薄膜厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%。当薄膜厚度从125nm增加到350nm时,薄膜的光学带隙从3.58eV减小到3.50eV。

利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)

利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO:Zr薄膜的最小电阻率为1 .55×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90 %。

缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)

利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。

衬底偏压对ZnO:Zr薄膜结构及光电性能的影响

以Zn:Zr(Zr片贴在金属Zn靶上面)为溅射靶材,利用直流反应磁控溅射法在Ar/O2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO(ZnO:Zr)薄膜.在制备ZnO:Zr薄膜时,衬底偏压在0～60V之间变化.研究结果表明,衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响.当衬底偏压从0增大到60V时,薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大,而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小.ZnO:Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反.