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新的脉冲进样装置及测定中药煎剂中微量钙镁铁锰锌
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作者 赵珍义 陈华 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期55-57,共3页
本文提出一种新的脉冲进样装置,用于火焰原子吸收分光光度法测定“麻杏甘汤”中的Ca、Mg、Fe、Mn、Zn金属元素。结果表明,此装置可以同时获得两种进样方法的分析结果。线性范围比常规法宽1~2倍,精密度、分析速度及用样量均优于常规法。
关键词 AAS 中药 测定 脉冲进样装置
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电子束蒸发Al_2O_3/TiO_2复合膜及在无机EL中的应用 被引量:1
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作者 黄浩 肖田 +1 位作者 张羿 林明通 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期469-473,共5页
开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm... 开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一。采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10nm/10nm、20nm/20nm、40nm/40nm、总厚度约600nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800nm的Al,TiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS:Mn TFEL器件中。Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10nm增至40nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154MV/m增至174MV/m,反映介电损耗的参数△Vy由0.09V降为0.04V,在50MV/m下漏电流密度由1×10^6A/cm^2增至1×10^-4A/cm^2,品质因子由2.62μC/cm^2降为2.46μC/cm^2。AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6μC/cm62,应用于ZnS:Mn TFEL器件中获得在200Hz下较高的L50(58cd·m^-2)、很低的阈值电压(60~70V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性。 展开更多
关键词 电子束蒸发 Al2O3-TiO2复合膜 介电性能 zns:mn器件
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