动态水热合成b轴取向MFI型分子筛膜

在旋转烘箱中采用动态水热法,在不锈钢片支撑体上合成了连续的b轴取向MFI型分子筛膜,并运用扫描电镜和X射线衍射考察了合成釜转速、晶化温度和晶化时间对所得分子筛膜性能的影响.与静态水热法相比,动态水热合成过程中合成液的温差和浓度差大大降低,且合成液持续冲刷支撑体表面,使得动态法具有合成时间短、取向性好和分子筛颗粒粒径分布均一的优点.

气相二氧化硅为硅源合成MFI型分子筛晶体和取向膜

在中性合成条件下制备MFI型分子筛晶体和膜层,是当前的研究热点。在中性条件下,考察了不同亲疏水性和比表面积的气相二氧化硅作为硅源对MFI晶体二次生长的影响,绘制了晶种的晶化曲线。结果表明,以比表面积为100 m2/g的亲水性气相二氧化硅为硅源时,MFI分子筛晶种的生长速度较快,合成得到的MFI分子筛膜连续、致密,具有高度的b轴取向。

原位水热法制备高密度且均一b-轴取向MFI分子筛晶粒层

发展了一种利用原位水热法,通过采用壳聚糖/SiO_2复合涂层对载体表面修饰和改性,实现在载体表面获得密度高且均一b-轴取向MFI型分子筛晶粒层的方法。考察了复合涂层中壳聚糖/SiO2质量比、分子筛合成液配比及晶化时间对取向晶种层的影响规律。结果表明,壳聚糖与SiO_2质量比为0.15、分子筛合成液配比为1TPAOH∶0.2TEOS∶90H2O、170℃反应3h时,在玻璃载体表面得到连续、致密且高度b-轴取向的MFI型分子筛晶种层。

MFI沸石纳米片及b轴取向MFI沸石薄膜的制备

我们通过自下而上(bottom-up)的方法制备了高宽深比、高结晶度的b轴方向上超薄的MFI沸石纳米片,为制备b轴取向MFI沸石薄膜提供了基础。采用滑动涂覆法(slip coating method)在玻璃片载体上制备了厚度约为100 nm的b轴取向MFI纳米片晶种层。采用无模板剂二次生长法,抑制晶种层面外孪晶生长,实现了晶种层的面内外延生长。在合成体系的nSiO_(2)∶nNa_(2)O∶nC_(2)H_(5)OH∶nH_(2)O=1∶0.03∶1.3∶0.89、晶化时间48 h、晶化温度180℃时,制备了厚度约为200 nm的连续致密的b轴取向MFI沸石膜,与基于四丙基氢氧化铵(TPAOH)的常规合成溶液水热二次生长制备的MFI沸石膜相比,厚度降低了90%,并且保持了晶种层的b轴取向性。

b-轴取向MFI型分子筛膜制备工艺

b-轴取向MFI型分子筛膜是一种具有特殊纳米孔道结构的硅铝分子筛膜,在膜分离、膜反应器、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,受到国内外学者的普遍关注。本文综述了b-轴取向MFI型分子筛膜制备工艺方面的研究进展,详细介绍了原位水热合成法和二次生长法制备工艺;重点总结和评价了近年来在载体表面修饰、b-轴取向分子筛晶种层制备和水热合成条件调控等方面的最新研究成果。在深入分析了各种取向分子筛膜制备方法优缺点的基础上,对b-轴取向MFI型分子筛膜制备工艺的发展趋势进行了展望。