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掺杂B,Cr,Mo,Ti,W,Zr后金刚石中正电子湮灭寿命计算
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作者 赵永生 阎峰云 刘雪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期313-321,共9页
金属基金刚石复合材料被广泛应用和研究,但金刚石表面预处理所导致的空位、掺杂等缺陷对金属基与金刚石界面性能有很大影响.尽管透射电子显微镜和能谱分析等技术已用于缺陷检测,但这些方法存在局限性.通过计算金刚石中正电子湮灭寿命,... 金属基金刚石复合材料被广泛应用和研究,但金刚石表面预处理所导致的空位、掺杂等缺陷对金属基与金刚石界面性能有很大影响.尽管透射电子显微镜和能谱分析等技术已用于缺陷检测,但这些方法存在局限性.通过计算金刚石中正电子湮灭寿命,可以准确评估金刚石的界面缺陷.本文利用第一性原理计算方法,采用多种正电子湮灭算法和增强因子,计算了金刚石理想晶体、单空位、掺杂B,Cr,Mo,Ti,W和Zr后的正电子湮灭寿命.结果显示,在采用局域密度泛函时,结合Boronski&Nieminen算法以及随机相位近似限制作为湮灭增强因子时,计算得到的正电子湮灭寿命与文献的实验结果更吻合.同时,金刚石中B和Cr的掺杂使正电子湮灭寿命从由单空位119.87 ps增加为148.57 ps和156.82 ps.总体来说,金刚石中的空位和掺杂原子缺陷都会引起正电子湮灭寿命的变化.这些发现为理解和优化金刚石界面提供了有价值的理论依据. 展开更多
关键词 金刚石 掺杂 正电子 湮灭寿命
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B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响
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作者 杨静 冯少蓉 +6 位作者 张涛 牛旭平 王荣 李敏 于润升 曹兴忠 王宝义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期307-315,共9页
-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电... -用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电和压电性能测量,研究缺陷对陶瓷压电性能的影响.XRD结果显示所有陶瓷均为纯钙钛矿相,掺杂诱导了菱方-四方(R-T)相变,准同型相界位于Sm掺杂量x=0.010.02.电学测量结果反映:介电、铁电和压电性能均先增强后减弱,MPB附近两个样品都有优异的介电和铁电性能,但其压电性能差别很大.x=0.01给出最优压电性能d_(33)=572 p C/N,较未掺杂样品增强了一倍.PALS结果表明掺杂使陶瓷中缺陷类型发生变化,x≤0.01,样品中同时含有A位空位与B位空位;x≥0.02,样品中以A位相关缺陷为主,B位空位浓度很低.CDBS结果进一步证实x=0.01和0.02中B位空位浓度分别是该体系中最高和最低的.由以上结果推断出:x=0.01获得的最优压电性能与其中较高浓度的B位空位有关,B位空位可稀释A位空位浓度,降低氧空位浓度,从而降低A位空位与氧空位形成缺陷偶极子的几率,促进畴壁运动,使压电性能增强. 展开更多
关键词 PZT压电陶瓷 正电子湮没技术 空位缺陷
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脉冲电流作用下纯铁及RPV钢缺陷修复的正电子湮没研究
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作者 文海懿 全琪玮 +4 位作者 杨炫烨 赵文增 张思敏 吴奕初 刘向兵 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期15-22,共8页
为探究电脉冲处理(Electropulsing Treatment,EPT)对金属材料缺陷的修复作用,设计了一套电脉冲处理设备和与其配套的处理方法,并对电子辐照样品与拉伸样品等含有缺陷的金属材料样品进行电脉冲处理。利用正电子谱学对原子尺度缺陷的十分... 为探究电脉冲处理(Electropulsing Treatment,EPT)对金属材料缺陷的修复作用,设计了一套电脉冲处理设备和与其配套的处理方法,并对电子辐照样品与拉伸样品等含有缺陷的金属材料样品进行电脉冲处理。利用正电子谱学对原子尺度缺陷的十分灵敏的特点,对电脉冲处理后样品进行正电子寿命谱学等研究,获得纯铁及反应堆压力容器(Reactor Pressure Vessel,RPV)钢辐照或形变产生的缺陷及通过电脉冲处理后的部分“修复”情况。结果表明:缺陷“修复”的效果既与样品初始状态有关,又与电脉冲处理参数有关,电脉冲处理样品的正电子平均寿命和维氏硬度变化趋势一致。正电子湮没作为新的无损检测方法有望给出脉冲电流作用下材料损伤或缺陷“修复”的判据,可方便、快速及高灵敏探测实际工况部件的缺陷状态。 展开更多
关键词 正电子湮没 脉冲电流 缺陷 修复 纯铁
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超快光纤激光器中可控脉冲产生与湮灭动力学
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作者 周瑞 李阳 +1 位作者 朱润徽 张祖兴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第17期161-168,共8页
本文采用实时傅里叶变换光谱探测技术,研究了基于泵浦强度调制的超快光纤激光器中锁模脉冲产生与湮灭动力学过程.结果表明:当泵浦调制电压处于高电平时,激光器输出稳定的锁模脉冲.随着调制电压跳变至低电平,锁模脉冲的强度不断降低,而... 本文采用实时傅里叶变换光谱探测技术,研究了基于泵浦强度调制的超快光纤激光器中锁模脉冲产生与湮灭动力学过程.结果表明:当泵浦调制电压处于高电平时,激光器输出稳定的锁模脉冲.随着调制电压跳变至低电平,锁模脉冲的强度不断降低,而后经历一段衰减振荡阶段后发生湮灭,在~5μs后孤子从噪声中重建,这一过程伴随着调Q不稳定性的产生.在低电平阶段,激光腔内的湮灭过程连续发生,其周期为~55μs.通过改变调制泵浦的占空比,能够操控在低电平调制下孤子连续湮灭的次数.进一步,锁模与孤子湮灭的连续切换过程与泵浦调制频率有关,调制频率的升高能够有效缩短两种状态的持续时间从而减少孤子湮灭的次数.此外,通过减小低电平的值,能够降低激光腔内的增益,使得孤子连续湮灭的周期缩短.研究结果有利于深入了解孤子的形成与湮灭动力学,并为超快激光器各种运行机制的发展提供了新的视角. 展开更多
关键词 泵浦强度调制 孤子湮灭 脉冲状态切换 色散傅里叶变换
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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
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作者 赵超 董涛 +3 位作者 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期72-77,共6页
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究... 锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型
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财政收支的货币效应:理论机制、经验证据及政策蕴含
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作者 刘朝阳 张祎 张璐 《金融经济学研究》 CSSCI 北大核心 2024年第4期121-141,共21页
财政收支的货币效应理论,在财政与金融之间搭建了一座理论桥梁,对新时期中国经济稳定与金融稳定具有重要的实践指导意义。采用部门资产负债表法,通过构建“多元双层”货币供给理论模型,分层揭示基础货币供给与存款货币供给的一般规律。... 财政收支的货币效应理论,在财政与金融之间搭建了一座理论桥梁,对新时期中国经济稳定与金融稳定具有重要的实践指导意义。采用部门资产负债表法,通过构建“多元双层”货币供给理论模型,分层揭示基础货币供给与存款货币供给的一般规律。采用联立方程模型、SVAR模型和梁氏因果检验法对财政收支的货币效应命题开展实证检验。结果表明,在国库单一账户制度下,财政收支与货币供给消长之间存在直接因果关系,即财政收支对货币供给具有“扰动效应”,财政收入引起基础货币与存款货币同时、等量湮灭,财政支出引起基础货币与存款货币同时、等量创造。相比于对存款货币的影响,财政收支对基础货币供给的扰动效应更剧烈。中国存款货币实际供给量已接近现存基础货币与法定存款准备金率所共同决定的货币上限,财政收入缴库引起基础货币湮灭可能会诱发银行间市场流动性紧张。基于此,应建立财政部门与央行部门的常态协调沟通机制,完善国库现金管理存款制度和国库现金余额目标管理制度,财政主动有为,更好发挥在稳金融、稳就业中的积极作用。 展开更多
关键词 财政收支的货币效应 “多元双层”货币供给 货币创造 货币转移 货币湮灭
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热处理温度对冷烧结SnSe热电性能的影响研究
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作者 丁军 师李洁 +6 位作者 陈翔斌 屈相 程哲 李秀芬 蒋曼 陈志权 望红玉 《储能科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期3754-3763,共10页
SnSe热电材料具有低热导率、低成本、环境友好等优势,成为目前热电领域的研究热点材料之一。本文利用水热法和冷烧结工艺制备了多晶SnSe块体,然后进行热处理,研究热处理温度对合成多晶SnSe热电性能的影响规律。XRD结果显示,各样品的主... SnSe热电材料具有低热导率、低成本、环境友好等优势,成为目前热电领域的研究热点材料之一。本文利用水热法和冷烧结工艺制备了多晶SnSe块体,然后进行热处理,研究热处理温度对合成多晶SnSe热电性能的影响规律。XRD结果显示,各样品的主衍射峰与SnSe卡片相匹配。SEM结果表明,颗粒由块状变为片状结构且材料内部空隙随退火温度升高而降低。正电子湮灭测量结果表明,冷烧结的SnSe样品中可能存在各种空位型缺陷,如VSe、VSn、VSnSe和大空位团簇,这些空位型缺陷是有效的声子散射中心,导致晶格热导率降低,随着退火温度的升高,空隙减小与空位型缺陷逐渐恢复导致晶界势垒降低使电导率逐渐增大。电导率、功率因子和无量纲热电优值(ZT)的变化趋势几乎相同,都是随着退火温度的升高而增加。在测试温度为773 K时,500℃退火样品的电导率σ高达4.1×103 S/m,功率因子为3.71μW/(cm·K2);而热导率随着退火温度的提升减小了声子散射中心而略有升高。最后,计算500℃退火样品的ZT值为0.70,比未退火样品的ZT值高出35.7%。因此,表明了冷烧结工艺和热处理在SnSe材料研究中有巨大潜力,为制备出高性能热电材料奠定了理论依据。 展开更多
关键词 SnSe 冷烧结 热处理 功率因子 热电优值 正电子湮没
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重原子效应对MR-TADF分子三重态和上转换性能的影响
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作者 魏亚雄 易凯 +1 位作者 段豆豆 许新胜 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期89-96,共8页
含有重原子的多重共振热激活延迟荧光(MR-TADF)表现出低能量损失、强烈吸收、高系间窜跃(ISC)效率和长三重态寿命.本文选择3种不含重金属原子的MR-TADF分子,分别结合氧、硫和硒原子(BN-2O,BN-2S和BN-2Se);利用理论计算和纳秒瞬态吸收光... 含有重原子的多重共振热激活延迟荧光(MR-TADF)表现出低能量损失、强烈吸收、高系间窜跃(ISC)效率和长三重态寿命.本文选择3种不含重金属原子的MR-TADF分子,分别结合氧、硫和硒原子(BN-2O,BN-2S和BN-2Se);利用理论计算和纳秒瞬态吸收光谱研究了这些分子的重原子效应,BN-2O,BN-2S和BN-2Se的ISC效率分别确定为39.4%,74.7%和95.0%,且三重态寿命均超过10μs.由BN-2Se和1,4-双(三异丙基硅乙炔基)萘(1,4-DTNA)组成的上转换系统在溶液中获得了高达8.7%的上转换量子产率(Φ_(UC),最大值为50%),且阈值激发强度(I_(th))为1.7 mW/cm^(2),低于太阳光辐照度(2.7 mW/cm^(2)).此外,廉价的BN-2S和BN-2O也表现出良好的上转换量子产率,分别为5.9%和3.9%,I_(th)也分别低至6.2和15 mW/cm^(2). 展开更多
关键词 多重共振热活化延迟荧光 三重态-三重态湮灭上转换 重原子效应
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正电子湮没谱表征热处理工艺对聚碳酸酯力学性能的影响
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作者 孙琦伟 王韬 +5 位作者 许雪婷 葛勇 王博伦 郎建林 陈宇宏 颜悦 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期77-84,共8页
考察了退火和淬火2种热处理方法所用的不同热处理温度和时间对聚碳酸酯力学性能的影响,并采用正电子湮没谱分析经过不同热处理工艺后聚碳酸酯内部自由体积的含量。结果表明,在玻璃化转变温度附近及以上进行一定时间的淬火可通过增大内... 考察了退火和淬火2种热处理方法所用的不同热处理温度和时间对聚碳酸酯力学性能的影响,并采用正电子湮没谱分析经过不同热处理工艺后聚碳酸酯内部自由体积的含量。结果表明,在玻璃化转变温度附近及以上进行一定时间的淬火可通过增大内部自由体积含量和尺寸来显著改善聚碳酸酯的韧性,降低材料的屈服强度和弯曲强度,提高缺口冲击强度和拉伸强度。在玻璃化转变温度以下,淬火不能改变材料内部的自由体积,不能提高材料的韧性。退火只能降低材料内部自由体积的含量和尺寸,但不受温度和时间的影响,且材料的拉伸强度、断裂伸长率和缺口冲击强度大幅降低。 展开更多
关键词 正电子湮没谱 退火 淬火 聚碳酸酯 力学性能
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电子注入层迁移率对Rubrene/C60基发光二极管半带隙开启电压的调控
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作者 彭腾 王辉耀 +7 位作者 赵茜 刘俊宏 汪波 王晶晶 周银琼 张可怡 杨俊 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第21期257-266,共10页
半带隙开启特性是有机发光二极管独有的一种光电属性,但电子注入层(electron injection layer,EIL)如何影响半带隙开启的研究还未见报道.本文选取电子迁移率按数量级依次降低的EIL材料制备了三组控制器件,发现随EIL电子迁移率的依次降低... 半带隙开启特性是有机发光二极管独有的一种光电属性,但电子注入层(electron injection layer,EIL)如何影响半带隙开启的研究还未见报道.本文选取电子迁移率按数量级依次降低的EIL材料制备了三组控制器件,发现随EIL电子迁移率的依次降低,器件的开启电压分别呈现出半带隙(half-band-gap)开启、亚带隙(sub-band-gap)开启和正常开启的物理现象.器件发光的特征磁效应(magneto-electroluminescence,MEL)结果显示:EIL电子迁移率高的器件实现半带隙开启主要归因于三重态-三重态湮灭(triplet-triplet annihilation,TTA,T1,Rb+T_(1,Rb)→S_(1,Rb)+S_(0))过程有效降低了器件的开启电压(1.1 V).但在EIL电子迁移率较低的器件中,为注入更多电子需要在低电子迁移率的EIL上施加更高的电压,从而抵消了TTA过程降低的开启电压,因此随着EIL电子迁移率依次降低其开启电压表现为亚带隙开启(2.1 V)和正常开启(4.1 V).此外,高EIL电子迁移率的器件中TTA更强,亮度更高.这是由于器件中形成了更多数量的三重激基复合物EX3态并通过Dexter能量传递过程形成T_(1,Rb).本工作进一步加深了对Rubrene/C60型器件中电子迁移率对开启电压影响的理解以及相关物理微观机制的认识. 展开更多
关键词 有机发光二极管 半带隙开启特性 电子迁移率 三重态-三重态湮灭
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基于Z变换和改进FRI的LFM信号参数估计方法研究
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作者 孟硕 孟晨 王成 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2228-2236,共9页
为了完成线性调频(linear frequency modulation,LFM)信号的稀疏采样,并利用稀疏数据对原始信号参数进行估计,本文提出了一种基于Z变换和改进有限新息率(finite rate of innovation,FRI)的LFM信号参数估计方法。以Z变换理论为基础,设计... 为了完成线性调频(linear frequency modulation,LFM)信号的稀疏采样,并利用稀疏数据对原始信号参数进行估计,本文提出了一种基于Z变换和改进有限新息率(finite rate of innovation,FRI)的LFM信号参数估计方法。以Z变换理论为基础,设计了一种数学模型,一旦信号能够表达成该数学模型的结构形式,就能通过Z变换和零化滤波器的方法估计信号参数。然后,利用了自相关延迟的FRI结构对LFM信号采样,该结构不仅完成了LFM信号的稀疏采样,而且稀疏采样结果能够与数学模型结构相符。在理论上通过数学论证的方式证明了所提方法能够用于获取LFM信号参数信息,并通过仿真和实测数据验证了所提方法的有效性,理论和实验结果表明该方法只需要4个采样点就能实现对LFM信号的参数估计,并且实验中的参数估计误差均在3%以内,极大的提高有限新息率采样的参数估计效率。 展开更多
关键词 线性调频信号 有限新息率 零化滤波器 Z变换 参数估计
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突发事故干扰背景下的铁路运输实时调度方法设计
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作者 魏中华 《工程建设与设计》 2024年第17期91-93,共3页
通过对突发事故干扰背景下铁路运输实时调度问题构建数学模型,并引入烟花算法对调度方案进行寻优的方法,结果表明:该方法在30 min干扰时长下的目标函数值下降到3662;对影响11辆列车的干扰进行实时调度,只对其他2辆列车产生干扰,该方法... 通过对突发事故干扰背景下铁路运输实时调度问题构建数学模型,并引入烟花算法对调度方案进行寻优的方法,结果表明:该方法在30 min干扰时长下的目标函数值下降到3662;对影响11辆列车的干扰进行实时调度,只对其他2辆列车产生干扰,该方法不仅具有良好的运行性能,还能够有效进行实时调度,可应用于突发事故干扰背景下的铁路运输实时调度。 展开更多
关键词 铁路运输 烟花算法 数学建模 调度 竞争湮灭
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Extensions of Modules with ACC on d-annihilators
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作者 Ouyang Lun-qun Zhou Qiong +1 位作者 Liu Jin-wang Xiang Yue-ming 《Communications in Mathematical Research》 CSCD 2018年第1期23-35,共13页
A unitary right R-module MR satisfies acc on d-annihilators if for every sequence(a;);of elements of R the ascending chain AnnM(a;)■ AnnM(a;a;)■AnnM(a;a;a;)■… of submodules of MR stabilizes. In this paper ... A unitary right R-module MR satisfies acc on d-annihilators if for every sequence(a;);of elements of R the ascending chain AnnM(a;)■ AnnM(a;a;)■AnnM(a;a;a;)■… of submodules of MR stabilizes. In this paper we first investigate some triangular matrix extensions of modules with acc on d-annihilators. Then we show that under some additional conditions,the Ore extension module M[x]R[x;α,δ]over the Ore extension ring R[x;α,δ] satisfies acc on d-annihilators if and only if the module MR satisfies acc on d-annihilators. Consequently, several known results regarding modules with acc on d-annihilators are extended to a more general setting. 展开更多
关键词 triangular matrix extension Ore extension acc on d-annihilator
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QCD因子化框架下B-_(d,s)→D_(d,s)P衰变过程的研究
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作者 常钦 赵萌非 +1 位作者 陈丽丽 王晓琳 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第4期11-16,F0002,共7页
在考虑幂次压低且不忽略c夸克和D介子质量的条件下,采用光前夸克模型结果作为输入,在QCD因子化(QCDF)框架下给出了B-^(0)_((s))→D^(+)_((s))K^(-)和B^(0)_((s))→D^(+)_((s))π^(-)中旁观者和湮灭图的贡献大小.旨在解释这两个衰变道中... 在考虑幂次压低且不忽略c夸克和D介子质量的条件下,采用光前夸克模型结果作为输入,在QCD因子化(QCDF)框架下给出了B-^(0)_((s))→D^(+)_((s))K^(-)和B^(0)_((s))→D^(+)_((s))π^(-)中旁观者和湮灭图的贡献大小.旨在解释这两个衰变道中理论预言与实验测量存在4σ~5σ偏差的问题.研究结果表明,旁观者和湮灭图贡献对这一偏差有一定的改善,但理论与实验之间的偏差仍然比较明显. 展开更多
关键词 QCD因子化 D介子 光前夸克模型 湮灭
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不同硫压退火对溅射沉积ZnS薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 党新志 张仁刚 +4 位作者 张鹏 于润升 况鹏 曹兴忠 王宝义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期107-113,共7页
ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文首先以射频磁控溅射方法沉积了ZnS薄膜,然后在600℃温度和不同硫压下进行退火,通过X射线衍射、扫描电子... ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文首先以射频磁控溅射方法沉积了ZnS薄膜,然后在600℃温度和不同硫压下进行退火,通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量散射X射线谱、紫外-可见透射光谱以及慢正电子多普勒展宽谱对ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌、晶粒尺寸、成分、透光率以及缺陷进行分析.结果表明:硫气氛后退火能够改善ZnS薄膜结晶性,退火后ZnS薄膜光学带隙为3.43—3.58 eV.当硫压高于0.49 atm(1 atm=1.01×10^(5)Pa)时,ZnS内部硫间隙原子以及表面单质硫降低了薄膜在可见光区的透光率.慢正电子多普勒展宽谱结果还表明,ZnS薄膜的缺陷浓度由表层到内层逐渐降低,薄膜缺陷随着硫压增加而降低.同时,3γ湮没证明了薄膜内部较为致密,硫化会导致薄膜开孔率增加.吸附硫通过内扩散占据了晶体中硫空位缺陷的位置,导致缺陷浓度降低,进而改善了薄膜质量. 展开更多
关键词 磁控溅射 硫蒸气退火 ZNS薄膜 慢正电子多普勒展宽能谱
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聚乙烯亚胺改性介孔二氧化硅SBA-15微观结构的小角X射线散射及正电子湮没谱学研究 被引量:2
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作者 尹昊 宋通 +5 位作者 彭雄刚 张鹏 于润升 陈喆 曹兴忠 王宝义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期197-203,共7页
SBA-15由于具有高比表面积、孔容大、孔径可调、热稳定性好和成本相对低廉等优点,在吸附、分离、催化和纳米材料等领域具有广泛的应用前景,而利用有机官能团改性SBA-15已经成为当前材料的热点之一,但有机官能团的引入势必会影响材料的... SBA-15由于具有高比表面积、孔容大、孔径可调、热稳定性好和成本相对低廉等优点,在吸附、分离、催化和纳米材料等领域具有广泛的应用前景,而利用有机官能团改性SBA-15已经成为当前材料的热点之一,但有机官能团的引入势必会影响材料的孔结构,进而影响其性能.因此,如何更全面地表征材料的孔结构也成为人们关注的焦点.采用小角X射线散射(SAXS)技术对PEI/SBA-15介孔分子筛的孔结构进行表征,利用相关函数和弦长分布理论得到了聚乙烯亚胺改性介孔二氧化硅(PEI/SBA-15)的孔结构和周期性信息,结合正电子湮没寿命谱(PALS)技术进行比较.结果表明:随着PEI质量分数的增加,PEI/SBA-15介孔分子筛的周期性结构没有发生明显变化,通过弦长分布(CLD)函数得到的孔径尺寸也仅从8.3 nm降至7.6 nm.利用PALS获得了2种长寿命组分τ3和τ4,其中τ3反映了SBA-15基体内部的无规微孔结构,而τ4反映SBA-15六方孔道的尺寸,与SAXS结果相比,介孔孔径具有相同的变化趋势.通过结合SAXS和PALS技术,可以更加深入地揭示材料中微观结构的演变,从而为未来功能纳米复合材料的结构表征提供一种独特的方法. 展开更多
关键词 小角 X 射线散射 SBA-15 分子筛 正电子湮没寿命谱
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有机发光二极管蓝光材料研究进展 被引量:3
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作者 谭文乐 俞越 +1 位作者 胡德华 马於光 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期1-11,共11页
有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)经过30余年的发展,在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准,但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题,因而... 有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)经过30余年的发展,在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准,但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题,因而商业上对兼具高激子利用率及高稳定性的蓝光材料和器件的需求显得尤为迫切。为了解决这一问题,国内和国际上相继提出了基于重金属配位的磷光配合物、三线态‑三线态湮灭、热活化延迟荧光、“热激子”等材料结构的设计策略,期望在获得高发光量子效率和激子利用率的同时,尽量减小器件的效率滚降,获得具有高稳定性、长寿命的蓝光OLEDs器件。本文总结了不同类型蓝光OLEDs材料的研究进展,并对未来蓝光材料的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 蓝光OLEDs 热激子 热活化延迟荧光 金属磷光配合物 三线态-三线态湮灭
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提拉法下Yb:YAG单晶缺陷的正电子湮没研究
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作者 石小兔 张庆礼 +7 位作者 孙贵花 罗建乔 窦仁勤 王小飞 高进云 张德明 刘建党 叶邦角 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期316-321,共6页
为满足固体激光器的应用需求,研究人员不断改进YAG激光晶体生长技术,其中控制YAG中的缺陷结构对于晶体的生长尤为重要。本工作对提拉法两种工艺制备的晶体样品进行了缺陷研究,特别是晶体散射点的起源。正电子湮没技术是一种对材料微观... 为满足固体激光器的应用需求,研究人员不断改进YAG激光晶体生长技术,其中控制YAG中的缺陷结构对于晶体的生长尤为重要。本工作对提拉法两种工艺制备的晶体样品进行了缺陷研究,特别是晶体散射点的起源。正电子湮没技术是一种对材料微观结构十分灵敏且有效的核物理技术分析表征手段,对空位缺陷、微孔等极为敏感。根据正电子湮没寿命谱与多普勒展宽谱的分析结果,无论工艺、有无散射点,样品的正电子寿命及多普勒展宽线性参数均存在差异。这说明晶体主要缺陷是YAG结构中的本征缺陷,散射点可能是空位团聚引起的纳米微孔,研究表明该技术可以灵敏地表征YAG晶体散射点。正电子湮没实验反映的晶体单晶质量差异与X射线衍射、单晶摇摆曲线、光透过率以及位错密度结果吻合。在研究晶体的物理性能和缺陷与材料微结构的关系上正电子湮没技术具有独特的技术优势,同时正电子湮没技术可以在微观尺度上有效反映晶体质量。 展开更多
关键词 晶体缺陷 正电子湮没 YB:YAG晶体 提拉法
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低活化马氏体钢中位错对氦辐照缺陷的影响
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作者 董烨 朱特 +6 位作者 宋亚敏 叶凤娇 张鹏 杨启贵 刘福雁 陈雨 曹兴忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第18期355-361,共7页
低活化马氏体钢具有较好的抗辐照性能,然而对其抗辐照机理尚不清楚,特别是嬗变气体存在的情况下辐照缺陷行为非常复杂.本文通过对低活化马氏体钢预形变(10%和20%)后热处理(723 K,1 h)保留位错缺陷,随后对预留位错的样品进行室温氦辐照(5... 低活化马氏体钢具有较好的抗辐照性能,然而对其抗辐照机理尚不清楚,特别是嬗变气体存在的情况下辐照缺陷行为非常复杂.本文通过对低活化马氏体钢预形变(10%和20%)后热处理(723 K,1 h)保留位错缺陷,随后对预留位错的样品进行室温氦辐照(50 keV,1×10^(17)He/cm^2),采用同步辐射掠入射X射线衍射、慢正电子多普勒展宽谱和热脱附谱研究了位错与氦辐照缺陷的相互作用及位错对氦原子迁移、热脱附行为的影响.结果表明,高密度位错阻碍了氦和氦空位复合体的扩散,进而减缓了辐照损伤的扩展,这种现象随着位错密度的增大更加明显.低活化马氏体钢在1179 K时发生体心立方结构→面心立方结构相转变,位错密度增加会导致由相转变引起的氦热脱附峰前移.未形变、10%形变、20%形变样品中氦的滞留量分别为10.3%,15.7%,17.9%,表明高密度位错更容易将氦保留到材料内部,反映了位错对氦的滞留起到促进作用. 展开更多
关键词 氦辐照 位错 正电子湮没 热脱附
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聚乙烯亚胺改性介孔氧化硅载体孔结构的调控机理
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作者 王荣 杨静 +6 位作者 张涛 于润升 董俊才 张鹏 曹兴忠 王宝义 尹昊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第16期278-285,共8页
以三嵌段共聚物聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷(P123)为模板,硅酸四乙酯(TEOS,C_(8)H_(20)O_(4)Si)为硅源合成了比表面积高达712.5 m^(2)/g,孔体积为2.44 cm^(3)/g的新型介孔氧化硅载体(MCF).通过正电子湮没寿命谱(PALS)以及常规表... 以三嵌段共聚物聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷(P123)为模板,硅酸四乙酯(TEOS,C_(8)H_(20)O_(4)Si)为硅源合成了比表面积高达712.5 m^(2)/g,孔体积为2.44 cm^(3)/g的新型介孔氧化硅载体(MCF).通过正电子湮没寿命谱(PALS)以及常规表征手段;例如N2吸附脱附、透射电子显微镜、热重分析、傅里叶变换红外光谱等系统研究了聚乙烯亚胺(PEI)改性MCF对纳米尺度孔结构的影响.结果表明,合成的MCF具有明显的无序介孔结构,孔与孔之间通过窗口相互连接形成了一个连续的、具有良好热稳定性的多孔通道网络,同时可以直观看到有机胺PEI已被成功引入到MCF通道中.为了更全面地评估材料孔径的变化情况,通过高灵敏度、可探测亚纳米量级的正电子湮没技术研究正电子在PEI负载MCF中的湮没机制,发现存在τ_(3)和τ_(4)两个长寿命分量,表明样品中存在微孔和介孔.同时由于PEI分子的引入,导致τ_(3)和τ_(4)呈明显的下降趋势,之后利用正电子在纯气体中的湮没率公式校正PALS所测得的寿命来计算所得孔尺寸,发现孔尺寸随着有机分子PEI的填充而逐渐减小,这将为探究聚乙烯亚胺改性MCF孔结构的调控机理以及有机分子改性介孔分子筛材料体系的孔结构表征提供新的思路. 展开更多
关键词 介孔氧化硅载体 正电子湮没寿命谱 纳米介孔
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