一种抗辐射16位80 MSPS A/D转换器设计

为满足航天电子系统对高速高精度16位A/D转换器的需求,设计了一种流水线型16位80 MSPS A/D转换器,内核采用“3+4+3+3+3+3+3”七级流水线,前端缓冲器用于减小第一级MDAC采样网络回踢信号对A/D转换器线性度的影响。采用环栅器件、N+/P+双环版图等设计加固技术。A/D转换器采用0.18μm CMOS工艺,工作电源电压为3.3 V和1.8 V,在时钟输入频率为80 MHz和模拟输入频率为36.1 MHz时,ADC的功耗≤1.1 W、信噪比SNR≥73.8 dB、无杂散动态范围SFDR≥88 dBFS。电离总剂量150 krad(Si)辐照后,ADC的信噪比SNR变化量≤0.3 dB、无杂散动态范围SFDR变化量≤1 dB;Bi离子辐照下ADC的电流增加≤4 mA。

1-15 Nucleon Pole Contribution in the pp→ppK+K- Reaction below the Φ Meson Threshold

The meson production in nucleon-nucleon collisions near threshold has the potential to gain information onhadron properties and also plays an important role in exploring the baryon spectroscopy[1]. In recent years, theexperimental database on the reaction of pp!ppK+K near threshold has been expanded significantly. In additionto the measurements of the total and differential cross sections, below the threshold of the production of the ?meson, performed experimentally with COSY-11 and ANKE detectors at the cooler synchrotron COSY in Germany,invariant mass distributions of various subsystems have been obtained at low energies. Unlike above the thresholdof the production of the ? meson, in the low energy region, we do not need to separate the non-? from the ?contribution, and due to the fact that the data were spread over a wide range of K+K?? invariant masses, it has aspecial advantage to investigate the scalar mesons a0(980)$ and f0(980) which are dynamically generated from theinteractions of K￣ K, ππ, and πη treated as coupled channels in I=0 and I=1, respectively. Both of them couplestrongly to the K￣K channel.

基于单GM计数管的宽量程γ监测仪研究

以单GM计数管宽量程探测技术实用化为目的,介绍了单GM计数管宽量程探测技术原理,开发了宽量程探测模块,并基于该探测模块设计了宽量程γ监测仪硬件与软件。对所研制的工程样机进行了实验测试,包括剂量率测试、累积剂量测试及过载测试等。实验结果表明:基于国产J305低量程计数管研制的工程样机测量范围至少包括本底至10 Gy·h-1共8个量级,整个测量范围内固有相对偏差小于7%;当剂量率高于5μGy·h-1时,变异系数小于7%;累积剂量测量相对偏差仅为0.2%;采用大剂量率照射未出现过载现象。基于单GM计数管的宽量程γ监测仪符合剂量监测设备测量要求,可应用于从本底到核事故大范围的γ剂量率监测,在核电行业和辐照站等涉核单位有广阔的应用前景。

粒子加速器辐射剂量测量方法及应用

本文简要概述了粒子加速器周围环境辐射场的特点,并且与反应堆核电站等核设施的辐射场作了比较。针对辐射场的特点,建立了三种辐射剂量测量方法:(1)环境低辐射水平中子、γ剂量测量方法;(2)脉冲中子、γ辐射剂量测量方法;(3)宽能区(0.025 eV^1 000 MeV以上)中子辐射剂量测量方法。同时介绍了辐射监测数据的采集与处理系统。最后说明了辐射监测系统的推广应用情况。

国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应（ELDRS）,且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。

功率半导体器件辐射效应综述

功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。

双G-M管宽量程辐射探测器设计

将Time-to-Count技术方法应用于双G-M计数管的辐射探测器,设计了G-M计数管高压快速充电电路和控制高低量程GM计数管工作切换的电路,测试结果表明:双G-M计数管辐射探测器的量程跨度达9个数量级,测量上限达15 Sv/h以上,实现了高低量程的平滑切换,还验证了探测器的稳定性和可靠性。