采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹...采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹配电路及输出匹配电路,提高了放大器的增益和工作带宽。采用非均匀功率管版图布局及镇流电阻,提升功率放大器电路可靠性。测试结果表明,在8-12 GHz频段内,放大器回波损耗均小于-10 d B,小信号增益大于30 d B,1 d B压缩点输出功率为16 d Bm,饱和功率大于19 d Bm,峰值饱和功率附加效率大于18%。该放大器工作在AB类,采用5 V供电,静态工作电流为80 m A,面积为1.22 mm×0.73 mm。展开更多
文摘采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹配电路及输出匹配电路,提高了放大器的增益和工作带宽。采用非均匀功率管版图布局及镇流电阻,提升功率放大器电路可靠性。测试结果表明,在8-12 GHz频段内,放大器回波损耗均小于-10 d B,小信号增益大于30 d B,1 d B压缩点输出功率为16 d Bm,饱和功率大于19 d Bm,峰值饱和功率附加效率大于18%。该放大器工作在AB类,采用5 V供电,静态工作电流为80 m A,面积为1.22 mm×0.73 mm。
文摘频域反射法(frequency domain reflectometry,FDR)是目前电缆缺陷定位的有效方法之一。针对传统FDR的缺陷定位效果受窗函数和干扰项影响大的问题,该文提出一种基于子空间分解的电缆缺陷定位方法,该方法不需要选择窗函数,并且滤除了干扰信号的子空间,因此拥有更好的缺陷定位效果。首先,利用传输线理论研究电缆的反射系数谱,证实了反射系数谱可用于定位电缆缺陷。然后,介绍了子空间分解技术、改进的贝叶斯信息准则(Bayesian information criterion,BIC)及基于密度聚类算法的原理,通过估计反射系数谱中各复指数衰减振荡函数的参数,并滤除相关干扰,提出了新的电缆缺陷定位谱图。最后,根据所提方法,对200m仿真电缆模型与500m真实电缆开展缺陷定位。结果表明,该定位谱图可准确地定位电缆中缺陷,并且干扰项较少,较大程度地提高FDR方法对电缆缺陷的定位正确率。
