浅谈电泳槽倒槽的方法与注意事项

探讨阴极电泳槽倒槽方法、异常处理及注意事项,为提高阴极电泳系统的稳定性,确保整车防腐性能积累经验。

低MU对不同加速器X射线剂量学影响的研究

目的通过研究低MU对医科达Precise、医科达Synergy、瓦里安21CX三台加速器X射线剂量学的影响,设置计划系统的优化参数。方法测量三台加速器在不同MU下输出剂量的线性、剂量分布均匀度和射线质3种描述射线束基本特性的参数。结果在1≤MU<5时,每个MU的剂量差别≤1.9%,当MU≥5时,每个MU的剂量差别≤0.8%。MU≥3时三台加速器的平坦度、对称性、射线质误差均在允许范围内。结论不同型号加速器参数不同,低MU对加速器的影响大小是不同的,因此要定期测量加速器的启动特性。

HT加速器参数调整对射线质及横截面剂量分布影响

研究HT机器参数电子枪电流IC、电子枪电压IV和磁控管脉冲PFN的改变对射线质（D20/D10）及射野横截面剂量分布（Profile）的影响规律,以提高对剂量稳定性的QC。方法 改变IC 、IV 和PFN值,采用电离室和TomoDose分别测出各情况下的射线质和Profile,对射线质数据进行Pearson法相关分析,对Profile数据进行比较分析。结果 对于射线质：IV和PFN与射线质均无相关性（P〉0.05）,IC与射线质有强相关性（P=0.007）且随IC增大能量比降低。对于x方向上的Profile：（1）主射野区域（-200~200 mm）,随IC增大Profile肩区明显呈规律性上升;IV从6.42 V增大到6.54 V时Profile无变化,IV=6.60 V时Profile肩区上升到最高点,之后Profile随IV增大而下降;随PFN增大Profile肩区明显呈规律性下降;（2）半影区（±200 mm以外的区域）,IC、 IV和PFN对Profile都无影响。对于y方向上的Profile：（1）主射野区域（-20~20 mm）,IC取5.40和5.46 V时在离轴距〈16 mm区域内Profile才可见上升趋势,但整体上Profile肩区随IC增大而上升;IV和PFN对Profile无影响;（2）半影区（±20 mm以外区域）,Profile随IV增大规律性下降,IC和PFN对Profile无影响。3个参数在主射野区域对Profile影响显著程度大小依次为IC、PFN和IV,半影区对Profile有影响的只有IV。结论 调节射线质时应以IC值为主,PFN作为辅助进行微调;调节Profile时主射野区域应以调节IC为主、IV为辅,半影区的调节只涉及到y方向 Profile,应调节IV。研究结果对射线质和Profile的QC具有指导性作用,能减少QC的盲目性,节省时间。