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超声协同ZnO/In_2O_3复合光催化剂降解亚甲基兰的研究
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作者 张兴瑶 《广东化工》 CAS 2017年第12期77-78,72,共3页
使用超声波技术在半导体氧化剂In_2O_3上包覆ZnO,并通过XRD和TEM等测试技术对样品进行了表征。以可溶性染料亚甲基兰为降解对象,研究了ZnO/In_2O_3复合光催化剂的催化活性及该催化剂回收再利用的可行性。结果表明,该磁载光催化剂对染料... 使用超声波技术在半导体氧化剂In_2O_3上包覆ZnO,并通过XRD和TEM等测试技术对样品进行了表征。以可溶性染料亚甲基兰为降解对象,研究了ZnO/In_2O_3复合光催化剂的催化活性及该催化剂回收再利用的可行性。结果表明,该磁载光催化剂对染料有较好的降解效果,并可循环使用,应用前景广泛。 展开更多
关键词 磁载光催化剂 zno/in2o3 亚甲基兰
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ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究 被引量:16
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作者 何霞 刘海瑞 +3 位作者 董海亮 梁建 张华 许并社 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期264-268,共5页
通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、... 通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、厚度约40-60 nm的六边形纳米片镶嵌着In2O3纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In2O3和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率, 发现ZnO/In2O3异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率, 其原因是窄带系半导体In2O3能够有效地吸收可见光, 当ZnO与In2O3形成异质结时, In2O3能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上, 而光激发的空穴仍保留在In2O3价带, 这样有助于光生电子和空穴的分离, 降低其复合几率, 从而有效地提高了ZnO的光催化效率。 展开更多
关键词 zno zno in2o3 罗丹明B 光催化效率
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ZnO/In_2O_3复合空心球的制备及其光电催化葡萄糖降解性能 被引量:3
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作者 李卫兵 补钰煜 于建强 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2676-2682,共7页
通过葡萄糖协助的水热以及随后的退火处理两步法成功制备了系列ZnO/In2O3复合空心球.X射线衍射(XRD)谱表明,经500°C退火制得的ZnO/In2O3复合空心球中的ZnO以非晶态存在,但是随着退火温度的提高,其逐渐转变为纤锌矿结构.场发射扫描... 通过葡萄糖协助的水热以及随后的退火处理两步法成功制备了系列ZnO/In2O3复合空心球.X射线衍射(XRD)谱表明,经500°C退火制得的ZnO/In2O3复合空心球中的ZnO以非晶态存在,但是随着退火温度的提高,其逐渐转变为纤锌矿结构.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和透射显微镜(TEM)结果表明,ZnO/In2O3复合材料具有空心球结构,复合纳米颗粒之间结合紧密.将ZnO/In2O3复合空心球组装成薄膜光电极,研究了其光电催化降解葡萄糖的性能.结果表明,700°C退火处理的ZnO/In2O3复合空心球薄膜电极可产生最高的光致电流密度.通过光致发光光谱(PL)发现,与ZnO或In2O3空心球相比,ZnO/In2O3复合空心球的发光强度猝灭效果明显.这是由于复合材料中晶界处产生的p-n结电场,降低了光生电子-空穴对的复合几率,从而使更多的光生电子可迁移到电极表面. 展开更多
关键词 zno in2o3 复合空心球 光电化学 催化降解
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In_2O_3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性 被引量:6
4
作者 闫伟平 王德军 +3 位作者 陈礼平 卢永春 谢腾峰 林艳红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1021-1027,共7页
以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线能谱(EDX),X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-VisD... 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线能谱(EDX),X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B(RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着In2O3敏化量的改变,光电流和开路电压也随之改变.并探讨了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系.结果表明,适量In2O3敏化的ZnO光催化剂在可见光下2h内对罗丹明B的降解效率达到95%,是单纯ZnO纳米棒阵列的2.4倍. 展开更多
关键词 in2o3敏化zno 纳米棒阵列 光电流密度-电位 光电流 挡光-照光 表面光电压 可见光光电催化活性
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Synthesis and electrical properties of In_2O_3(ZnO)_m superlattice nanobelt
5
作者 唐欣月 高红 +4 位作者 武立立 温静 潘思明 刘欣 张喜田 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期394-398,共5页
One-dimensional(ID) In2O3(ZnO)m superlattice nanobelts are synthesized by a chemical vapor deposition method.The formation of the In2O3(ZnO)m superlattice is verified by the high-resolution transmission electron... One-dimensional(ID) In2O3(ZnO)m superlattice nanobelts are synthesized by a chemical vapor deposition method.The formation of the In2O3(ZnO)m superlattice is verified by the high-resolution transmission electron microscopy images.The typical zigzag boundaries could be clearly observed.An additional peak at 614 cm^-1 is found in the Raman spectrum,which may correspond to the superlattice structure.The study about the electrical transport properties reveals that the In2O3(ZnO)m nanobelts exhibit peculiar nonlinear I-V characteristics even under the Ohmic contact measurement condition,which are different from the Ohmic behaviors of the In-doped ZnO nanobelts.The photoelectrical measurements show the differences in the photocurrent property between them,and their transport mechanisms are also discussed. 展开更多
关键词 in2o3zno)m SUPERLATTICE electrical properties
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In^(3+)离子掺杂N型ZnO
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作者 刘超 《河北建筑工程学院学报》 CAS 2007年第4期111-113,116,共4页
采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的In_2O_3,合成了掺In的ZnO晶体.In离子掺杂不仅可以改善晶体形貌特征,使晶体光滑,结构完整,呈现规则对称的薄片状六棱形,而且霍尔测量显示大大增加了其载流子浓... 采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的In_2O_3,合成了掺In的ZnO晶体.In离子掺杂不仅可以改善晶体形貌特征,使晶体光滑,结构完整,呈现规则对称的薄片状六棱形,而且霍尔测量显示大大增加了其载流子浓度,实现N型导电. 展开更多
关键词 水热法 氧化锌 in2o3 N型zno
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Y_2O_3和ln_2O_3复合掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷的影响 被引量:2
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作者 廖继红 钟志成 +1 位作者 陈洋 屈少华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2018年第6期711-715,共5页
通过复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和xmol%ln_2O_3,采用固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了烧结温度为1120℃保温3小时条件下,掺杂不同剂量ln_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明随着复合掺杂ln_2O_3剂量的增大,ZnO... 通过复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和xmol%ln_2O_3,采用固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了烧结温度为1120℃保温3小时条件下,掺杂不同剂量ln_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明随着复合掺杂ln_2O_3剂量的增大,ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小先减小后增大。少量复合掺杂Y_2O_3和ln_2O_3,晶粒的生长均匀细小,显微结构致密;晶界成分和结构得到了优化,改善了非线性特性。复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和0.7mol%ln_2O_3的压敏陶瓷材料适合制作高电位梯度避雷器。其压敏电压梯度可达1080 V/mm,非线性系数为55,漏电流为0.60μΑ。 展开更多
关键词 zno压敏陶瓷 Y2o3in2o3复合掺杂 非线性系数 高电位梯度
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In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响 被引量:5
8
作者 韦志仁 李哲 +4 位作者 胡志鹏 罗小平 高平 王伟伟 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期755-758,共4页
本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{000 1-}、六棱锥面+p{10 1-1}和-p{10 1-1-},一般不显露{0001}... 本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{000 1-}、六棱锥面+p{10 1-1}和-p{10 1-1-},一般不显露{0001}面。前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5~20μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{10 1-1}、负锥面-p{10 1-1-}和负极面-c{000 1-}。由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷。当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm^2/(V.s),载流子浓度约为2×10^20cm^-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 晶体 三氧化二铟
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In和过渡金属离子共掺杂对ZnO晶体形貌的影响 被引量:4
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作者 仇满德 田帅 +1 位作者 韦志仁 董国义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期48-52,共5页
采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2.6H2O,FeCl2.4 H2O,NiCl2.6H2O,In2O3,其中Co∶In∶Zn,Fe∶In∶Zn,Ni∶In∶Zn分别为5∶1∶100,5∶1∶100,3∶1∶100。3 mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24 h,制备了In... 采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2.6H2O,FeCl2.4 H2O,NiCl2.6H2O,In2O3,其中Co∶In∶Zn,Fe∶In∶Zn,Ni∶In∶Zn分别为5∶1∶100,5∶1∶100,3∶1∶100。3 mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24 h,制备了In和过渡族金属离子共掺的ZnO晶体。结果表明,掺杂In2O3时,所合成的过渡族金属离子掺杂的ZnO晶体均呈现六角片状晶体,晶体形貌规则,表面光滑,直径为5~10μm。和未掺杂In的晶体相比,掺杂In后,晶体c轴极性生长速度得到明显的控制,a、b轴方向生长速度提高,大面积显露+c{0001}、负极面-c{000}面,另外还显露正锥面+p{101}、负锥面-p{10}。 展开更多
关键词 氧化锌 水热法 三氧化二铟 晶体形貌
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水热法合成In掺杂ZnO晶体 被引量:4
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作者 韦志仁 刘新辉 +4 位作者 武明晓 张金平 尹利君 黄存新 李志强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期153-155,159,共4页
本文采用水热法,在ZnO前驱物中添加少量的In2O3,合成了掺In的ZnO晶体。结果显示:生长的掺In的ZnO晶体呈六角片状,大面积显露{0001}面和负极面-c{000}。In掺杂后晶体的形态得到了明显的改变,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善。当采用... 本文采用水热法,在ZnO前驱物中添加少量的In2O3,合成了掺In的ZnO晶体。结果显示:生长的掺In的ZnO晶体呈六角片状,大面积显露{0001}面和负极面-c{000}。In掺杂后晶体的形态得到了明显的改变,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善。当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过SEM和光学显微观察,所生长的晶体表面光滑平整,双晶衍射摇摆曲线半宽度小于39弧秒,显示具有较高的晶体质量。 展开更多
关键词 氧化锌晶体 水热法 in2o3 摇摆曲线
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In_2O_3和ZnO混合薄膜的化学腐蚀特性研究 被引量:2
11
作者 吕佩伟 胡海龙 +2 位作者 裴瑜 林丽梅 赖发春 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1210-1213,共4页
利用直流磁控溅射在未加热的BK-7玻璃基片上沉积In2O3与ZnO混合(IZO)薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、分光光度计和四探针法研究IZO薄膜在HCl溶液中不同腐蚀时间前后的表面形貌以及光电性质的变化。结果表明:随着腐蚀时间的增加,薄膜的表... 利用直流磁控溅射在未加热的BK-7玻璃基片上沉积In2O3与ZnO混合(IZO)薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、分光光度计和四探针法研究IZO薄膜在HCl溶液中不同腐蚀时间前后的表面形貌以及光电性质的变化。结果表明:随着腐蚀时间的增加,薄膜的表面均方根粗糙度(RMS)和方块电阻(Rs)都呈现先增后减再增的现象;而薄膜的光学透射率则是先减后增再减。由于ZnO比In2O3更容易在HCl溶液中进行腐蚀,使得样品经腐蚀后出现孔洞结构,孔宽与孔深都随着腐蚀时间的增加而增大,这种具有纳米孔洞结构的透明导电薄膜在未来的光电子器件有潜在应用。 展开更多
关键词 in2o3zno混合(IZo)薄膜 化学腐蚀 光电学性质 表面形貌
原文传递
Nanocomposites Preparation and Its Application to Sensor
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作者 Dianqing Li Zhangfa Tong +2 位作者 Xiaowei Huang Shouli Bai Ruixian Luo 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A03期29-32,共4页
The nanocomposites of ZnO-SnO_2 and In_2O_3-SnO_2 were prepared by wet chemical co-precipitation method as a novel semiconductor gas sensing materials for the detection of environmentally toxic gases.Controlled prepar... The nanocomposites of ZnO-SnO_2 and In_2O_3-SnO_2 were prepared by wet chemical co-precipitation method as a novel semiconductor gas sensing materials for the detection of environmentally toxic gases.Controlled preparation parameters were critical towards the grain size and crystallinity of the obtained nanocomposites.The results showed that these nanocomposites exhibited high sensitivity and selectivity for the detection of CO and NO_x,and the sensitivity depended on the composition of the composite,calcination temperature and operating temperature.The gas sensing properties of the sensors were further improved through incorporation of dopants and surface additives.The gas sensing mechanism was also discussed by X-ray photoelectron spectroscopic (XPS) and temperature-programmed desorption (TPD) studies. 展开更多
关键词 zno-Sno2 in2o3-Sno2 NANoCoMPoSITES gas sensor sensing properties
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透明导电氧化物薄膜材料研究进展 被引量:37
13
作者 刘宏燕 颜悦 +3 位作者 望咏林 伍建华 张官理 厉蕾 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期63-82,共20页
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则... 透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则。化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物。根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种。在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导。进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用。In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力。此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点。 展开更多
关键词 氧化铟 氧化锡 氧化锌 透明导电氧化物
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透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量:32
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作者 王敏 蒙继龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-7,共3页
综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的... 综述了TCO薄膜的研究进展和应用前景。ITO薄膜是目前应用最广泛的薄膜,AZO薄膜是研究的热点,具有替代ITO薄膜的潜能。TCO薄膜因具有优异的光电性能而被应用在各种光电器件中,例如,平面液晶显示器,太阳能电池等。随着TCO薄膜制备方法的不断改进、成熟以及聚合物基TCO薄膜的开发,TCO薄膜将具有更广阔的应用和发展空间。 展开更多
关键词 TCo SNo2 in2o3 zno 制备方法 应用前景 透明导电氧化物薄膜
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锌镍电池用包覆氧化铟的氧化锌的性能 被引量:6
15
作者 贺红梅 杨占红 +1 位作者 迟伟伟 胡俊 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期101-103,共3页
用化学沉积法制备密封锌镍电池负极材料包覆氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)。用XRD、TEM、Tafel曲线及充放电等方法,对样品进行分析。In2O3在ZnO表面为部分包覆(1.5%的包覆量);包覆后的ZnO具有更好的耐腐蚀性能,且循环性能良好,第179次1.0... 用化学沉积法制备密封锌镍电池负极材料包覆氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)。用XRD、TEM、Tafel曲线及充放电等方法,对样品进行分析。In2O3在ZnO表面为部分包覆(1.5%的包覆量);包覆后的ZnO具有更好的耐腐蚀性能,且循环性能良好,第179次1.0C循环(充、放电限压分别为2.1 V、1.4 V)的容量保持率为81%。 展开更多
关键词 氧化锌(zno) 表面包覆 氧化铟(in2o3) 循环性能
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