures:Phase,morphology and luminescence property 被引量:2
13
作者 Zhiyuan Chen Jingbin Huang +3 位作者 Yanyan Wang Dan Yue Zhenling Wang Jingyang Niu 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第9期955-960,I0003,共7页
Eu3+ions doped Zn(OH)F and ZnO micro-structures with specific morphologies were synthesized by a simple hydrothermal method only through altering the addition amount of NH4F and hexamethylenetetramine(HMT).The phase s... Eu3+ions doped Zn(OH)F and ZnO micro-structures with specific morphologies were synthesized by a simple hydrothermal method only through altering the addition amount of NH4F and hexamethylenetetramine(HMT).The phase structure,morphology and luminescence properties of the as-prepared samples were characterized by X-ray powder diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),photoluminescence(PL)spectra and lifetime.The results indicate that the obtained Zn(OH)F:Eu^3+samples possess net-like and dandelion-like morphologies,which have an identical orthorhombic phase structure.It is found that the addition amount of raw materials such as NH4F and HMT plays a critical role for the formation of Zn(OH)F:Eu^3+.If the addition amounts of NH4F or HMT are reduced by half,the hexagonal ZnO:Eu^3+sample with peanut-like morphology can be obtained.Under the excitation of UV light,both the as-prepared Zn(OH)F:Eu^3+and ZnO:Eu^3+samples exhibit the characteristic emission of the doped Eu^3+. 展开更多
关键词 Eu3+ions Doping Zn(OH)f zno Luminescence Rare earths
原文传递
Ti^(4+)掺杂ZnO复合材料的制备及其光学性能研究 被引量:6
14
作者 吕宝华 李玉珍 +1 位作者 宋维阳 姚陈忠 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1055-1059,共5页
以氧化锌(Zn O)和二氧化钛(Ti O2)为原料,采用固相反应法制备了掺杂不同Ti4+摩尔分数(x)的Zn O复合粉体。Zn O复合材料在经过温度为500℃,时间为3 h的煅烧之后,通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱仪、红外光... 以氧化锌(Zn O)和二氧化钛(Ti O2)为原料,采用固相反应法制备了掺杂不同Ti4+摩尔分数(x)的Zn O复合粉体。Zn O复合材料在经过温度为500℃,时间为3 h的煅烧之后,通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱仪、红外光谱仪(IR)和扫描电镜(SEM)对复合材料的结构和光学性能进行了表征。研究结果表明,所有的Zn O复合材料都保持了Zn O的纤锌矿晶体结构,而过量Ti的掺杂则会降低Zn O的结晶度。另外,Zn O复合材料的光学性能因为Ti的掺杂有了很大的改变。复合材料在IR图中的Zn-O的特征吸收峰位置与纯Zn O相比出现了明显的蓝移,且吸收峰随着Ti掺杂浓度的增大而逐渐变宽。与此同时,复合材料的UV-Vis吸光度较纯Zn O显著下降,但禁带宽度随着Ti掺杂浓度的增大而明显增大。当Ti掺杂摩尔分数x=20.17%时,Ti O2能很好的融入到Zn O粉体中,且粉体晶粒较小,结晶质量高,界面颗粒接触比较紧密。 展开更多
关键词 氧化锌 钛掺杂 固相反应法 光学性能
原文传递
不同衬底沉积Ti-Al共掺杂ZnO薄膜的性能对比研究 被引量:6
15
作者 刘汉法 秦华 杨家猛 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期558-561,共4页
利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底和Si片衬底上分别沉积出了Ti-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜(TAZO),并对这两种衬底上的薄膜的应力、结构和光电性能进行了对比研究。结果表明:玻璃衬底和Si片衬底上沉积的TAZO薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤... 利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底和Si片衬底上分别沉积出了Ti-Al共掺杂ZnO透明导电薄膜(TAZO),并对这两种衬底上的薄膜的应力、结构和光电性能进行了对比研究。结果表明:玻璃衬底和Si片衬底上沉积的TAZO薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜,Si片衬底的TAZO薄膜的导电性能优于玻璃衬底上的TAZO薄膜,53 min沉积出的两种衬底上的TAZO薄膜都具有最小电阻率,Si片衬底上薄膜的最小电阻率为5.07×10-4Ω.cm,玻璃衬底上薄膜的最小电阻率为5.48×10-4Ω.cm;玻璃衬底上的TAZO薄膜的应力小于Si片衬底上TAZO薄膜的应力。玻璃衬底上沉积TAZO薄膜样品的可见光透过率均大于90%,两种衬底上沉积TAZO薄膜的折射率都在2.0左右。 展开更多
关键词 ti-Al共掺zno(TAZO)薄膜 磁控溅射 光电性能 应力
原文传递
柔性PET衬底上低温制备TZO透明导电薄膜 被引量:3
16
作者 刘汉法 张化福 袁长坤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期784-788,共5页
利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌透明导电薄膜(TZO)。通过X射线衍射和扫描电镜等表征方法对薄膜结构和特性进行测试分析,研究了靶与衬底之间的距离(靶基距)对TZO薄膜表面形貌、结构、力学、电学和光... 利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌透明导电薄膜(TZO)。通过X射线衍射和扫描电镜等表征方法对薄膜结构和特性进行测试分析,研究了靶与衬底之间的距离(靶基距)对TZO薄膜表面形貌、结构、力学、电学和光学性能的影响。结果表明,实验制备的柔性TZO透明导电薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜;靶基距对PET衬底上的柔性TZO薄膜的性能有较大的影响。随着靶基距从42 mm增大到70 mm,薄膜的生长速率由22.46 nm/min降低到6.92 nm/min;薄膜的电阻率先由55.99×10-4Ω.cm快速减小到5.34×10-4Ω.cm后略有增大并趋稳,5.34×10-4Ω.cm为最小电阻率,其靶基距为52 mm;70 mm靶基距时样品薄膜应力最小,为0.4914 GPa;所有样品的可见光区平均透过率都高于90.97%。 展开更多
关键词 柔性TZO薄膜 透明导电薄膜 应力 靶基距
下载PDF
钛铝共掺杂氧化锌和钛掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能对比研究 被引量:2
17
作者 刘汉法 郭庆生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1151-1155,共5页
利用直流磁控溅射法,在相同实验条件下成功沉积出了钛掺杂氧化锌(TZO)透明导电薄膜和钛铝共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,并对两种薄膜的结构、应力和光电性能进行了对比研究。结果表明:两种薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构... 利用直流磁控溅射法,在相同实验条件下成功沉积出了钛掺杂氧化锌(TZO)透明导电薄膜和钛铝共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,并对两种薄膜的结构、应力和光电性能进行了对比研究。结果表明:两种薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜;TAZO薄膜的导电性能优于TZO薄膜,100 W溅射功率下制备的TZO薄膜的电阻率具有其最小值5.17×10-4Ω.cm,而相同功率下TAZO薄膜的电阻率为3.88×10-4Ω.cm;同时TAZO薄膜的光学性能也优于TZO薄膜,所有TAZO薄膜样品的可见光透过率均大于91%,而TZO薄膜的可见光透过率均大于85%。 展开更多
关键词 TZO薄膜 TAZO薄膜 磁控溅射 光电性能 应力
下载PDF
Ti-Al共掺ZnO薄膜的应力、结构和光电性能研究 被引量:4
18
作者 刘汉法 王振环 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期400-403,共4页
利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上成功沉积出了高透光、低电阻率的Ti-Al共掺ZnO(TAZO)透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)研究结果表明,TAZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。研究了TAZO薄膜的应力、结构以及光电... 利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上成功沉积出了高透光、低电阻率的Ti-Al共掺ZnO(TAZO)透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)研究结果表明,TAZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。研究了TAZO薄膜的应力、结构以及光电性能与薄膜厚度的关系,结果表明,当薄膜厚为531 nm时,薄膜晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.726 6 Gpa,同时具有最小电阻率3.35×10-4Ω.cm,其光学带隙大约为3.58 eV。所制备薄膜附着性能良好,在波长为400~760 nm波段的可见光中平均透过率都超过了91%。 展开更多
关键词 应力 ti-Al共掺zno(TAZO)薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射
原文传递
高相对密度低电阻率ZTO陶瓷靶材的烧结与性能 被引量:2
19
作者 职利 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期37-40,共4页
采用传统的固相烧结方法制备了ZnO:Ti(ZTO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量及烧结温度对靶材的微观结构、相对密度和电性能的影响。结果表明:添加适量的TiO2能促进ZTO陶瓷晶粒长大及组织均匀化,掺杂过量TiO2使ZTO陶瓷中析出ZnTi2O4;随TiO2掺... 采用传统的固相烧结方法制备了ZnO:Ti(ZTO)陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量及烧结温度对靶材的微观结构、相对密度和电性能的影响。结果表明:添加适量的TiO2能促进ZTO陶瓷晶粒长大及组织均匀化,掺杂过量TiO2使ZTO陶瓷中析出ZnTi2O4;随TiO2掺杂量的增大,陶瓷靶材的电阻率ρ先快速下降后缓慢升高,当掺杂的x(TiO2)为0.5%,烧结温度为1350℃时,其ρ为1.480?.cm,相对密度为97.7%;当烧结温度为1400℃时,陶瓷靶材的ρ最低(0.305?.cm),其相对密度为97.9%。 展开更多
关键词 zno 透明导电膜 靶材 ti掺杂 性能
下载PDF
激光分子束外延法制备氟铝共掺氧化锌薄膜及其物性研究 被引量:2
20
作者 马剑钢 林东 《物理实验》 2016年第9期4-8,共5页
采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受... 采用激光分子束外延方法,将高熔点的AlF3和ZnO混合后制成高质量靶材,制备出具有高电导率和热稳定性的氟、铝共掺氧化锌薄膜(AFZO),并研究了AZO和AFZO的光电性质随退火条件的变化,探讨了AZO薄膜缺陷的性质及其形成和作用机理.研究表明受主型缺陷——锌空位是导致在空气退火时AZO电学性质劣化的主要原因,而氟掺杂可以抑制锌空位的形成. 展开更多
关键词 氟铝共掺氧化锌 激光分子束外延 透明导电 锌空位
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部