AMR传感器在UBM线性扫描探头中的应用

根据各向异性磁电阻(AMR)传感器的基本原理,提出一种非接触式测量活体超声显微镜(UBM)中超声换能器线性位移的方法。通过单片机PIC16F1827和AMR组成的硬件电路对AMR线性传感器数据进行采集,利用单片机对采集到的数据进行数字滤波、线性校正,输出控制信号。实验表明:基于AMR传感器检测位移的方法能够精确检测超声换能器的位移,实时性好。

Co/Ni多层膜的热处理研究

采用磁控溅射方法制备了Co/Ni多层膜并做了热处理,测量了系列样品的结构、磁性和磁电阻。受热处理条件等因素影响,多层膜的层间磁性耦合性质发生变化,电阻率下降,而其各向异性磁电阻的数值没有一致的变化趋势。讨论了磁性层织构和界面对多层膜的磁性与各向异性磁电阻效应的影响。

溅射气压对Ni_(80)Fe_(20)薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响

为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构,用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现,较高的溅射气压下制备的Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻比较低,薄膜磁化到饱和需要的磁场也比较大。在较低的溅射气压(0.2、0.5 Pa)下制备的Ni80Fe20薄膜具有较高的各向异性磁电阻3.7%和4.2%,而且饱和磁化场低(低于1kA/m)。分析结果表明随着溅射气压的变化,Ni80Fe20薄膜的晶格常数、颗粒大小和均匀性等微结构发生变化,导致薄膜的各向异性磁电阻效应差别很大。