含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计

为了降低InPDHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果.

带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.

带复合掺杂层的InP基HBT新结构

对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的p-InGaAs和两层特定厚度但不同掺杂浓度的n-InP层,从仿真结果出发对各种不同结构做出分析,发现这种新结构克服了双异质结双极晶体管的电流阻挡效应,同时很好地解决了传统的双HBT(DHBT)的电子堆积效应和SHBT反向击穿电压低的问题。

BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究

针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小。为进一步调查金属阻挡层的工艺容宽,尝试采用了苛刻的多次合金的方法对当前使用的阻挡层进行考察,发现经过多次合金处理的产品成品率大幅下降,从而确认金属阻挡层的工艺容宽较小。为了改进工艺进行准直溅射阻挡层、不同的金属阻挡层厚度、RTP、小应力阻挡层等试验,并结合多次合金的方法对阻挡层进行了考核。实验结果表明,应力过大是NMOS管漏电的根本原因。最后研发出一种优化的小应力阻挡层菜单,并成功应用于BCD工艺量产中。

新γ-氨基丁酸拟似剂抗癫痫效应的实验研究

目的：研制一种能通过血脑屏障的抗癫痫新药。方法：向兔癫痫模型耳缘静脉内注射４ｍｌＢＤＥＧＡＢＡ（新γ氨基丁酸拟似剂β２乙基γ氨基丁酸）生理溶液后，观察疗效。结果：ＢＤＥＧＡＢＡ可明显抑制癫痫动物模型的癫痫发作和脑电图的癫样棘状波的振幅和频率（与对照组比较在统计学上有显著性差异）。结论：ＢＤＥＧＡＢＡ可通过血脑屏障，发挥明显的抗癫痫作用。