CeO2掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究

采用添加微量CeO2的方法，提高氧化锌压敏阀片的电位梯度，使之具有优良的综合性能。同时研究了微量CeO2添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响，并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究，从理论上探讨了CeO2影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明，在0～0．06％（摩尔分数）成分范围内，随着CeO2含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高；当CeO2含量超过0．06％（摩尔分数）时，随其含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是CeO2加入到氧化锌压敏阀片中，以原相形式独立存在的CeO2相钉扎在晶界，阻碍晶界运动，抑制了ZnO晶粒的生长；另一方面，CeO2添加剂在陶瓷烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙锌离子Zni的总浓度下降，因而填隙锌离子的传质能力下降，抑制了ZnO晶粒的生长，因而晶粒尺寸随CeO2的添加而下降，压敏电位梯度显著提高。

Al_2O_3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2 O3 掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响 ,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明 :对于Al2 O3 掺杂ZnO压敏陶瓷 ,其晶粒生长的动力学指数n等于 4,激活能Q等于 ( 40 0± 2 6 )kJ/mol。Al2 O3 掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2 O4尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3 +和O2 -通过ZnAl2 O4尖晶石的扩散。

氧化锌压敏电阻粉体均匀性的电化学研究

粉体是ZnO压敏电阻制备的起点,粉料的混合均匀性直接影响压敏电阻的综合电性能。利用电位-电容法及Mott-Schottky分析并结合SEM扫描,探索ZnO压敏电阻粉体的均匀性与其电化学行为之间的关系。测试结果初步表明,ZnO压敏电阻粉体越均匀,电容越小,载流子浓度越小。

ZnO压敏电阻在灭磁开关的研究设计

本文介绍了ZnO压敏电阻在灭磁开关中的工作原理、设计计算和试验验证。

大电流冲击后ZnO压敏电阻交流老化特性的分析

针对ZnO压敏电阻经受多次8/20雷电流冲击后交流老化特性变化的问题,通过对ZnO压敏电阻老化机理的理论分析,并对ZnO压敏电阻样品进行不同次数的冲击老化实验后再进行交流老化实验测量其静态参数的变化,发现适当次数的大电流冲击会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力;ZnO压敏电阻的U1 mA和U0.1 mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势;根据实验结果,得出电子陷阱及离子迁移是交流老化初始和中期的主要老化机理,而热破坏在老化末期起主要作用。

高压直流转换开关用避雷器的工况分析及关键技术研究

结合无源型高压直流转换开关的工作原理,分析、计算了避雷器的工况。对其关键技术保护水平和能量释放能力进行了深入研究,提出了高压直流转换开关避雷器残压测量冲击电流波形(波前时间不小于250μs)的依据和ZnO电阻片极限能量释放能力选取值,对实际工程中的高压直流转换开关用避雷器的设计具有指导意义。