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Enhancement of Frster energy transfer from thermally activated delayed fluorophores layer to ultrathin phosphor layer for high color stability in non-doped hybrid white organic light-emitting devices 被引量:1
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作者 王子君 赵娟 +2 位作者 周畅 祁一歌 于军胜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期404-410,共7页
Fluorescence/phosphorescence hybrid white organic light-emitting devices(WOLEDs) based on double emitting layers(EMLs) with high color stability are fabricated.The simplified EMLs consist of a non-doped blue therm... Fluorescence/phosphorescence hybrid white organic light-emitting devices(WOLEDs) based on double emitting layers(EMLs) with high color stability are fabricated.The simplified EMLs consist of a non-doped blue thermally activated delayed fluorescence(TADF) layer using 9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine-diphenylsulfone(DMAC-DPS) and an ultrathin non-doped yellow phosphorescence layer employing bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2']iridium(acetylacetonate)((tbt)_2Ir(acac)).Two kinds of materials of 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen) and 1,3,5-tris(2-Nphenylbenzimidazolyl) benzene(TPBi) are selected as the electron transporting layer(ETL),and the thickness of yellow EML is adjusted to optimize device performance.The device based on a 0.3-nm-thick yellow EML and Bphen exhibits high color stability with a slight Commission International de l'Eclairage(CIE) coordinates variation of(0.017,0.009) at a luminance ranging from 52 cd/m^2 to 6998 cd/m^2.The TPBi-based device yields a high efficiency with a maximum external quantum efficiency(EQE),current efficiency,and power efficiency of 10%,21.1 cd/A,and 21.3 lm/W,respectively.The ultrathin yellow EML suppresses hole trapping and short-radius Dexter energy transfer,so that Forster energy transfer(FRET)from DMAC-DPS to(tbt)_2Ir(acac) is dominant,which is beneficial to keep the color stable.The employment of TPBi with higher triplet excited state effectively alleviates the triplet exciton quenching by ETL to improve device efficiency. 展开更多
关键词 white organic light-emitting devices non-doped emitting layers thermally activated delayed fluo-rescence color stability
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Temperature effects on photoluminescence of YAG:Ce^(3+) phosphor and performance in white light-emitting diodes 被引量:21
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作者 张艳芳 李岚 +1 位作者 张晓松 奚群 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期446-449,共4页
The well crystalline YAG:Ce^3+ phosphor was synthesized by sold-state method, and the temperature dependence of excitation and emission spectra of YAG:Ce^3+ phosphor were investigated in the temperature range from... The well crystalline YAG:Ce^3+ phosphor was synthesized by sold-state method, and the temperature dependence of excitation and emission spectra of YAG:Ce^3+ phosphor were investigated in the temperature range from room temperature to 573 K. With temperature increasing, it was noted that the emission intensity of as-repared phosphors decreased considerably more rapidly when pumped by 460 nm than by 340 nm. The temperature-intensity curves under different excitation wavelengths were obtained using an Arrhenius function, and the corresponding activation energies were also obtained respectively. Thus, the experimental phenomenon was discussed in terms of nonradiative decay rate. The effects of as-prepared phosphors on the performance of the white LED with changing temperature were also studied. 展开更多
关键词 white light-emitting diodes YAG: Ce^3+ activation energy nonradiative decay rate rare earths
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Evaluation and Enhanced Use of Light Emitting Diodes for Hydroponics
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作者 Jayasanka RANAWEERA Siripala RANAWEERA Clarence W.DE SILVA 《Instrumentation》 2019年第3期18-27,共10页
Hydroponic farming is a viable and economical farming method,which can produce safe and healthy greens and vegetables conveniently and at a relatively low cost.It is essential to provide supplemental lighting for crop... Hydroponic farming is a viable and economical farming method,which can produce safe and healthy greens and vegetables conveniently and at a relatively low cost.It is essential to provide supplemental lighting for crops grown in greenhouses to meet the daily light requirement,Daily Light Integral(DLI).The present paper investigates how effectively and efficiently LEDs can be used as a light source in hydroponics.It is important for a hydroponic grower to assess the requirement of photo synthetically active radiation(PAR)or the Photosynthetic Photon Flux Density(PPFD),in a greenhouse,and adjust the quality and quantity of supplemental lighting accordingly.A Quantum sensor(or PAR sensor)can measure PAR more accurately than a digital light meter,which measures the light intensity or illuminance in the SI unit Lux,but a PAR sensor is relatively expensive and normally not affordable by an ordinary farmer.Therefore,based on the present investigation and experimental results,a very simple way to convert light intensity measured with a Lux meter into PAR is proposed,using a simple conversion factor(41.75 according to the present work).This allows a small-scale hydroponic farmer to use a simple and inexpensive technique to assess the day to day DLI values of PAR in a greenhouse accurately using just an inexpensive light meter.The present paper also proposes a more efficient way of using LED light panels in a hydroponic system.By moving the LED light panels closer to the crop,LED light source can use a fewer number of LEDs to produce the same required daily light requirement and can increase the efficiency of the power usage to more than 80%.Specifically,the present work has determined that it is important to design more efficient vertically movable LED light panels with capabilities of switching individual LEDs on and off,for the use in greenhouses.This allows a user to control the number of LEDs that can be lit at a particular time,as required.By doing so it is possible to increase the efficiency of a LED lighting system by reducing its cost of the electricity usage. 展开更多
关键词 HYDROPONICS Grow lights light emitting Diodes(LEDs) Photosynthesis Photosynthetic active Radiation(PAR) Photosynthetic Photon Flux Density(PPFD) HPS(High Pressure Sodium) HID(High Intensity Discharge) Daily light Integral(DLI) Quantum Sensor Digital light Meter(Lux meter)
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Design of compensation pixel circuit with In-Zn-O thin film transistor for active-matrix organic light-emitting diode 3D display 被引量:1
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作者 Xiao HU Xingheng XIA +2 位作者 Lei ZHOU Lirong ZHANG Weijing WU 《Frontiers of Optoelectronics》 EI CSCD 2017年第1期45-50,共6页
This paper presents a new compensation pixe] circuit suitable for active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) stereoscopic three dimensional (3D~ displays with shutter glasses. The simultaneous emissio~ met... This paper presents a new compensation pixe] circuit suitable for active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) stereoscopic three dimensional (3D~ displays with shutter glasses. The simultaneous emissio~ method was used to solve the crosstalk problem, in which the periods of initialization and threshold voltage detectio11 occur for each pixel of whole panel simultaneously. Furthermore, there was no need of the periods of initialization and threshold voltage detection from the second frame beginning by one-time detection method. employing threshold voltage The non-uniformity of the proposed pixel circuit was considerably low with an average value of 8.6% measured from 20 discrete proposed pixel circuits integrated by In-Zn-O thin film transistors (IZO TFTs). It was shown that the OLED current almost remains constant for the number of frames up to 70 even the threshold voltage detection period only exists in the first frame. 展开更多
关键词 active-matrix organic light-emitting diode(AMOLED) compensation pixel circuit three dimensional(3D) display simultaneous emission
原文传递
基于2-氰基吡啶电子受体的热激活延迟荧光材料
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作者 汪青松 张富俊 +5 位作者 徐慧慧 陈思浛 张千峰 童碧海 陈平 孔辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期73-83,共11页
合成了4种以2-氰基吡啶为电子受体的发光材料,考察了不同电子给体对材料发光性能的影响.研究结果表明,化合物5-(10H-吩噻嗪-10-基)吡啶腈(PTPN)的单晶结构中,吡啶环之间的分子间氢键及吩噻嗪基团之间的C-H···π分子间相... 合成了4种以2-氰基吡啶为电子受体的发光材料,考察了不同电子给体对材料发光性能的影响.研究结果表明,化合物5-(10H-吩噻嗪-10-基)吡啶腈(PTPN)的单晶结构中,吡啶环之间的分子间氢键及吩噻嗪基团之间的C-H···π分子间相互作用使吡啶环与噻吩基团之间形成共平面的构型,导致其发光由薄膜中的520 nm蓝移至400 nm.4种化合物在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜中的发光波长在434~520 nm之间.化合物5-(10H-吩噁嗪-10-基)吡啶腈(PXPN),PTPN和5-[9,9-二甲基吖啶-10(9H)-基]吡啶腈(DAPN)的光致发光量子效率(PLQY)在0.17~0.57之间,具有热激活延迟荧光(TADF)发光性质,延迟荧光寿命在4.1~5.3μs之间,单重态/三重态能隙(ΔEST)在0.045~0.069 eV之间.化合物5-(3,6-二叔丁基-9H-咔唑-9-基)吡啶腈(BCPN)的PLQY为0.91,发光寿命为12.4 ns,为荧光发射.电致发光器件性能测试表明,4种材料均发射绿光,其中DAPN的综合器件性能最佳,掺杂器件的最大亮度可达2855 cd/m^(2),峰值电流效率(CE)、功率效率(PE)和外量子效率(EQE)分别为37.6 cd/A,12.6 lm/W和10.4%.基于化合物BCPN的器件形成了高效的电致激基复合物,器件的最大亮度可达2367 cd/m^(2),峰值CE,PE和EQE分别为29.3 cd/A,11.5 lm/W和9.4%.该研究表明,氰基吡啶受体能形成稳定的分子间氢键,可用于TADF材料的开发. 展开更多
关键词 热激活延迟荧光 有机电致发光 氰基吡啶 电子受体
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Luminescent properties and application of Eu^(3+)-activated Gd_2(MoO_4)_3 red-emitting phosphor with pseudo-pompon shape for solid-state lighting 被引量:14
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作者 贺香红 关明云 +3 位作者 李中春 尚通明 连宁 周全法 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期878-882,共5页
Eu3+-activated Gd2(MoO4)3 pseudo-pompon-like red-emitting phosphors were prepared by solid-state method. The structure, morphology, and luminescent properties of these powder samples were investigated by X-ray diffrac... Eu3+-activated Gd2(MoO4)3 pseudo-pompon-like red-emitting phosphors were prepared by solid-state method. The structure, morphology, and luminescent properties of these powder samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and fluorescent spectrophotometry, respectively. The as-obtained phosphors were single crystalline phase with orthorhombic unit cell. The particles of the powder samples had the length of 5-12 m and width of 3-7 m with flake shape and large surface area, which is suitable for manufacture of white LEDs. The phosphor could be efficiently excited by the incident light of 348-425 nm, well matched with the output wavelength of near-UV (In,Ga)N chip, and re-emitted an intense red light peaking at 615 nm. By combing this phosphor with a ~395 nm-emitting (In,Ga)N chip, a red LED was fabricated, so that the applicability of this novel phosphor to white LEDs was confirmed. It is considered to be an efficient red-emitting conversion phosphor for solid-state lighting based on (In,Ga)N LEDs. 展开更多
关键词 Eu3+-activated Gd2(MoO4)3 phosphors pseudo-pompon-shaped red-emitting photoluminescem properties solid-state lighting rare earths
原文传递
一种LTPS-TFT AMOLED像素电路的理论研究 被引量:3
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作者 皇甫鲁江 郑灿 +3 位作者 李云飞 刘利宾 朱健超 陈义鹏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第8期614-621,共8页
本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(V_(th))补偿像素电路进行了理论研究,分析了影响V_(th)补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFTV_(th)的获取精度和随后的保持精度决定。在V_(th)获取过程中,相关误差主要由驱动TFT... 本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(V_(th))补偿像素电路进行了理论研究,分析了影响V_(th)补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFTV_(th)的获取精度和随后的保持精度决定。在V_(th)获取过程中,相关误差主要由驱动TFT转移特性电流对存储电容充电的充电率不足产生;在显示信号与V_(th)叠加过程中,与V_(th)保持节点连接的电容增量等因素会造成V_(th)保持精度的损失。根据分析的结果,本文解释了高分辨率像素电路补偿效果下降的原因。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管 阈值电压补偿 像素电路
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Poly-SiTFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计 被引量:5
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作者 王丽杰 张彤 刘式墉 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期338-342,共5页
根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅薄膜晶体管(Poly SiTFT)的工作特性, 对Poly SiTFT有源驱动OLED的源极跟随型双管单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AIM Spice的模拟... 根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅薄膜晶体管(Poly SiTFT)的工作特性, 对Poly SiTFT有源驱动OLED的源极跟随型双管单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AIM Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化. 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜晶体管 有机电致发光 有源驱动 仿真模拟
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用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析 被引量:1
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作者 张彤 王丽杰 +3 位作者 许武 郭小军 赵毅 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第4期286-292,共7页
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O... 在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。 展开更多
关键词 OLED A-SI TFT 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟
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一种有源有机发光显示屏(AM-OLED)驱动电路的设计 被引量:2
10
作者 司玉娟 冯凯 +1 位作者 郎六琪 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期257-261,共5页
介绍一种有源有机发光显示屏(AM OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构。采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位... 介绍一种有源有机发光显示屏(AM OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底的设计方法和电路结构。采用互补的多晶硅TFT管设计屏上移位寄存器,传输门等模块,将部分外围驱动电路集成于OLED显示屏的衬底上,极大地减小了数据信号线的数目,降低了屏内信号线布线和屏外驱动电路的复杂程度。进一步讨论了利用复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计驱动AM OLED显示屏专用集成芯片的设计方案。 展开更多
关键词 有源有机发光显示器 多晶硅 薄膜晶体管 驱动电路 复杂可编程逻辑器件
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AM-OLED的像素电路集锦(一) 被引量:4
11
作者 应根裕 《现代显示》 2011年第5期11-21,共11页
用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的... 用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求(文章分为两期刊登,本篇为第一部分)。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管显示器 低温多晶硅 非晶硅 薄膜晶体管 像素电路
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AM-OLED的像素电路集锦(二) 被引量:3
12
作者 应根裕 《现代显示》 2011年第6期11-19,共9页
用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的... 用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求(文章分为两期刊登,本篇为第二部分)。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管显示器 低温多晶硅 非晶硅 薄膜晶体管 像素电路
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Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃的光学性质及研究进展 被引量:1
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作者 夏梦玲 刘超 +1 位作者 赵修建 韩建军 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期541-549,共9页
由于量子限域效应,尺寸可调的Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃在光学滤波片、非线性光学器件上的应用已经被广泛研究。玻璃中量子点的光学性质主要由量子点的尺寸、表面状态和周围基质环境决定,通过提高Se/Cd比可以有效地对量子点的表面缺陷进行... 由于量子限域效应,尺寸可调的Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃在光学滤波片、非线性光学器件上的应用已经被广泛研究。玻璃中量子点的光学性质主要由量子点的尺寸、表面状态和周围基质环境决定,通过提高Se/Cd比可以有效地对量子点的表面缺陷进行钝化,实现CdSe量子点的本征发光;进一步调整热处理制度可以促进Zn离子扩散进入CdSe量子点表面,形成CdSe/Cd_(1-x)Zn_xSe核壳结构,使得缺陷发光几乎完全猝灭,从而提高量子点的荧光量子效率;在玻璃中原位合成的CdS/ZnS核壳结构量子点的荧光量子效率可达到53%。随着基础研究中玻璃中Ⅱ-Ⅵ族量子点荧光效率的不断提高,发光二极管(LED)等小型发光器件的制造成为可能。为了满足实际需要,建立核壳结构中量子点表面钝化机理模型,进一步优化量子点荧光效率是下一步需要解决的问题。 展开更多
关键词 -Ⅵ族量子点掺杂玻璃 荧光调控 核壳结构量子点 量子效率 发光二极管( LED) light emitting DIODE (LED)
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甲基修饰的咔唑/二苯砜基AIE-TADF蓝光材料及其OLED器件 被引量:3
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作者 伍泽鑫 朱渊杰 +2 位作者 王泓中 王均安 贺英 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期87-97,共11页
以四甲基咔唑为电子给体(D)、二苯砜为电子受体(A)构建了具有D-A-D结构的纯有机咔唑/二苯砜衍生物——9,9’-[磺酰基双(3,1-亚苯基)]双(1,3,6,8-四甲基-9H-咔唑)(TMe-m SOCz).对所合成材料的光物理性能研究表明,TMe-m SOCz表现出明显的... 以四甲基咔唑为电子给体(D)、二苯砜为电子受体(A)构建了具有D-A-D结构的纯有机咔唑/二苯砜衍生物——9,9’-[磺酰基双(3,1-亚苯基)]双(1,3,6,8-四甲基-9H-咔唑)(TMe-m SOCz).对所合成材料的光物理性能研究表明,TMe-m SOCz表现出明显的聚集诱导发射(AIE)和热激活延迟荧光(TADF),延迟寿命和延迟荧光占比分别为2.26μs和47.7%,并具有良好的电化学稳定性和热稳定性.基于TMe-mSOCz作为非掺杂发光层制备了有机发光二极管(OLED)器件,其启亮电压(V_(on))为3.5 V,最大外量子效率为5.63%,国际照明委员会(CIE)坐标为(0.18,0.26).在1000 cd/m^(2)亮度下,非掺杂器件的效率滚降非常小(7.1%),色彩稳定性较好,其具有窄的半峰宽(FWHM=72 nm).研究结果表明,在传统TADF分子给受体间引入甲基修饰有利于开发具有AIE特性与更高效的D-A-D型TADF分子,这为基于AIE-TADF分子开发新型OLED器件提供了新途径. 展开更多
关键词 热激活延迟荧光 聚集诱导发射 咔唑基二苯砜衍生物 有机发光二极管 非掺杂器件
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Design on AM-OLED display control ASIC with high gray scale levels 被引量:4
15
作者 季渊 冉峰 +3 位作者 徐洪光 沈伟星 稽维贵 徐美华 《Journal of Shanghai University(English Edition)》 CAS 2011年第4期310-315,共6页
The paper puts forward a method on controlling the AM-OLED panel to display image with high gray scale levels. It also gives an ASIC design sample to implement this method. A twenty sub-fields scan scheme has been tak... The paper puts forward a method on controlling the AM-OLED panel to display image with high gray scale levels. It also gives an ASIC design sample to implement this method. A twenty sub-fields scan scheme has been taken into use in the chip to display 256 gray scale levels on a QVGA resolution AM-OLED display screen. The functions of image scaling and rotating have also been implemented for multiply application. The simulation and chip test result show that the chip design has met the design requirements. 展开更多
关键词 active matrix organic light emitting display (AM-OLED) ASIC design gray scale level sub-field image scaling image rotation
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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
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作者 张延召 秦志新 +9 位作者 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期91-95,共5页
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。 展开更多
关键词 p-AlxGa1-xN In气氛 激活能 深紫外LED
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一种兼具阈值电压与迁移率补偿功能的IGZO AM-OLED像素电路 被引量:1
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作者 李鼎 王春燕 +1 位作者 张超 黄晓东 《电子器件》 CAS 北大核心 2021年第6期1287-1291,共5页
提出一种呈5T2C结构的IGZO AM-OLED像素电路,以改善驱动管状态变化所导致的输出驱动电流稳定性问题。理论分析与仿真结果均表明:该电路不仅能够补偿驱动管阈值电压的漂移,而且能够补偿驱动管迁移率的漂移。基于仿真结果,即使在2V~9 V大... 提出一种呈5T2C结构的IGZO AM-OLED像素电路,以改善驱动管状态变化所导致的输出驱动电流稳定性问题。理论分析与仿真结果均表明:该电路不仅能够补偿驱动管阈值电压的漂移,而且能够补偿驱动管迁移率的漂移。基于仿真结果,即使在2V~9 V大范围输入电压信号的条件下,当驱动管的阈值电压变化±2 V时,驱动电流变化约为15.1%,当驱动管的迁移率变化±30%时,驱动电流变化约为9.6%。该像素电路可有效提升驱动电流的稳定性能。 展开更多
关键词 有源矩阵有机发光二极管 像素电路 铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 补偿
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以1,3-茚二酮为电子受体的热激活延迟荧光分子的合成及其在有机发光二极管中的应用
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作者 陈冬阳 刘伟 +2 位作者 王凯 郑才俊 张晓宏 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期698-711,共14页
本文设计合成了一种新型电子受体2,2-二甲基-1,3-茚二酮,并将其应用于热激活延迟荧光(TADF)分子的设计中,合成了一系列具有不同发光性能的TADF分子:5-二甲基吖啶基-2,2-二甲基-1,3-茚二酮(IDYD),5-吩噁嗪基-2,2-二甲基-1,3-茚二酮(IDPXZ... 本文设计合成了一种新型电子受体2,2-二甲基-1,3-茚二酮,并将其应用于热激活延迟荧光(TADF)分子的设计中,合成了一系列具有不同发光性能的TADF分子:5-二甲基吖啶基-2,2-二甲基-1,3-茚二酮(IDYD),5-吩噁嗪基-2,2-二甲基-1,3-茚二酮(IDPXZ)和5,6-二吩噁嗪基-2,2-二甲基-1,3-茚二酮(ID2PXZ)。以IDYD为客体掺杂制备得到蓝光OLED器件,其CIE值为(0.27,0.31),最大外量子效率(EQE)为2.13%。以IDPXZ为客体掺杂得到橙光OLED器件,其CIE值为(0.43,0.53),EQE为1.31%。以ID2PXZ为客体掺杂得到黄光OLED器件,其CIE值为(0.41,0.54),EQE为2.55%。上述结果证明了以2,2-二甲基-1,3-茚二酮为电子受体可以得到不同发光颜色的TADF分子,并在全色OLED器件中具有一定应用前景。 展开更多
关键词 热激活延迟荧光 有机发光二极管 反系间窜越 能量转移
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具有分子间电荷转移效应的D-σ-A型热激活延迟荧光材料及其电致发光性能
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作者 姚静锋 李昊泽 +3 位作者 吴平 谢凤鸣 胡英元 赵鑫 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第14期224-231,共8页
设计合成了三种D-σ-A型热激活延迟荧光(TADF)材料2-(4-(9H-咔唑-9-基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPCZ)、2-(4-(二苯氨基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPDPA)和2-(4-(9,9-二甲基吖啶-10(9H)-基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPDMAC)。这三种材料均采用... 设计合成了三种D-σ-A型热激活延迟荧光(TADF)材料2-(4-(9H-咔唑-9-基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPCZ)、2-(4-(二苯氨基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPDPA)和2-(4-(9,9-二甲基吖啶-10(9H)-基)苯氧基)蒽-9,10-二酮(AQOPDMAC)。这三种材料均采用C-Oσ键连接受体和供体,由于σ键阻断供体和受体之间的共轭,较好地实现了三种材料最高未占分子轨道(HOMO)和最低已占分子轨道(LUMO)轨道之间的分离,因此三种材料都获得了很小的三线态与单线态之间的能级差(ΔEST<0.1 eV)和显著的TADF特性。更重要的是,这三种材料与常见的TADF材料不同,它们几乎没有分子内电荷转换(intra-CT)效应,但都具有显著的分子间电荷转换(inter-CT)效应。由于这种强的inter-CT效应,三种TADF材料的荧光光谱在非掺杂薄膜中均显示出长波发射(580~652 nm),并且与溶液中的发射波长(552~574 nm)相比表现出显著的红移。基于这三种TADF材料的发光器件均表现出了较好的电致发光性能,其中,基于AQOPCZ的OLED展现出了最好的器件性能,其最大外量子效率(EQEmax)为6.07%,最大亮度为8 320 cd·m-2。本工作为长波TADF材料的设计、合成和研究提供了有益的参考。 展开更多
关键词 有机发光二极管 热激活延迟荧光 分子间电荷转换 电致发光
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基于咔唑类给体分子的给-受体型热活化延迟荧光材料研究进展
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作者 张婷婷 高慧 +3 位作者 杨溢青 洪兴枝 任颖 武海顺 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第16期219-230,共12页
热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料是新一代发光材料,可以通过吸收环境中的热量使分子的三重态转换为单重态,理论上激子利用率达到100%,量子效率大大提高,在有机发光二极管(Organic light-emitting di... 热活化延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料是新一代发光材料,可以通过吸收环境中的热量使分子的三重态转换为单重态,理论上激子利用率达到100%,量子效率大大提高,在有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)中有广阔的应用前景。给-受体(Donor-acceptor,D-A)型的纯有机分子是关注度较高的一类TADF分子。其中咔唑作为一种给体单元,易经其他取代基修饰形成新给体,使D-A分子具有较小的最低三重态和单重态的能级差ΔEST,是经常选用的给体基团。另外,理论计算在研究咔唑衍生物分子的TADF性质,预测其在OLED中的性能方面发挥了重要作用。本文综述了基于不同咔唑类给体构筑的D-A结构的TADF分子,依据咔唑分子上取代基的不同,具体介绍了近五年各类TADF分子的结构特点和发光效率,重点讨论了这些分子在器件应用方面的性能,并且结合理论计算分析的结果总结了可能改变D-A型TADF性质的因素,期望能够为未来设计和合成性能更加优异的含咔唑给体的D-A型TADF分子提供有价值的研究思路。 展开更多
关键词 热活化延迟荧光 -受体分子 咔唑衍生物 发光性能 有机发光二极管
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