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A Possible Relationship between Schottky Barrier Heights andAdhesion Energies of Metal / Semiconductor or Insulator Interfaces
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作者 李建国 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第1期7-12,共6页
A possible relationship between Schottky barrier heights and adhesion energies of different nonreactivemetal/semiconductor or insulator interfaces is presented .Various experimental evidences further sup-porting such ... A possible relationship between Schottky barrier heights and adhesion energies of different nonreactivemetal/semiconductor or insulator interfaces is presented .Various experimental evidences further sup-porting such a relationship are briefly exploited. The consequence indicated by such a relationship on the understanding of metal / ceramic interfaces is stressed. 展开更多
关键词 Schottky barrier heights Adhesion energies metal/ semiconductorinterfaces
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Modeling of the drain-induced barrier lowering effect and optimization for a dual-channel 4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor
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《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期395-399,共5页
A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering (DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional (2D) Poisson's equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET (DCFET). Using thi... A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering (DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional (2D) Poisson's equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET (DCFET). Using this analytical model, we calculate the threshold voltage shift and the sub-threshold slope factor of the DCFET, which characterize the DIBL effect. The results show that they are significantly dependent on the drain bias, gate length as well as the thickness and doping concentration of the two channel layers. Based on this analytical model, the structure parameters of the DCFET have been optimized in order to suppress the DIBL effect and improve the performance. 展开更多
关键词 drain-induced barrier lowering effect Poisson's equation metal semiconductor field effect transistor
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Performance of Metal and Acid Ions Remediation in Contaminated Soils by Electrokinetics with Chitosan Permeable Reactive Barrier
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作者 杜勇立 马德青 +2 位作者 张燕青 单文盼 黄满红 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2017年第4期607-612,共6页
Metal and acid ions contamination of soil in China is serious. To find an efficient solution for remediating the combined pollution,electrokinetics( EK) coupled with chitosan( CTS)permeable reactive barrier( EK/CPRB) ... Metal and acid ions contamination of soil in China is serious. To find an efficient solution for remediating the combined pollution,electrokinetics( EK) coupled with chitosan( CTS)permeable reactive barrier( EK/CPRB) was used to investigate the performances of metal and acid ions remediation. Adsorption characteristics of Zn^(2+),Fe^(3+),Ca^(2+),SO_4^(2-) and NO_3^- onto CTS were also conducted. The results showed the sorption of Zn^(2+),Fe^(3+),Ca^(2+),SO_4^(2-) and NO_3^- on CTS could be well described by Freundlich model. When the CTS dosage is 8 g,the total removal efficiency for Zn^(2+),Fe^(3+),Ca^(2+),SO_4^(2-) and NO_3^- is 86. 8%,90. 2%,92. 4%,90. 0% and 82. 5%,respectively. CTS enhanced ions remediation efficiencies significantly compared with the single EK system,especially for SO_4^(2-) and NO_3^-. The results indicate EK/CPRB system is suitable for the remediation of soil contaminated by both metal ions and acid ions. 展开更多
关键词 electrokinetics acid ions metal ions Chitosan permeable reactive barrier REMEDIATION
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基于高温压力传感器的耐高温金属体系
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作者 杜少博 何洪涛 《电子工艺技术》 2024年第5期21-23,35,共4页
从制约高温压力传感器发展的耐高温金属体系研究出发,采用钨/氮化钽/铂(W/TaN/Pt)作为金属布线的电传导层,开发出适用于500 ℃高温环境下稳定工作的金属薄膜,实现电信号稳定传输,有效避免相邻金属层之间相互扩散或合金导致的电性能失效... 从制约高温压力传感器发展的耐高温金属体系研究出发,采用钨/氮化钽/铂(W/TaN/Pt)作为金属布线的电传导层,开发出适用于500 ℃高温环境下稳定工作的金属薄膜,实现电信号稳定传输,有效避免相邻金属层之间相互扩散或合金导致的电性能失效。对500 ℃高温前后的压力传感器进行带电测试,并对非线性、迟滞性、灵敏度、重复性等8项指标做了测试对比,高温压力传感器性能稳定,各性能指标均满足使用要求,证明该金属体系的可行性。 展开更多
关键词 高温压力传感器 高温金属 氮化钽 阻挡层
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Modeling of the drain-induced barrier lowering effect and optimization for a dual-channel 4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor
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作者 张现军 杨银堂 +3 位作者 段宝兴 柴常春 宋坤 陈斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期395-399,共5页
A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering(DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional(2D) Poisson’s equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET(DCFET).Using this analytic... A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering(DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional(2D) Poisson’s equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET(DCFET).Using this analytical model,we calculate the threshold voltage shift and the sub-threshold slope factor of the DCFET,which characterize the DIBL effect.The results show that they are significantly dependent on the drain bias,gate length as well as the thickness and doping concentration of the two channel layers.Based on this analytical model,the structure parameters of the DCFET have been optimized in order to suppress the DIBL effect and improve the performance. 展开更多
关键词 drain-induced barrier lowering effect Poisson’s equation metal semiconductor field effect transistor
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阻氢涂层的研究现状及进展
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作者 李涛 沙济通 +3 位作者 王强 陈小伟 白日欣 冯伟华 《焊管》 2024年第11期1-10,共10页
氢具有较高的渗透率,会造成金属材料塑性降低、疲劳裂纹扩展速率加快等氢脆问题,严重阻碍了氢能的产业化发展。为降低氢对材料的渗透率,在金属材料表面制备阻氢涂层是解决金属材料氢损伤问题的重要手段之一。本研究对近年来阻氢涂层研... 氢具有较高的渗透率,会造成金属材料塑性降低、疲劳裂纹扩展速率加快等氢脆问题,严重阻碍了氢能的产业化发展。为降低氢对材料的渗透率,在金属材料表面制备阻氢涂层是解决金属材料氢损伤问题的重要手段之一。本研究对近年来阻氢涂层研究现状及发展进行归纳与总结,讨论了传统阻氢涂层的特性及优缺点,阐述新型阻氢涂层如石墨烯涂层、金属玻璃涂层等的发展现状。介绍了输纯/掺氢管道阻氢涂层的研究成果,并对阻氢涂层未来发展作了展望。 展开更多
关键词 阻氢涂层 石墨烯涂层 金属玻璃涂层 输送管道阻氢涂层
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不同相NbS_(2)与GeS_(2)构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质
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作者 李景辉 曹胜果 +2 位作者 韩佳凝 李占海 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期238-250,共13页
金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属... 金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属的依赖关系.计算的结合能、声子谱、AIMD模拟以及力学性质研究表明,两异质结高度稳定,可实验制备,且用于电子器件设计可行.本征态H-NbS_(2)/GeS_(2)和T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结分别形成了p型肖特基接触和准n型欧姆接触.同时发现它们的肖特基势垒高度(SBH)和电接触类型可以通过外加电场和双轴应变来有效调控.例如,对于H-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,无论施加正/负电场或平面双轴压缩,均能实现欧姆接触,而T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,仅在施加负电场时,才能实现欧姆接触,但需要的负电场很低,平面双轴拉伸能导致其实现准欧姆接触.也就是说,当以半导体GeS_(2)单层为场效应晶体管沟道材料,与不同相的金属NbS_(2)接触形成MSJ时,其界面肖特基势垒有明显区别,且在不同情形(本征或物理调控)中各有优势.所以,本研究对于理解H(T)-NbS_(2)/GeS_(2)异质结电接触的物理机制具有重要意义,特别是为如何选择合适金属电极以研发高性能电子器件提供了理论参考. 展开更多
关键词 金属-半导体异质结 肖特基势垒 肖特基接触 欧姆接触 物理场调控
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有色金属行业面临的绿色贸易壁垒与低碳发展策略分析与研究
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作者 葛青 《世界有色金属》 2024年第14期175-179,共5页
绿色贸易壁垒已成为有色金属行业需要长期面临的重要议题。本文通过具体案例对绿色贸易壁垒进行了简要介绍,并指出其关键问题实际上是企业碳排放与产品碳足迹问题。鉴于中国的有色金属企业在能耗水平方面处于国际领先或国际先进水平,“... 绿色贸易壁垒已成为有色金属行业需要长期面临的重要议题。本文通过具体案例对绿色贸易壁垒进行了简要介绍,并指出其关键问题实际上是企业碳排放与产品碳足迹问题。鉴于中国的有色金属企业在能耗水平方面处于国际领先或国际先进水平,“碳”问题的核心实际上是能源结构的问题。基于此,本文提出了应对绿色贸易壁垒的若干建议,尤其是开展绿色产品评价是切实可行的应对措施。尽管绿色贸易壁垒可能增加企业成本,但同时也可以为企业带来一些积极作用。 展开更多
关键词 绿色贸易壁垒 有色金属 碳足迹 绿色产品评价
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高速铁路不同高度金属屏障气动效应及维护策略
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作者 孙瑞海 《中国铁路》 北大核心 2024年第6期34-40,共7页
结合某高速铁路金属屏障的设置特点与日常检查维护情况,以1.72 m与2.15 m高金属屏障为研究对象,采用气动仿真与现场试验等研究方法开展气动效应对比分析。结果表明:列车脉动风压呈现立柱基础区域大、靠近立柱顶部小的特征;相同速度条件... 结合某高速铁路金属屏障的设置特点与日常检查维护情况,以1.72 m与2.15 m高金属屏障为研究对象,采用气动仿真与现场试验等研究方法开展气动效应对比分析。结果表明:列车脉动风压呈现立柱基础区域大、靠近立柱顶部小的特征;相同速度条件下,1.72 m与2.15 m高金属屏障列车脉动力相差小于10%,钢立柱动位移相差约2倍,单元板动位移相差约40%,立柱抵抗横向力的能力与结构高度相关度高;受气动荷载变化影响,同速度等级下结构振动响应波动幅度可达到50%;金属屏障的振动响应可反映结构动力性能的差异,不同跨金属屏障单元板动位移相差可达到1倍,建议后续金属屏障检查维护中关注结构动力性能的变化。 展开更多
关键词 高速铁路 金属屏障 气动效应 振动响应试验 检查维护
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尾矿浆替代粉煤灰合成泡沫地聚合物以高效去除重金属污染物:行为和机理研究
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作者 江杰 罗豪豪 +3 位作者 王树飞 欧孝夺 苏建 陈俊霖 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期1344-1359,共16页
本研究旨在以铝土矿开采的副产品尾矿泥浆合成多孔地聚合物,以用作地下水修复的材料。研究了液固比、发泡剂和稳泡剂掺量等因素对地聚合物孔隙结构和吸附性能的影响。通过批量实验和微观表征评估地聚合物对二元重金属(Pb和Cu)的吸附能... 本研究旨在以铝土矿开采的副产品尾矿泥浆合成多孔地聚合物,以用作地下水修复的材料。研究了液固比、发泡剂和稳泡剂掺量等因素对地聚合物孔隙结构和吸附性能的影响。通过批量实验和微观表征评估地聚合物对二元重金属(Pb和Cu)的吸附能力和作用机理。结果表明,调整发泡行为可得到孔隙率为81.4%、连通性为17.2%、吸水率为122.9%的多孔地聚合物。封闭孔隙和毛细管的存在降低了重金属的去除性能。优化发泡行为可通过改善孔隙连通性,进而将重金属的吸附能力从7.49 mg/g提高到24.95 mg/g。重金属的主要去除机理包括物理封装、重金属离子与—OH的化学沉淀以及T(Si,Al)—O—M(Pb,Cu)键的形成。基于尾矿浆的多孔地聚合物表现出卓越的重金属去除性能,在修复矿山污染地下水方面具有巨大潜力。 展开更多
关键词 多孔地聚合物 尾矿泥浆 可渗透反应墙 孔隙特征 重金属修复
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改性氮化硼复合材料涂层制备高阻隔导热内衬纸
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作者 邓加云 彭强 +4 位作者 林文龙 周笛 李益华 谢安 赖嘉诚 《包装工程》 CAS 北大核心 2024年第17期105-110,共6页
目的研究液态金属改性氮化硼对无铝内衬纸水蒸气透过性能和导热性能的影响。方法将氮化硼片通过液态金属改性后与聚乙烯醇复合制备功能涂层,涂敷到基纸表面,研究液态金属改性氮化硼的含量和涂层厚度对内衬纸的水蒸气阻隔性能和导热性的... 目的研究液态金属改性氮化硼对无铝内衬纸水蒸气透过性能和导热性能的影响。方法将氮化硼片通过液态金属改性后与聚乙烯醇复合制备功能涂层,涂敷到基纸表面,研究液态金属改性氮化硼的含量和涂层厚度对内衬纸的水蒸气阻隔性能和导热性的影响。结果液态金属改性解决了氮化硼片团聚和基体/填料界面缺陷问题,能够进一步延长水蒸气扩散路径,降低水蒸气透过率,涂层厚度增加进一步延长扩散路径和降低了水蒸气透过率。此外,液态金属改性提升了热导率并降低了弹性模量。结论文中使用功能涂层改善了传统无铝内衬纸的阻隔性和导热性,并降低了模量,有望给兼具柔性、阻隔性和凉感的纸张的制备提供借鉴。 展开更多
关键词 无铝内衬纸 阻隔 氮化硼 导热 液态金属
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高速公路复合型路基金属结构声屏障施工关键技术
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作者 谷传海 纪港 李泽睿 《科学技术创新》 2024年第17期157-160,共4页
为减少公路两侧噪音,提高周围群众的生活质量。声屏障的设计、施工工作,一直是建筑学界研究的重点方向。在过去,我国主要采用玻璃钢声屏障隔绝高速公路上的噪音,但由于该声屏障声学性能、力学性能及耐老化性能不足等问题,已经难以满足... 为减少公路两侧噪音,提高周围群众的生活质量。声屏障的设计、施工工作,一直是建筑学界研究的重点方向。在过去,我国主要采用玻璃钢声屏障隔绝高速公路上的噪音,但由于该声屏障声学性能、力学性能及耐老化性能不足等问题,已经难以满足时代发展的迫切需求。在这样的时代背景下,金属结构声屏障因其降噪效果好、经久耐用、安装方便受到广泛关注。鉴于此,本文将依托四川天府新区至邛崃高速绿化项目进行复合型声屏障设置研究,即在噪声源与受声点之间插入开白叶孔铝合金吸声板,使声波在传播过程中受到障碍物影响而引起明显的衰减,旨在减少附近居民所在一定区域的噪音影响,希望能够起到一定的参考作用。 展开更多
关键词 高速公路 降噪 复合型路基金属结构声屏障 施工技术
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金属声屏障用陶粒吸声板制备及性能实验研究
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作者 韩珈琪 《铁道标准设计》 北大核心 2024年第1期204-211,共8页
陶粒吸声板耐候性好、对环境影响小,是一种极具潜力的吸声材料,应用于金属声屏障需要深入研究其吸声、隔声性能。基于多孔材料的声学机理,通过振动加压成型技术,制备了陶粒吸声板,研究不同因素对其吸声、隔声性能的影响。测试结果表明:... 陶粒吸声板耐候性好、对环境影响小,是一种极具潜力的吸声材料,应用于金属声屏障需要深入研究其吸声、隔声性能。基于多孔材料的声学机理,通过振动加压成型技术,制备了陶粒吸声板,研究不同因素对其吸声、隔声性能的影响。测试结果表明:不同工况陶粒吸声板吸声系数、隔声量曲线趋势基本一致,中低频区段吸声系数逐渐增加,1000 Hz左右达到峰值,1000~5000 Hz吸声系数曲线存在波动及第二峰值;隔声量曲线基本呈先降低后增加趋势,区间存在波动,5000 Hz达到峰值;陶粒吸声板采用的陶粒粒径越小,吸声系数、隔声量越高;骨胶比由3.5提升至5.0,吸声系数、隔声量降低;降低水胶比,高频区段吸声系数增加明显,中高频隔声量降低明显;板厚增加,中高频段吸声系数曲线有向低频平移趋势,隔声量整体变化不大;陶粒吸声板放入金属外壳形成单元板后,吸声系数、隔声量较单一陶粒板整体提升显著。经过设计配比陶粒吸声板可以达到Ⅱ级吸声要求,同时兼具一定的隔声效果,放置入金属外壳组成声屏障单元板后,满足TB/T 3122—2019《铁路声屏障声学构件》标准要求,将陶粒吸声板用于金属声屏障吸声材料是可行的。 展开更多
关键词 陶粒吸声板 金属声屏障 粒径 骨胶比 水灰比 吸声系数 隔声量
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渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究
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作者 张冰哲 辛艳辉 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期57-60,66,共5页
目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,... 目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,建立阈值电压模型。依据计算结果,详细分析沟道高掺杂区的掺杂浓度和掺杂长度、栅氧化层的介电常数、硅膜厚度等物理参数对漏致势垒降低(DIBL)效应的影响。结果 DIBL随沟道高掺杂区的掺杂浓度的增大而变小,随掺杂长度的减小而变小,随栅氧化层的介电常数的增大而变小,随硅层厚度减薄而变小。结论 渐变掺杂沟道结构能够有效抑制器件的DIBL。该研究结果不仅对器件的理论研究有一定的意义,而且对器件的设计提供了一定的参考价值。 展开更多
关键词 渐变沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏致势垒降低 短沟道效应
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Influence of Iron Supplementation on DMT1(IRE)-induced Transport of Lead by Brain Barrier Systems in vivo 被引量:1
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作者 AN Dai Zhi AI Jun Tao +4 位作者 FANG Hong Juan SUN Ru Bao SHI Yun WANG Li Li WANG Qiang 《Biomedical and Environmental Sciences》 SCIE CAS CSCD 2015年第9期651-659,共9页
Objective To investigate the potential involvement of DMT1(IRE) protein in the brain vascular system in vivo during Pb exposure. Methods Three groups of male Sprague-Dawley rats were exposed to Pb in drinking water,... Objective To investigate the potential involvement of DMT1(IRE) protein in the brain vascular system in vivo during Pb exposure. Methods Three groups of male Sprague-Dawley rats were exposed to Pb in drinking water, among which two groups were concurrently administered by oral gavage once every other day as the low and high Fe treatment group, respectively, for 6 weeks. At the same time, the group only supplied with high Fe was also set as a reference. The animals were decapitated, then brain capillary-rich fraction was isolate from cerebral cortex. Western blot method was used to identify protein expression, and RT-PCR to detect the change of the m RNA. Results Pb exposure significantly increased Pb concentrations in cerebral cortex. Low Fe dose significantly reduced the cortex Pb levels, However, high Fe dose increased the cortex Pb levels. Interestingly, changes of DMT1(IRE) protein in brain capillary-rich fraction were highly related to the Pb level, but those of DMT1(IRE) m RNA were not significantly different. Moreover, the consistent changes in the levels of p-ERK1/2 or IRP1 with the changes in the levels of DMT1(IRE). Conclusion These results suggest that Pb is transported into the brain through DMT1(IRE), and the ERK MAPK pathway is involved in DMT1(IRE)-mediated transport regulation in brain vascular system in vivo. 展开更多
关键词 Lead Iron Blood-brain barrier Divalent metal transporter 1 MAPK pathway
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Enhanced CO2 decomposition via metallic foamed electrode packed in self-cooling DBD plasma device 被引量:2
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作者 Shengjie ZHU Amin ZHOU +2 位作者 Feng YU Bin DAI Cunhua MA 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第8期82-88,共7页
A self-cooling dielectric barrier discharge reactor, packed with foamed Cu and Ni mesh and operated at ambient conditions, was used for the composition of CO2 into CO and O2.The influences of power, frequency, and oth... A self-cooling dielectric barrier discharge reactor, packed with foamed Cu and Ni mesh and operated at ambient conditions, was used for the composition of CO2 into CO and O2.The influences of power, frequency, and other discharge characteristics were investigated in order to have a better understanding of the effect of the packing materials on CO2 decomposition.It is found that porous foamed Cu and Ni not only played a role as the carrier of energy transformation and electrode distributed in discharge gaps but also promoted the equilibrium shifting toward the product side to yield more CO by consuming some part of O2 and O radicals generated from the decomposition of CO2.The maximum CO2 decomposition rates of 48.6%and 49.2% and the maximum energy efficiency of 9.71% and 10.18% were obtained in the foamed Ni and Cu mesh, respectively. 展开更多
关键词 dielectric barrier DISCHARGE CO2 DECOMPOSITION metallic foamed materials energy efficiency
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Effect of graphene tunnel barrier on Schottky barrier height of Heusler alloy Co_2MnSi/graphene/n-Ge junction
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作者 李桂芳 胡晶 +4 位作者 吕辉 崔智军 候晓伟 刘诗斌 杜永乾 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期426-429,共4页
We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co_2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. W... We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co_2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. We confirm that the Fermi level is depinned and a reduction in the electron Schottky barrier height(SBH) occurs following the insertion of the graphene layer between Co_2MnSi and Ge. The electron SBH is modulated in the 0.34 eV–0.61 eV range. Furthermore,the transport mechanism changes from rectifying to symmetric tunneling following the insertion. This behavior provides a pathway for highly efficient spin injection from a Heusler alloy into a Ge channel with high electron and hole mobility. 展开更多
关键词 Co2MnSi/graphene/n-Ge junction Fermi-level depinning Schottky barrier height metal-induced gap states (MIGS)
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基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究
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作者 彭大青 李忠辉 +4 位作者 蔡利康 李传皓 杨乾坤 张东国 罗伟科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期746-752,共7页
针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二... 针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1510 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),面密度达到9.7×10^(12)cm^(-2)。得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到3.0 V,是常规材料的1.5倍。复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 复合势垒 金属有机物气相沉积 高线性 跨导 二维电子气
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Comparative Toxicity of Nanomaterials to Air-blood Barrier Permeability Using an In Vitro Model
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作者 ZHAO Kang Feng SONG Yu Qing +6 位作者 ZHANG Rui Hua YANG Xiao Yan SUN Bo HOU Zhi Quan PU Xiao Ping DAI Hong Xing BAI Xue Tao 《Biomedical and Environmental Sciences》 SCIE CAS CSCD 2019年第8期602-613,共12页
Objective To comparatively study the toxicity of four metal-containing nanoparticles(MNPs) and their chemical counterparts to the air-blood barrier(ABB) permeability using an in vitro model.Methods ABB model, which wa... Objective To comparatively study the toxicity of four metal-containing nanoparticles(MNPs) and their chemical counterparts to the air-blood barrier(ABB) permeability using an in vitro model.Methods ABB model, which was developed via the co-culturing of A549 and pulmonary capillary endothelium, was exposed to spherical CuO-NPs(divided into CuO-40, CuO-80, and CuO-100 based on particle size), nano-Al2O3(sheet and short-rod-shaped), nano-ZnO, nano-Pb S, CuSO4, Al2(SO4)3, Zn(CH3COO)2, and Pb(NO3)2 for 60 min.Every 10 min following exposure, the cumulative cleared volume(ΔTCL) of Lucifer yellow by the model was calculated.A clearance curve was established using linear regression analysis of ΔTCL versus time.Permeability coefficient(P) was calculated based on the slope of the curve to represent the degree of change in the ABB permeability.Results The results found the increased P values of CuO-40, CuO-80, sheet, and short-rod-shaped nano-Al2O3, Al2(SO4)3, and Pb(NO3)2.Among them, small CuO-40 and CuO-80 were stronger than CuO-100 and CuSO4;no difference was observed between Al2(SO4)3 and sheet and short-rod-shaped nano-Al2O3;and nano-Pb S was slightly weaker than Pb(NO3)2.So clearly the MNPs possess diverse toxicity.Conclusion ABB permeability abnormality means pulmonary toxicity potential.More studies are warranted to understand MNPs toxicity and ultimately control the health hazards. 展开更多
关键词 Air-blood barrier In vitro model PERMEABILITY metal-containing nanoparticles (MNPs) TOXICITY screening
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非均匀重金属污染物在渗透反应屏障中运移规律分析
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作者 江杰 罗豪豪 +3 位作者 欧孝夺 王树飞 余云东 苏建 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期2584-2593,共10页
渗透反应屏障(PRB)修复技术作为一种新兴的原位处理技术,已被广泛应用于地下水污染的修复。在数值模拟时,忽略重金属污染物沿深度的非均匀分布可能导致模拟结果与实际结果产生偏差。为此,本文提出一个标准函数描述重金属污染源沿深度的... 渗透反应屏障(PRB)修复技术作为一种新兴的原位处理技术,已被广泛应用于地下水污染的修复。在数值模拟时,忽略重金属污染物沿深度的非均匀分布可能导致模拟结果与实际结果产生偏差。为此,本文提出一个标准函数描述重金属污染源沿深度的分布,使用二维数值模型模拟含水层和PRB中重金属污染的迁移过程。研究结果表明:假设污染物沿深度均匀分布,由于忽略了稀释作用,可能会使PRB的使用寿命被低估14%,导致PRB的设计过于保守。PRB的突破时间(tb)与污染源顶部到地面距离(z0)无关,但随着污染物分布高度(h)、最大初始质量浓度(C_(in,max))和最小初始质量浓度(C_(in,min))增加而减小,并随PRB厚度(L_(w))增加几乎呈线性增加。本文提出的PRB位置和厚度的优化设计方法可为PRB的工程应用提供参考。 展开更多
关键词 渗透反应屏障 重金属污染 二维运移 非均匀污染
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