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Microscopic phase-field study on order-disorder transition of the antiphase domain boundary formed between L1_2 phases
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作者 ZHANG MingYi YANG Kun +2 位作者 CHEN Zhen WANG YongXin FAN XiaoLi 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2011年第12期3409-3414,共6页
Kinetics of order-disorder transition at antiphase domain boundary (APDB) formed between L12 (Ni3A1) phases is investigated using microscopic phase-field model. The results demonstrate that whether order-disorder ... Kinetics of order-disorder transition at antiphase domain boundary (APDB) formed between L12 (Ni3A1) phases is investigated using microscopic phase-field model. The results demonstrate that whether order-disorder transition happens or not depends on the atomic structure of the APDB. Accompanied with the enrichment of V and depletion of Ni and A1, the ordered APDB with phase-shift vector of a/2[100] transforms into a thin disordered phase layer. Whereas at the APDB with phase shift vector of a/2[110], which remains ordered with temporal evolution, Ni and A1 enrich and V depletes. Composition evolution of APDB with order-disorder transition favors the nucleation of DO22 phase, and the formation of disordered phase layer accelerates the growth of DO22 phase. The disordered phase caused by order-disordered transition of the APDB can be considered as the transient phase along the precipitation path of DO22 phase. 展开更多
关键词 microscopic phase-field antiphase domain boundary order-disorder transition transient phase Ni-AI-V alloy
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Fe-28Al合金中相转变 被引量:7
2
作者 杜国维 王政 肖纪美 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期A151-A155,共5页
应用电镜及X射线衍射技术研究了含Cr及不含Cr的Fe-28at.-%Al合金中相变结果表明,1080℃淬火过程中,B2结构热畴已开始形成;缓冷通过B2相区,沿晶界出现α相;对Fe-28Al-5Cr合金还出现细小的Cr... 应用电镜及X射线衍射技术研究了含Cr及不含Cr的Fe-28at.-%Al合金中相变结果表明,1080℃淬火过程中,B2结构热畴已开始形成;缓冷通过B2相区,沿晶界出现α相;对Fe-28Al-5Cr合金还出现细小的CrN相沉淀,板状合金中B2→D03是一缓慢转变过程. 展开更多
关键词 FE3AL 反相畴 金属间化合物 相变
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基于Surfscan系统的GaAs/Ge反向畴 被引量:1
3
作者 师巨亮 牛晨亮 +2 位作者 韩颖 夏英杰 张曦 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期406-409,419,共5页
对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题。为此引入了Surfscan系统,该检测系统具有快速、全片和量化结果等优点。... 对于GaAs/Ge反向畴(APD)的表征,常用的测试方法是扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)等,这些方法都存在局部表征所带来的测试误差问题。为此引入了Surfscan系统,该检测系统具有快速、全片和量化结果等优点。首先,利用Surfscan结合SEM对反向畴差别较大的样品进行了测试表征,结果显示结合SEM的局域形貌表征和Surfscan的全片表征,可以对反向畴进行更加准确的表征。通过进一步优化工艺温度,对Surfscan在反向畴差别相对较小的情况下的应用进行了研究,结果显示:利用Surfscan优化工艺温度是非常有效的,而且对于该实验,当反向畴被有效抑制时,反向畴主要表现为雾化缺陷(Haze)。上述两个应用说明了Surfscan在反向畴研究中非常具有实用价值。 展开更多
关键词 Surfscan系统 反向畴(apd) 颗粒 HAZE GAAS/GE
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烧绿石型富氧相Ce_2Zr_2O_8的Rietveld结构精修及其Raman光谱研究 被引量:2
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作者 谢华 王烈林 罗德礼 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期539-544,共6页
采用石墨还原法成功制备了烧绿石型富氧相Ce2Zr2O8,选用缺氧型烧绿石Nd2Zr2O7作为Ce2Zr2O8相前驱体CeZrO3.5的替代物与之进行结构对比分析。实验结果表明:Ce2Zr2O8相中富余氧主要占据前驱体中的氧空位,且氧离子扩散不会破坏原本有序排... 采用石墨还原法成功制备了烧绿石型富氧相Ce2Zr2O8,选用缺氧型烧绿石Nd2Zr2O7作为Ce2Zr2O8相前驱体CeZrO3.5的替代物与之进行结构对比分析。实验结果表明:Ce2Zr2O8相中富余氧主要占据前驱体中的氧空位,且氧离子扩散不会破坏原本有序排列的阳离子(Ce/Zr)亚点阵;同时,Ce2Zr2O8相中Zr-O配位体由前驱体中共顶联接的八面体转变为共棱联接的立方体,其反相畴界密度和振动光谱谱带亦较前驱体明显提高。以上结果说明Ce2Zr2O8相结构处于亚稳态,该结构特征有利于氧离子的快速吸附或释放,这为其成为汽车尾气净化剂提供了结构上的可行性,但也说明当An2Zr2O7烧绿石在自辐照条件下向富氧相An2Zr2O8发生转变时,其抗辐照和化学稳定等性能有下降趋势。 展开更多
关键词 Ce2Zr2O8 有序阳离子 反相畴界 配位体
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等离子弧熔覆Fe基合金+TiC涂层中的陶瓷相行为与相结构 被引量:32
5
作者 吴玉萍 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期89-91,共3页
用等离子弧扫描涂覆涂料的金属表面 ,形成了含有陶瓷相的熔覆层 ,借助金相显微镜、电子探针、透射电镜等分析测试了涂层中组织和陶瓷相的行为。陶瓷相在熔覆层中部聚集。在弧光等离子体高温作用下 ,陶瓷相TiC溶解、溃散及随后冷却时细... 用等离子弧扫描涂覆涂料的金属表面 ,形成了含有陶瓷相的熔覆层 ,借助金相显微镜、电子探针、透射电镜等分析测试了涂层中组织和陶瓷相的行为。陶瓷相在熔覆层中部聚集。在弧光等离子体高温作用下 ,陶瓷相TiC溶解、溃散及随后冷却时细小陶瓷相析出 ,析出的TiC呈纳米量级 ,且TiC中存在反相畴 ,称之为“等离子辐照反相畴” ,这是由等离子扫描的高能输入决定的。陶瓷相与基体之间形成新相 ,如FeTi、Fe2 展开更多
关键词 弧光等离子体 显微组织 陶瓷相 反相畴 有序化 复合涂层
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Ni_(75)Al_xV_(25-x)合金中反相畴界有序无序化的微观相场模拟 被引量:2
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作者 张明义 杨坤 +2 位作者 陈铮 王永欣 张嘉振 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期163-169,共7页
基于微观相场模型研究了Ni75AlxV25-x合金中L12-Ni3Al相间反相畴界和DO22-Ni3V相间反相畴界的有序无序化过程。结果表明,伴随着V的富集,Al和Ni的贫化,L12相间反相畴界(200)L//(200)L.1/2[001]L和(200)L//(200)L均发生有序无序化;DO22相... 基于微观相场模型研究了Ni75AlxV25-x合金中L12-Ni3Al相间反相畴界和DO22-Ni3V相间反相畴界的有序无序化过程。结果表明,伴随着V的富集,Al和Ni的贫化,L12相间反相畴界(200)L//(200)L.1/2[001]L和(200)L//(200)L均发生有序无序化;DO22相间反相畴界是否发生有序无序化与界面结构有关,伴随着Ni和Al的富集,V的贫化,DO22相间反相畴界(001)D//(002)D处发生有序无序化,而反相畴界{100}D.1/2[100]D始终保持有序,且成分演化与(001)D//(002)D处完全相反。有序无序化过程中的反相畴界处的成分演化有利于第二相在界面处形核。反相畴界处无序相的长大伴随着部分晶粒的长大和部分晶粒的消失,反相畴界有序无序化可以视为晶粒粗化阶段的伴随过程。 展开更多
关键词 微观相场 反相畴界 有序无序化 Ni75AlxV25-x合金 粗化
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弛豫铁电陶瓷PST中反相畴结构的HREM研究 被引量:1
7
作者 蔡丽英 张孝文 王新荣 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第5期354-360,共7页
本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5)O_3(PST)中的有序-无序结构,直接观察到有序-无序结构畴界及反相畴界(APBs),对反相畴界的结构进行了分析,指出在PST中的... 本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5)O_3(PST)中的有序-无序结构,直接观察到有序-无序结构畴界及反相畴界(APBs),对反相畴界的结构进行了分析,指出在PST中的反相畴往往是{111}面的层错,晶格位移在{111}方向上,位移量是{111}。提出了在PST中APBs形成的机制。 展开更多
关键词 弛豫铁电陶瓷 反相畴结构 电子显微学
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Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
8
作者 刘翔 吴长树 +4 位作者 张鹏翔 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期63-65,共3页
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
关键词 极性半导体 非极性半导体 反相畴
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秦岭-大别榴辉岩中绿辉石的显微结构特征
9
作者 吴秀玲 孟大维 +3 位作者 韩郁菁 韦必则 杨巍然 李斗星 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期252-257,共6页
本文对秦岭-大别山高压超高压变质带中的绿辉石进行了高分辨电镜研究。绿辉石的超微结构以P2有序结构为主,其次为P2/n次有序结构和C2/c无序结构。并观察到绿辉石的P2或P2/n结构的反相畴界及π层错;C2/c结构中1/2(a+b)或1/2<110>... 本文对秦岭-大别山高压超高压变质带中的绿辉石进行了高分辨电镜研究。绿辉石的超微结构以P2有序结构为主,其次为P2/n次有序结构和C2/c无序结构。并观察到绿辉石的P2或P2/n结构的反相畴界及π层错;C2/c结构中1/2(a+b)或1/2<110>的反相畴结构;有序绿辉石中的位错斜壁和低角度亚晶界;绿辉石的有序无序结构的相转变及晶畴结构。由电子衍射和高分辨像的分析结果表明,三个不同地区的绿辉石是在高压超高压条件下形成。反相畴的大小可作为变质温度和地质年代的重要标志。上述超微结构信息充分揭示了秦岭-大别山高压超高压变质带构造的本质特征和演化规律。 展开更多
关键词 榴辉岩 绿辉石 反相畴结构 电子显微术
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五磷酸镨晶体中缺陷的X形貌研究
10
作者 刘希玲 官文栎 +1 位作者 张杰 徐忠彬 《应用科学学报》 CAS CSCD 1999年第2期241-244,共4页
首次报导了五磷酸镨晶体中缺陷的X形貌研究结果.这些缺陷是铁弹畴、反相畴界、生长层和生长区界面。
关键词 五磷酸镨晶体 铁弹畴 反相畴界 缺陷 X形貌
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不同热处理的CANTiM形状记忆合金的精细结构
11
作者 王仁卉 邹文晖 +3 位作者 桂嘉年 彭红缨 魏中国 杨大智 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第5期38-44,共7页
对成份为Cu-11.9Al-5Ni-1.6Mn-1Ti(质量百分比)的CANTiM形状记忆合金固溶后水淬及水淬后再经不同温度2h时效处理的试样的精细结构进行了电镜观察。其结果表明:淬火态试样中马氏体为M18R_1型。马氏体基体中分布有尺寸较大的X_L相和尺寸... 对成份为Cu-11.9Al-5Ni-1.6Mn-1Ti(质量百分比)的CANTiM形状记忆合金固溶后水淬及水淬后再经不同温度2h时效处理的试样的精细结构进行了电镜观察。其结果表明:淬火态试样中马氏体为M18R_1型。马氏体基体中分布有尺寸较大的X_L相和尺寸较小、与基体半共格的X_5相。X_L相中还弥散地分布着另一种尺寸约为20nm左右的析出相。在随后的时效过程中,以上的各X相依然存在,而马氏体则经历了从M18R_1→N18R_1→无序N9R的无序化过程。随着时效温度的升高,残余母相增多,有序畴的尺寸增大。在经623K,2h时效处理的试样中还观察到有贝氏体析出。 展开更多
关键词 形状记忆合金 时效 精细结构 铜基
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应力时效对L1_2间反相畴界成分影响的微观相场模拟
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作者 张明义 岳广全 +3 位作者 李志刚 张嘉振 刘富 陈铮 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期222-226,共5页
基于微观相场模型研究了应力时效对Ni75Al15V10合金中L12-Ni3Al相间反相畴界成分的影响规律。研究表明,L12相间存在3种反相畴界,其中(200)//(200)·[001]和(100)//(200)·[001]与已有文献中实验发现的L12-Ni3Fe相间反... 基于微观相场模型研究了应力时效对Ni75Al15V10合金中L12-Ni3Al相间反相畴界成分的影响规律。研究表明,L12相间存在3种反相畴界,其中(200)//(200)·[001]和(100)//(200)·[001]与已有文献中实验发现的L12-Ni3Fe相间反相畴界结构一致;在3种反相畴界处,Ni、Al贫化,V偏聚,应力时效使得L12相间3种反相畴界处Ni和Al的浓度升高,V浓度降低;应力时效对(200)//(200)·[001]和(100)//(200)·[001]成分的影响较大,对(200)//(200)成分的影响则相对较小;相同反相畴界处,应力时效对不同合金元素浓度的改变也不同。 展开更多
关键词 微观相场 反相畴界 应力时效 Ni75AlxV25-x合金 界面成分
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AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究
13
作者 田民波 梁彤翔 《半导体情报》 1995年第3期47-56,共10页
利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的AlN陶瓷的微观结构特征,鉴别了AlN中的第二相,研究了AlN基板上薄膜(Au-Pt-Ti)和厚膜(Mo-Mn)金属化界面的结构。
关键词 氮化铝 基板 金属化层界面 分析电镜 封装 散热
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华中东部榴辉岩中绿辉石的反相畴、出溶及其成因意义 被引量:2
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作者 曹琳 胡克 +1 位作者 王安平 姚杰 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期254-258,T001,共6页
反相畴及出溶片晶是华中东部高压变质带中绿辉石的主要超微结构,出港片晶的大小受扩散速率和时间的控制,而反相畴的大小可作为变质温度和年龄的标志。通过对Alps、Cali-fornia等高压变质带中绿辉石的反相畴的统计计算,修正了Carpente... 反相畴及出溶片晶是华中东部高压变质带中绿辉石的主要超微结构,出港片晶的大小受扩散速率和时间的控制,而反相畴的大小可作为变质温度和年龄的标志。通过对Alps、Cali-fornia等高压变质带中绿辉石的反相畴的统计计算,修正了Carpenter所得出的统计公式:δ8=8×(6×1027)e-Q/RT·t。根据作者的成果,绿辉石反相略大小与变质温度及地质年代按如下规律变化:δ9=9×(6×1026)e-Q/RT·t。由此得出所研究地区曾发生两次地质热事件,其地质年代分别为700Ma(晚元古)及200Ma(印支期)。以上得出的函数关系适用于高压变质带中不同地区的相对地质年代的推算及绝对地质年代的半定量估算。 展开更多
关键词 榴辉岩 绿辉石 反相畴 出溶 成因
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基于二维离散位错动力学的镍基合金沉淀强化 被引量:2
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作者 孙君超 刘娟 崔振山 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期194-200,共7页
根据位错在含沉淀相金属中的运动规律,建立了一个含沉淀相的二维离散位错动力学模型以模拟沉淀相体积分数在镍基合金中的影响。通过计算位错受到的力,包括外力、位错间的长程弹性应力、位错运动时受到的固溶摩擦力及反相畴界力等,得到... 根据位错在含沉淀相金属中的运动规律,建立了一个含沉淀相的二维离散位错动力学模型以模拟沉淀相体积分数在镍基合金中的影响。通过计算位错受到的力,包括外力、位错间的长程弹性应力、位错运动时受到的固溶摩擦力及反相畴界力等,得到位错的运动状态,然后应用Orowan公式得到相应的应力应变曲线。模型考虑了位错的增殖、湮灭以及超位错切割沉淀相的机制。模拟中,沉淀相用直径相同的圆表示,沉淀相体积分数分别为30%,40%和50%。模拟结果表明增大沉淀相体积分数可使镍基合金变形抗力增大,且随着沉淀相体积分数增高,沉淀相体积分数对合金变形抗力的影响变大。 展开更多
关键词 位错动力学 反向畴界能 镍基合金 沉淀相 二维离散
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有序合金反相畴研究
16
作者 韩临光 陆玉良 马培立 《物理测试》 CAS 1992年第5期17-19,共3页
开发金属间化合物为基的有序合金具有重要意义,迫切的问题是解决室温脆性。利用透射电镜观察发现,反相畴界形态强烈影响合金的塑性。
关键词 有序合金 反相畴界 超点阵
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分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理 被引量:3
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作者 肖春阳 王俊 +10 位作者 李家琛 王海静 贾艳星 马博杰 刘倬良 明蕊 白一鸣 黄永清 任晓敏 罗帅 季海铭 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第23期33-38,共6页
从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角S... 从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角Si(001)衬底上生长了1.4μm厚的GaAs外延层。测试结果表明,随着生长温度的升高,APD密度降低,不同传播面的湮灭现象增加。反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到{112}面,从而与其他反相畴相遇并发生湮灭。该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义。 展开更多
关键词 材料 硅基激光器 第一性原理 分子束外延 反相畴 无偏角Si(001)
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Atomic-scale mechanism of the θ’’→θ’ phase transformation in Al-Cu alloys 被引量:5
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作者 Zhenju Shen Qingqing Ding +4 位作者 Chunhui Liu Jiangwei Wang He Tian Jixue Li Ze Zhang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期1159-1164,共6页
The phase transformation of θ’’→θ’ in an Al-5.7 Cu alloy was investigated by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, and the tranformation mode of θ’’→θ’ during aging treatment was ... The phase transformation of θ’’→θ’ in an Al-5.7 Cu alloy was investigated by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, and the tranformation mode of θ’’→θ’ during aging treatment was clarified. In the presence of the θ’ phases, θ’ was found to be formed by in-situ transformation fromθ’’ with the same plate shape, size and broad faces. The transformation starts from multiple sites within the θ’ precipitate and the whole θ’ phase finally forms as the preferential θ’ sections grow and connect with each other. Antiphase domain boundaries are also found in some θ’ precipitates when the disregistry exists between different θ’ sections. 展开更多
关键词 Al-Cu alloy θ’ phase Phase transformation antiphase domains High-angle annular dark field(HAADF)
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