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用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性 被引量:5
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作者 匡跃军 李伟 +4 位作者 廖乃镘 蒋亚东 宋震 黄清海 祁康成 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期829-832,共4页
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜。分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用T... 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜。分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙。 展开更多
关键词 椭偏法 掺磷a-si:H薄膜 光学常数
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工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响 被引量:3
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作者 陆晓东 张鹏 +3 位作者 周涛 赵洋 李媛 吕航 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1247-1253,共7页
先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响。研究表明:TM模受有... 先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响。研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、Si Nx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键。 展开更多
关键词 a-si太阳电池 纳米压印 工艺偏差
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掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构 被引量:6
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作者 陈维德 梁建军 王永谦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期988-992,共5页
采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光... 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 . 展开更多
关键词 掺铒 a-si:H O薄膜 光致发光 微结构 半导体
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HWCVD工艺参数对a-Si∶H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究 被引量:5
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作者 何玉平 黄海宾 +3 位作者 周浪 宁武涛 袁吉仁 李丹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期22067-22070,22073,共5页
采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增... 采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大;(2)热丝衬底间距4.0cm相比7.5cm沉积的a-Si∶H薄膜微观结构中,SiH2键相比SiH键的比例更高,钝化效果也更好;(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4.0cm时气压1.5Pa,沉积电流21.5A情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2.9cm/s。 展开更多
关键词 HWCVD a-si∶H 钝化 ε_(2) FT-IR SiH_(n) 微观结构参数R^(*)
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Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能 被引量:4
5
作者 王瑞春 杜丕一 +1 位作者 翁文剑 韩高荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1067-1072,共6页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 ... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 .结果表明 ,Al/a Si∶H复合薄膜在不高于 2 5 0℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相 .退火温度越高 ,Al层越厚 ,形成多晶硅的量越多 .Al/a Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a Si∶H中掺杂效应的影响 ,比纯a Si∶H薄膜的大 .随着硅晶体相在复合薄膜中的生成 ,复合薄膜的电导率受晶相比控制 ,晶相比增加 ,电导率增大 . 展开更多
关键词 Al/a-si:H复合薄膜 Al诱导晶化 多晶硅 晶相比 电导率
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Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System 被引量:2
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作者 胡跃辉 吴越颖 +3 位作者 陈光华 王青 张文理 阴生毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期613-619,共7页
The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic ... The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic field profiles is obtained quantitatively by using Lorentz fit.The results indicate that the gradient value of the magnetic field profile near by the substrate,which is produced by a coil current with 137.7A if a SmCo permanent magnet is equipped under the substrate holder,is the largest;when the SmCo permanent magnet is taken away,the larger one is produced by the coil current with 137.7A and the smallest one produced by a coil current with 115.2A.High deposition rate of a-Si∶H film is observed near by the substrate with high magnetic field gradient.But uneven deposition rate along the radius of the sample holder is also found by infrared analysis technology when sample is deposited in magnetic field profile,which is produced by the coil current with 137.7A if the SmCo permanent magnet is equipped under the substrate holder. 展开更多
关键词 magnetic field gradient Lorentz fit a-si∶H film deposition rate MWECR CVD deposition system
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Al诱导a-Si:H薄膜的晶化 被引量:9
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作者 祁菁 金晶 +1 位作者 胡海龙 贺德衍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期57-60,共4页
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)... 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)结晶取向的多晶Si薄膜。X射线光电子能谱分析表明 ,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度。 展开更多
关键词 a-si:H薄膜 SI衬底 非晶硅 幅度 等离子体化学气相沉积 晶化 单晶 结晶取向 热处理过程 成核
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H_2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响 被引量:2
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作者 乔泳彭 蒋百灵 +2 位作者 鲁媛媛 牛毅 张岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2280-2287,共8页
采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响。结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无... 采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响。结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善。同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势。最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 H 流量 a-si H薄膜 光学性能
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用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析 被引量:1
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作者 张彤 王丽杰 +3 位作者 许武 郭小军 赵毅 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第4期286-292,共7页
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O... 在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。 展开更多
关键词 OLED a-si TFT 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟
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a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究 被引量:2
10
作者 王瑞春 杜丕一 +4 位作者 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期234-238,共5页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a 展开更多
关键词 a-si:H/Al/a-si:H三层复合膜 低温晶化 多晶硅 铝诱导 真空热蒸发 半导体薄膜 PECVD
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a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展 被引量:2
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作者 周冬兰 甘志凯 +1 位作者 廖丹 程彩虹 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期744-746,共3页
a-Si:H薄膜太阳电池由于成本低,适于大规模工业化生产而成为现阶段研究的热点,然而其转换效率低于晶体硅太阳电池。介绍了a-Si:H薄膜太阳电池的结构及原理,总结了目前国内外a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展,并对未来发展前景进行了展望。
关键词 a-si:H薄膜太阳电池 材料 结构
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μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质 被引量:1
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作者 郑家贵 冯良桓 +4 位作者 蔡伟 黄天荃 蔡亚平 罗昭和 周心明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期54-61,共8页
我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯... 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论. 展开更多
关键词 非晶硅 半导体 多层膜 制造 a-si:H
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用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究 被引量:2
13
作者 岳瑞峰 董良 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期277-281,共5页
采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17... 采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。 展开更多
关键词 a-si薄膜 室温红外探测器 PECVD 热敏材料 硼掺杂 电阻温度系数
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低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用 被引量:2
14
作者 耿新华 孟志国 +1 位作者 陆靖谷 孙仲林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期247-254,共8页
为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池... 为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池的实验情况做了详细的介绍,并对实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 太阳能电池 a-si n^+μc-Si 低温
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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 被引量:2
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作者 林鸿生 马雷 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 光诱导性能衰退 a-si:H隙态密度分布 Newton-Raphson解法 稳定性 a-si:H太阳能电池 硅太阳能电池
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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究 被引量:2
16
作者 崔毅 王宝辉 张力 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第5期620-622,共3页
采用表面光电压谱和光电化学方法 ,对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a- Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究 ,测定了 a- Si:H薄膜的能带结构 ,为 a-
关键词 a-si:H薄膜 氢化非晶硅 表面光电压谱 光电化学 半导体材料
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a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析 被引量:7
17
作者 林鸿生 马雷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期470-475,495,共7页
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )... 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- 展开更多
关键词 太阳能电池 a-si/c-Si异质结结构 牛顿-拉普森解法 氢化非晶硅隙态密度 载流子收集 物理模型
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a-Si∶HTFT的寄生效应 被引量:1
18
作者 宋跃 邹雪城 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期391-395,共5页
a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,... a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法 . 展开更多
关键词 a-si:H TFT 寄生效应 电力线 物理寄生电容 补偿电容 液晶显示器
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μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应 被引量:1
19
作者 徐明 王洪涛 +5 位作者 冯良桓 周心明 蔡亚平 冯技文 徐宁 麦振洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期435-439,共5页
利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸... 利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 . 展开更多
关键词 射频辉光放电法 周期性结构 μc-Si:H/a-si:H多层膜 量子尺寸效应 半导体
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a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述 被引量:5
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作者 冯团辉 卢景霄 +3 位作者 张宇翔 郜小勇 王海燕 靳锐敏 《能源工程》 2004年第6期20-23,共4页
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
关键词 再结晶 激光晶化 炉子 金属 快速热退火 a-si:H薄膜 非晶硅薄膜 研究成果
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