活性炭吸附低浓度SO_(2)和丙酮的分子模拟研究

随着集成电路线宽的减小,电子工业洁净室中的气态分子污染物呈现出浓度低、种类多的特点。极低分压条件下,气态分子污染物在活性炭基化学过滤器中的竞争吸附机理尚不清楚。本文基于巨正则蒙特卡罗(GCMC)和分子动力学(MD)方法,模拟了不同温度和相对湿度下活性炭对低浓度SO_(2)和丙酮的吸附过程。结果表明:活性炭对SO_(2)和丙酮的吸附量随温度的升高而降低,随相对湿度的增大变化不明显;SO_(2)和丙酮同时存在对活性炭的初始吸附能力没有明显影响。

净化厂房中气相分子沾污(AMC)的来源和危害

越来越多的研究发现,在半导体圆片加工净化厂房中,除了存在空气悬浮颗粒沾污外,还存在以气相或蒸汽形式存在的分子污染物(Airborne Molecular Contaminants,AMC)。随着特征尺寸(CD)的不断缩小,AMC将会越来越严重地影响圆片加工质量和成品率,并会影响净化厂房内工作人员的身体健康。文章介绍了AMC的分类、来源、危害性、控制标准和方法,希望以此引起人们对AMC的重视,并采取相应的控制措施。

深紫外光刻工艺的环境控制

从室外环境、净化厂房环境和深紫外光刻机设备内部的微环境3个层面,梳理空气颗粒污染物、空气分子污染物和振动等工艺环境问题的来源,构建深紫外光刻工艺环境模型。分析准分子激光器、光路、上版系统、传片系统和主工作台等深紫外光刻机主要部件在工艺环境控制方面的特殊要求。研究深紫外光刻工艺使用的化学放大光刻胶的工作机理,分析空气分子污染物对光刻胶乃至整个光刻工艺的影响。研究空气颗粒污染物、空气分子污染物和振动有关的技术标准和控制等级要求。提炼、总结深紫外光刻工艺环境控制方案,逐级开展空气颗粒污染物控制、空气分子污染物控制、温湿度控制和防微振工作。

半导体厂房气态分子污染物控制探讨

气态分子污染物(AMC)越来越成为半导体厂房建设、运营过程中需要解决的主要问题之一。本文结合AMC控制原理、技术标准、实际工程经验、工厂运行数据、实验数据等简要阐述了半导体厂房对AMC的控制要求、废气排放高度对新风入口位置的影响、新风空调机组中水洗装置的设计要点、各种化学过滤器的性能参数,为同类项目的建设提供参考。

电子行业用化学过滤器性能评价方法研究

化学过滤器的性能参数是用户在使用过程中对化学过滤器进行维护时的重要参考指标,然而实际使用时场景复杂,导致用户无法使用化学过滤器出厂时的性能参数来评估其实际使用情况。本文从化学过滤器的实际使用场景出发,总结了化学过滤器在实际使用中所遇到的问题;结合现有化学过滤器评价的相关规范和相关研究,给出了未来发展方向的建议。

微电子工业空气洁净技术的若干进展

微电子工业的飞速发展对生产环境的空气洁净度提出了更高的要求。从分子态化学污染控制、高洁净度微环境控制、新型洁净产品。

新型喷水室及其应用

喷水室作为一种传统的热湿处理空调设备,现在已被应用于微电子行业来去除分子态污染物,并且还可以被应用于直接蒸发冷却技术和热回收系统。介绍了几种新型喷水室及喷嘴,指出喷水室的发展方向。

高功率激光装置中的气载分子污染物测量和分析

研究了高功率激光装置光路中的分子级污染程度。采用专用空气采样动力设备及吸附管，在一定时间内对光路中的空气进行采样并作痕量分析后，得出了卤素、含硫化合物、可溶性胺类和氨、碳氢化合物（C6～C16有机物）4类物质在打靶前后的数密度变化。结果显示：除含硫化合物外，其余3种物质数密度超过了美国NIF标准的上限，其中氨和可溶性胺类、碳氢化合物的数密度超过较多；卤素、含硫化合物、氨和可溶性胺类的数密度在打靶后比打靶前有所降低，而碳氢化合物的数密度在打靶后比打靶前有所升高。结果表明在该装置中存在比较严重的气载分子污染物污染。分析了气载分子污染物数密度变化的原因以及可能的产生源，并对如何去除这些气载分子污染物提出了建议。

半导体制程废气处理技术实践

讨论了半导体制造废气处理技术与排放,包括热排气、酸性排气、碱性排气和有机排气这四种工艺废气处理设备的应用和处理原理,以及在实际的操作运行中不同系统控制参数对处理效率的影响,并通过实验确定合理的参数设定范围。特别阐述了有机废气处理技术和相关处理设备的应用和操作运行,以及实现系统高效节能运行的技术实践,对半导体厂实现环境保护以及降低气态分子级污染物对生产的影响提供了现实可行的操作依据。

电子洁净室气态化学污染环境控制规范分析

针对气态化学污染控制,回顾了电子洁净室环境控制规范的发展历史和主要内容。从污染物分类、洁净等级划分等方面对比了不同国家及不同组织规范的异同,对现行规范进行了对比总结,分析了电子洁净室环境控制规范的特点、发展趋势及存在的不足。对比了电子洁净室环境控制规范与住宅空气质量规范及大气环境规范,总结了洁净室环境控制的特殊性,并对中国洁净室环境控制规范的修订提出了建议。

气态分子污染物的控制研究

首先从取样与分析着手研究。分析了设施内外的空气质量,识别出目标污染物以及那些可能影响气态分子污染(AMC)控制系统性能的物质;其次,针对AMC的种类与水平,提出AMC控制系统选择并验证方法;最后,提出对受控环境以及AMC控制系统的性能实施定期定点的监测要求与措施,是指导AMC控制系统不断优化的依据。

Si抛光片存储中表面起“雾”的研究

存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的"雾"缺陷,并克服"雾"缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发,根据实验数据分析和理论推导,建立了一个起"雾"原因基本模型,对引起"雾"缺陷影响因素进行了独立细致的分析,并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。

洁净室气态分子污染物的监测技术

随着微电子工业工序复杂性的增加和产品尺寸的不断缩小,气态分子污染物(AMC)对产品的影响成为洁净室环境控制中重点关注的问题。文章介绍了洁净室中AMC的定义,重点阐述了AMC的监测技术。

技术标准的前瞻性与实践的互动性讨论

从我国技术标准国际化、产业调整升级和创新发展的推手角度,浅谈技术标准的前瞻性以及实践过程中的互动性,同时说明建立我国洁净室及相关受控环境标准体系的紧迫性。

微电子洁净技术领域空气化学污染控制研究进展

微电子洁净室内空气化学污染严重影响产品质量和良品率。随着集成电路特征尺寸的日渐微小,空气化学污染控制要求越来越严。本文针对微电子产业洁净技术领域空气化学污染现状和控制技术进行了研究和综述,主要包括污染定义,污染物类别,空气洁净度AMC/ACC等级划分,污染物来源、危害,污染控制策略,污染控制技术。对其发展趋势进行了展望。

空气传播分子污染物、源头及监控系统的研究

通过研究某半导体制造工厂应用AMC控制程序的案例,探讨关于AMC控制的具体内容,了解AMC并掌握如何制定正确的AMC评估战略、描述与建立AMC控制原则和规范、理解AMC控制系统的设计理念。

悬浮分子污染的解决方案——一种新颖的玻纤过滤介质

阐述了在半导体生产中悬浮分子污染 (AMC)的来源和测试方法 ,介绍了一种新颖的AMC滤材 。