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Thin Film of Perovskite Oxide with Atomic Scale p-n Junctions 被引量:1
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作者 HU Bin HUANG Ke-ke +3 位作者 HOU Chang-min YUAN Hong-ming PANG Guang-sheng FENG Shou-hua 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2012年第3期379-381,共3页
Thin films of perovskite manganese oxide Lao.66Ca0.29K0.05MnO3(LCKMO) on Au/ITO(ITO=indium tin oxide) substrates were prepared by off-axis radio frequency magnetron sputtering and characterized by X-ray diffrac- t... Thin films of perovskite manganese oxide Lao.66Ca0.29K0.05MnO3(LCKMO) on Au/ITO(ITO=indium tin oxide) substrates were prepared by off-axis radio frequency magnetron sputtering and characterized by X-ray diffrac- tion(XRD), high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM), and conductive atomic force microscopy (C-AFM) at room temperature. The thin films with thickness ranged from 100 nm to 300 nm basically show cubic structures with a=0.3886 nm, the same as that of the raw material used, but the structures are highly modulated. C-AFM results revealed that the atomic scale p-n junction feature of the thin films was the same as that of the single crystals. The preparation of the thin films thus further confirms the possibility of their application extending from micrometer-sized single crystals to macroscopic thin film. 展开更多
关键词 Perovskite oxide Thin film atomic scale p-n junction
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无机固体材料中的忆阻效应 被引量:4
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作者 吴小峰 袁龙 +1 位作者 黄科科 冯守华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1726-1738,共13页
缺陷调控是固体化学中的基本问题,也是决定材料性能的核心要素。基于缺陷调控的忆阻效应将给未来电子信息领域带来全新的变革。本文综述了无机固体材料中忆阻效应的研究进展,主要总结了忆阻效应的产生机制和忆阻材料的类型,结合原子级p-... 缺陷调控是固体化学中的基本问题,也是决定材料性能的核心要素。基于缺陷调控的忆阻效应将给未来电子信息领域带来全新的变革。本文综述了无机固体材料中忆阻效应的研究进展,主要总结了忆阻效应的产生机制和忆阻材料的类型,结合原子级p-n结的相关工作,提出深入明确电场下缺陷迁移机制将是从无机固体化学角度研究忆阻效应的重要方向。 展开更多
关键词 忆阻器 忆阻机制 缺陷调控 原子级p-n
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压缩应变载荷下氮化镓隧道结微观压电特性及其巨压电电阻效应 被引量:1
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作者 张耿鸿 朱佳 +2 位作者 姜格蕾 王彪 郑跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期311-318,共8页
电子器件可控性研究在日益追求器件智能化和可控化的当今社会至关重要.基于第一性原理和量子输运计算,本文研究了压缩应变载荷对氮化镓(Ga N)隧道结基态电学性质和电流输运的影响,在原子尺度上窥视了氮化镓隧道结的微观压电性,验证了其... 电子器件可控性研究在日益追求器件智能化和可控化的当今社会至关重要.基于第一性原理和量子输运计算,本文研究了压缩应变载荷对氮化镓(Ga N)隧道结基态电学性质和电流输运的影响,在原子尺度上窥视了氮化镓隧道结的微观压电性,验证了其内在的巨压电电阻(GPR)效应.计算结果表明,压缩应变载荷可以调节隧道结内氮化镓势垒层的电势能降、内建电场、电荷密度和极化强度,进而实现对隧道结电流输运和隧穿电阻的调控.在-1.0 V的偏置电压下,-5%的压缩应变载荷将使氮化镓隧道结的隧穿电阻增至4倍.本研究展现了氮化镓隧道结在可控电子器件中的应用潜力,也展现了应变工程在调控电子器件性能方面的光明前景. 展开更多
关键词 应变调控 GaN隧道结 微观压电性 巨压电电阻效应
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亚临界或超临界反应的凝聚态化学
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作者 张媛 郑贝宁 +2 位作者 吴小峰 黄科科 冯守华 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第6期968-982,共15页
通过化学反应形成确定的和复杂的原子分子凝聚态,其原子分子间相互作用的多维度复合与协同,拓展了物质结构模式,体系性能发生突变,表现出凝聚态化学的某些特性。在特定条件下或在超临界条件下的歧化反应,产生锰金属离子以三种氧化态的... 通过化学反应形成确定的和复杂的原子分子凝聚态,其原子分子间相互作用的多维度复合与协同,拓展了物质结构模式,体系性能发生突变,表现出凝聚态化学的某些特性。在特定条件下或在超临界条件下的歧化反应,产生锰金属离子以三种氧化态的形式聚集成的复杂调制结构。本文从凝聚态化学角度出发,详细介绍了在亚/超临界水热条件下,原子尺度pn结固体的生成,量子IV特性与电场诱导超流现象,讨论了化学反应驱动的凝聚态转变问题。本文同时介绍了凝聚态流体的基本性质和各级凝聚尺度中气体分子参与的化学反应,包括化学键修复反应、水热反应、人工降雨和肿瘤的消退,以及超临界条件下凝聚态化学反应的机理和潜在应用。 展开更多
关键词 超临界 水热歧化反应 原子尺度pn结 玻色爱因斯坦凝聚 肿瘤消退
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无机固体功能材料的水热合成化学 被引量:12
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作者 冯守华 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期2-7,共6页
综述了无机固体功能材料的水热合成化学进展。重点强调强关联系固体、无机-有机杂化材料、缺陷与混合价态固体、三重价态与原子尺度p-n结以及水热生物化学。
关键词 水热合成 无机固体 三重价态 原子尺度p-n
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