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Near Infrared Electroluminescence of Er-doped ZnS Thin Film Devices
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作者 WANG Yujiang, LIU Zhaohong, CHEN Mouzhi, LIU Ruitang, ZENG Yongzhi (Dept. of Physics,Xiamen University, xiamen 361005, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1998年第4期231-234,共4页
1IntroductionManyreportsofnearinfraredtechnologyapplicationarepublishedinrecentyears.Thebroadapplicationarea... 1IntroductionManyreportsofnearinfraredtechnologyapplicationarepublishedinrecentyears.Thebroadapplicationareas,includingnodama... 展开更多
关键词 微细构造 近红外电致发光 硫化锌薄膜
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Cu^+对ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响 被引量:8
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作者 田少华 李志强 宋伟朋 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第5期482-485,共4页
以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由48... 以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480nm逐渐变为520nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高. 展开更多
关键词 cu^+掺杂 zns 电致发光 光致发光光谱 发光亮度
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Cu(In,Ga)Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用 被引量:3
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作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期726-730,共5页
在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51... 在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25~35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化. 展开更多
关键词 化学水浴沉积 zns薄膜 CIGS太阳电池
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ZnS∶Cu粉末交流电致发光器件特性研究 被引量:3
4
作者 王辉 孟令国 +3 位作者 梁志虎 刘纯亮 梁海峰 董菁 《真空电子技术》 2008年第6期1-4,共4页
以商用ZnS∶Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200 V,发光亮度随着电压的升... 以商用ZnS∶Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200 V,发光亮度随着电压的升高而缓慢增强,当电压大于200 V,随着电压的升高亮度准线性增强。随着驱动频率的增大,发光光谱的中心波长发生蓝移,从100 Hz时的504 nm(绿光)到100 kHz时的450 nm(蓝光),发光亮度随频率增加先快速增强然后逐渐趋于饱和,达到一个极值后开始减小。随着脉宽的增大,发光亮度线性增强。另外文章中对驱动频率影响发光光谱的原因进行了深入分析,这对进一步研究ZnS∶Cu交流电致发光粉的发光机理有着重要的作用。 展开更多
关键词 发光特性 交流电致发光 zns:cu粉末 光谱蓝移
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掺杂浓度对电沉积法制备ZnS:Cu光学薄膜影响 被引量:1
5
作者 朱辉 黄剑锋 +3 位作者 曹丽云 曾燮榕 熊信柏 吴建鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期681-684,共4页
采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS∶Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS∶Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响。结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度... 采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS∶Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS∶Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响。结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4%以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高。研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3%的条件下,所制得的ZnS∶Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高。 展开更多
关键词 znscu薄膜 电沉积 掺杂浓度 光致发光
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Mn,Cu掺杂对ZnS∶Mn,Cu电致发光材料亮度的影响
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作者 刘东州 侯志青 宋建民 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期128-130,共3页
采用水热法制备了ZnS∶Mn,Cu电致发光材料,利用透射电镜对发光材料的结构和形貌进行表征,并且探讨了Cu2+、Mn2+掺杂量和反应温度对ZnS∶Mn,Cu发光材料亮度的影响。结果显示,随着Cu2+、Mn2+掺杂量的增加,发光材料的亮度也随之增加,但对于... 采用水热法制备了ZnS∶Mn,Cu电致发光材料,利用透射电镜对发光材料的结构和形貌进行表征,并且探讨了Cu2+、Mn2+掺杂量和反应温度对ZnS∶Mn,Cu发光材料亮度的影响。结果显示,随着Cu2+、Mn2+掺杂量的增加,发光材料的亮度也随之增加,但对于Cu2+、Mn2+掺杂都存在最佳值,当Cu2+掺杂量0.2%,Mn2+掺杂量4%,温度150℃时,得到的电致发光材料亮度较高,粒径约10nm左右。 展开更多
关键词 水热法 zns∶Mn cu 电致发光材料
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纳米ZnS∶Cu薄膜及谐振腔的制备与特性研究 被引量:1
7
作者 秦旭峰 茅惠兵 +2 位作者 侯士丽 王基庆 景为平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期412-415,共4页
采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS... 采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS∶Cu纳米薄膜荧光强度最强。在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6μm的ZnS∶Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰。经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3。 展开更多
关键词 znscu薄膜 光致发光 谐振腔
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高质量Cu_2ZnSnS_4薄膜的两步法制备及表征 被引量:1
8
作者 周珊珊 谭瑞琴 +3 位作者 姜欣 沈祥 许炜 宋伟杰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期396-402,共7页
采用直流磁控溅射方法,以Cu-Zn-Sn合金为靶材,结合后续硫化工艺成功制备出高质量Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和能量色散谱对Cu-Zn-Sn(CZT)前驱体及CZTS薄膜的结构、形貌和组分进行了表征,... 采用直流磁控溅射方法,以Cu-Zn-Sn合金为靶材,结合后续硫化工艺成功制备出高质量Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和能量色散谱对Cu-Zn-Sn(CZT)前驱体及CZTS薄膜的结构、形貌和组分进行了表征,并使用紫外-可见分光光度计测量了CZTS薄膜的吸收光谱。研究结果表明:直流溅射的溅射功率和工作气压会影响CZTS薄膜的质量。采用30 W功率,在1 Pa气压条件下直流溅射制备的CZT前驱体薄膜形貌均匀致密,经硫化后可得到接近化学计量比、高质量、单一锌黄锡矿结构的CZTS薄膜,其光学禁带宽度约为1.49 eV,适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 CZTS薄膜 cuzn-Sn合金靶 两步法
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铜层厚度及退火温度对ZnS/Cu/ZnS复合薄膜显微结构与性能的影响
9
作者 王梦慧 易叶帆 +4 位作者 鲍恩成 饶项炜 李晓涵 刘劲松 李子全 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期47-51,共5页
采用磁控溅射技术制备了不同铜层厚度的ZnS/Cu/ZnS复合薄膜,并在不同温度(100~300℃)下对其进行退火处理,研究了铜层厚度和退火温度对复合薄膜物相、表面形貌、透光率和表面电阻等的影响。结果表明:随着铜层厚度增加,复合薄膜的表面... 采用磁控溅射技术制备了不同铜层厚度的ZnS/Cu/ZnS复合薄膜,并在不同温度(100~300℃)下对其进行退火处理,研究了铜层厚度和退火温度对复合薄膜物相、表面形貌、透光率和表面电阻等的影响。结果表明:随着铜层厚度增加,复合薄膜的表面粗糙度逐渐减小后趋于平缓,方块电阻逐渐下降;当铜层厚度为16nm时,复合薄膜的最高透光率最大为87%,方块电阻为62.5Ω;随着退火温度升高,复合薄膜中ZnS层结晶性增强,表面出现颗粒团簇;在100℃退火后,铜层厚度为16nm的复合薄膜的最高透光率为89%,方块电阻为46.3Ω。 展开更多
关键词 zns/cu/zns复合薄膜 退火温度 透光率 电阻
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Study on Microcrystaline Structure and Luminescence of ZnS Thin Film Devices
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作者 WANG Yu-jiang, CHEN Mou-zhi, SUN Zhen-ning, LIU Rui-ta ng, LI Jie, CHEN Shang-wei (Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China) 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期176-177,共1页
The Electroluminescence thin films of zinc sulfide do ped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by the technology of X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectrosc opy ... The Electroluminescence thin films of zinc sulfide do ped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by the technology of X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectrosc opy (XPS). The relationship between electroluminescence brightness and microst ructure of the thin films is obtained. The analysis results of XRD indicate th at the fabricated zinc sulfide thin films belong to the blende structure and hav e a trend of preferential orientation. The XPS measurements reveal the surface m icrostructure states formed mainly by oxygen absorption and carbon absorption th at effect on the EL excitation and relaxation luminescence process. The maximum photoelectron peak corresponding to the doped erbium is detected at a depth of 1 35nm to 350nm that formed the activation layer in the films. Analysis shows that the high brightness of the film devices is attributed to the crystalline planes of growth orientated in the (311), (400). In explanation of this phenomenon, th e status of the substitute energy for Er 3+ replacing Zn 2+ in the hos t lattice of zinc sulfide is discussed. All results of describing above are referable in researching of the electroluminescence excitation machnism of the t hin film devices and in favor of fabricating the thin film devices with high qua lity. 展开更多
关键词 electroluminescENCE zns thin film microstru cture
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Magnetic Properties of NiCuZn Ferrite Thin Films Prepared by the Sol-gel Method
11
作者 刘锋 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2007年第3期506-509,共4页
Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4 thin films were fabricated on Si substrates by using the sol-gel method and rapid thermal annealing (RTA), and their magnetic properties and crystalline structures were investigated. The samples... Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4 thin films were fabricated on Si substrates by using the sol-gel method and rapid thermal annealing (RTA), and their magnetic properties and crystalline structures were investigated. The samples calcined at and above 600 ℃ have a single-phase spinel structure and the average grain size of the sample calcined at 600 ℃ is about 20 nm. The initial permeability μi, saturation magnetization M and coercivity H of the samples increase with the increasing calcination temperature. The sample calcined at 600 ℃ exhibits an excellent soft magnetic performance, which has μi=33.97 (10 MHz), Hc=15.62 Oe and Ms=228.877 emu/cm^3. Low-temperature annealing can enhance the magnetic properties of the samples. The work shows that using the sol-gel method in conjunction with RTA is a promising way to fabricate integrated thin-film devices. 展开更多
关键词 Ni0.4cu0.2zn0.4Fe2O4 thin films sol-gel-method rapid thermal processing magnetic properties
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Preparation and Characterization of Cu-Zn Nano-Structural Ferrite Thin Films Produced by Pulsed Laser Deposition (PLD)
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作者 Abdul Gaffoor Dachepalli Ravinder 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2013年第1期50-53,共4页
Cu-Zn ferrite nano thin films were deposited from a target of Cu-Zn ferrite onto a sapphire substrate using XeCl excimer laser operating 308 nm with an energy of 225 mJ and a frequency of 30 Hz. Films were deposited f... Cu-Zn ferrite nano thin films were deposited from a target of Cu-Zn ferrite onto a sapphire substrate using XeCl excimer laser operating 308 nm with an energy of 225 mJ and a frequency of 30 Hz. Films were deposited from the target onto sapphire (001) substrates heated to 650℃ in an oxygen atmosphere of 100 mTorr. The laser beam was incident On the target face at an angle of 45°. Studies on crystal structure were done by X-ray diffactometry (XRD). The surface texture, cross-section morphology and grain size was observed by JEOL-JSM-6400 scanning electron microscopy, atomic force microscopy (AFM) and magnetic force microscopy (MFM) [Model DI 3000, Digital instruments]. 展开更多
关键词 Nano-Structural THIN filmS Pulsed Laser Deposition cu-zn FERRITE NANO THIN filmS
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ZnS基电致发光薄膜及其制备方法 被引量:6
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作者 王宝义 张仁刚 +2 位作者 万冬云 王雨田 魏龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第11期33-35,29,共4页
ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问... ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势。 展开更多
关键词 zns基电致发光薄膜 蒸发法 溅射法 化学气相沉积法 外延法 溶胶-凝胶法
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变色的ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn薄膜电致发光的研究 被引量:5
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作者 唐春玖 赵伟明 +4 位作者 王林军 陈忠传 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期317-321,共5页
利用ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn多层结构,得到了一种可变颜色的薄膜电致发光器件。研究了这一器件的发射光谱随电压和频率的变化,并讨论了随电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带的不同增长的原因,以及在不同电压下,发射光谱中蓝带和黄带随频率... 利用ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn多层结构,得到了一种可变颜色的薄膜电致发光器件。研究了这一器件的发射光谱随电压和频率的变化,并讨论了随电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带的不同增长的原因,以及在不同电压下,发射光谱中蓝带和黄带随频率变化的不同趋势的原因。观察到随驱动频率的增加,发射光谱出现黄-蓝色位移。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 发光材料
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Cu-Zn掺杂对TiN复合膜层组织性能的调制 被引量:3
15
作者 韦春贝 巩春志 +1 位作者 田修波 杨士勤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1231-1235,共5页
利用磁控溅射方法在不锈钢表面沉积了Cu-Zn掺杂TiN复合膜,研究不同的Cu、Zn含量对膜层结构和性能(硬度、耐磨性能以及耐腐蚀性能)的影响.结果表明,掺杂的Cu、Zn可以阻止TiN晶粒生长,随掺杂量增加TiN晶粒细化,Cu、Zn含量比较高时由于金... 利用磁控溅射方法在不锈钢表面沉积了Cu-Zn掺杂TiN复合膜,研究不同的Cu、Zn含量对膜层结构和性能(硬度、耐磨性能以及耐腐蚀性能)的影响.结果表明,掺杂的Cu、Zn可以阻止TiN晶粒生长,随掺杂量增加TiN晶粒细化,Cu、Zn含量比较高时由于金属相长大而使膜层组织粗化.当Cu≤10.38at%,Zn≤2.19at%时,TiN以(111)晶向择优生长,且随掺杂量增加TiN(200)晶向逐渐增强.XPS结果表明膜层主要由TiN和单质Cu组成.当掺杂Cu为10.38at%、Zn为2.19at%时,复合膜具有较高的硬度和较好的耐磨性能.尽管耐腐蚀性能随着Cu、Zn含量的增加而下降,但少量的Cu-Zn掺杂可显著提高膜层钝化能力. 展开更多
关键词 磁控溅射 TiN复合膜 cu-zn掺杂
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覆膜旱作对稻田土壤有效Fe、Mn、Zn、Cu含量的影响 被引量:3
16
作者 刘铭 吴良欢 +1 位作者 路兴花 张福锁 《浙江大学学报(农业与生命科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期646-649,共4页
以常规水作和裸地旱作作对照,对覆膜旱作栽培条件下稻田0~60cm土层土壤有效Fe、Mn、Zn、Cu含量变化进行了研究.结果表明:与常规水作相比,覆膜旱作稻田土壤有效铁含量在0~10cm土层略有下降,10~20cm土层有所增加,20~60cm土层相差不大;... 以常规水作和裸地旱作作对照,对覆膜旱作栽培条件下稻田0~60cm土层土壤有效Fe、Mn、Zn、Cu含量变化进行了研究.结果表明:与常规水作相比,覆膜旱作稻田土壤有效铁含量在0~10cm土层略有下降,10~20cm土层有所增加,20~60cm土层相差不大;0~15cm土层土壤有效锌的含量有所上升,而在15~60cm土层中趋向一致;0~15cm土层土壤有效Mn含量有所下降,有效Cu含量变化不大.与裸地旱作相比,覆膜旱作增加了稻田0~20cm土层中土壤有效铁、0~15cm土层中有效锌含量,降低了0~5cm土层中有效锰含量,有效铜含量变化不大. 展开更多
关键词 覆膜旱作 有效Fe、Mn、zncu含量 水稻土
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络合剂对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响 被引量:2
17
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期382-385,共4页
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄... 采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差。用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) 络合剂 zns薄膜 cu(In Ga)Se2太阳电
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ZnS:Mn薄膜电致发光器件中的局域电场 被引量:1
18
作者 李云白 侯延冰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期482-485,共4页
研究了在薄膜电致发光器件中,ZnS∶Mn光学吸收边附近能带受电场的影响,通过对带边附近电致吸收的研究推导出薄膜电致发光器件发光层内存在局域电场。在电场作用下,ZnS薄膜的Franz-Keldysh效应主要发生在带尾附... 研究了在薄膜电致发光器件中,ZnS∶Mn光学吸收边附近能带受电场的影响,通过对带边附近电致吸收的研究推导出薄膜电致发光器件发光层内存在局域电场。在电场作用下,ZnS薄膜的Franz-Keldysh效应主要发生在带尾附近,带尾的局域态吸收受电场的影响引起的增加导致光学吸收边的红移。薄膜电致发光器件在强电场作用下,缺陷和杂质电离产生的局域化电场使得电场分布不均匀。当电场接近ZnS击穿强度时,薄膜的吸收系数随电场强度的变化偏离Franz-Keldysh效应所遵循的指数关系。这是由于杂质和缺陷电离产生的局域电场导致发光层中的平均电场强度和外电加电压不成线性关系,此平均电场强度高于外电场强度。 展开更多
关键词 zns:MN 电致发光器件 薄膜 局域电场
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ZnS:Mn薄膜电致发光器件中的电子能量
19
作者 赵辉 王永生 +2 位作者 徐征 杨盛谊 徐叙■ 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期531-532,共2页
分析了电致发光的物理过程,讨论了用MonteCarlo方法研究电子加速过程的基本思路。在此基础上,研究了ZnS:Mn薄膜电致发光器件中的电子能量,得出了电子功能分布函数与时间、电场的关系及其在不同能谷中的特点。同时研究了电子的平均... 分析了电致发光的物理过程,讨论了用MonteCarlo方法研究电子加速过程的基本思路。在此基础上,研究了ZnS:Mn薄膜电致发光器件中的电子能量,得出了电子功能分布函数与时间、电场的关系及其在不同能谷中的特点。同时研究了电子的平均动能、平均势能与电场的关系。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 电子输运 MonteCarlo方法
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陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备
20
作者 喻志农 薛唯 +1 位作者 蒋玉蓉 卢维强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期153-155,165,共4页
为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得... 为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn+的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性. 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 无机电致发光显示器 zns:Mn发光层
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