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Competing reduction induced homogeneous oxygen doping to unlock MoS_(2)basal planes for faster polysulfides conversion 被引量:2
1
作者 Da Lei Wenzhe Shang +10 位作者 Xu Zhang Yongpeng Li Xiaoshan Shi Shaoming Qiao Qian Wang Qiang Zhang Ce Hao Hui Xu Guohua Chen Gaohong He Fengxiang Zhang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期26-34,I0002,共10页
The parasitic polysulfides shuttle effect greatly hinders the practical application of lithium sulfur batteries,and this issue can be addressed by promoting polysulfides conversion with catalytic materials such as Mo ... The parasitic polysulfides shuttle effect greatly hinders the practical application of lithium sulfur batteries,and this issue can be addressed by promoting polysulfides conversion with catalytic materials such as Mo S_(2).However,the catalytic activity of Mo S_(2)mainly relies on edge sites,but is limited by inert basal planes.We herein report a novel,facile,ethylene glycol enabled competing reduction strategy to dope Mo S_(2)homogeneously with oxygen atoms so that its inert basal planes can be unlocked.Ethylene glycol works as a reducing agent and competes with thiourea to react with ammonium molybdate,leading to insufficient sulfuration of Mo,and consequent formation of O-Mo S_(2).Our theoretical and experimental investigations indicate that the homogeneously distributed O dopants can create abundant adsorption/-catalytic sites in the Mo S_(2)basal planes,enlarge the inter-plane distance to promote ion transport,and thus enhance the catalytic conversion of polysulfides.The oxygen doped Mo S_(2)(O-Mo S_(2))is supported on carbon nanosheets(CNS)and the composite(O-Mo S_(2)/CNS)is employed to modify the separator of Li-S battery.It gives the battery an initial discharge capacity of 1537 m Ah g-1at 0.2 C,and the battery retains a discharge capacity of 545 m Ah g-1after ultra-long 2000 cycles at 1 C,corresponding to a very small cyclic decay rate of 0.0237%.Even under a raising sulfur loading of 8.2 mg cm^(-2),the Li-S battery also delivers a high discharge capacity(554 m Ah g^(-1))with outstanding cycle stability(84.6%capacity retention)after 100 cycles at 0.5 C.Our work provides a novel,facile approach to fabricate highly catalytically active oxygen-doped Mo S_(2)for advanced Li-S batteries. 展开更多
关键词 Competing reduction One-pot Oxygen-doped MoS_(2) Unlocked basal plane Li-S batteries
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Mn,P共掺杂MoS_(2)微米花的制备及其电解水析氢性能 被引量:1
2
作者 何文远 朱红伟 +5 位作者 熊小燕 王经纬 陈丽娟 凌辉 谢龙 郑学军 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期167-175,共9页
提出一种阴、阳离子共掺杂策略,采用一步水热法成功制备Mn,P共掺杂的MoS_(2)微米花(Mn,P)-MoS_(2)析氢电催化剂。通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、X射线能谱和X射线光电子能谱等方法对(Mn,P)-MoS_(2)的结构、形貌、成分及化... 提出一种阴、阳离子共掺杂策略,采用一步水热法成功制备Mn,P共掺杂的MoS_(2)微米花(Mn,P)-MoS_(2)析氢电催化剂。通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、X射线能谱和X射线光电子能谱等方法对(Mn,P)-MoS_(2)的结构、形貌、成分及化合价态进行表征,并使用电化学工作站对其电解水析氢性能进行测试。结果表明:Mn,P原子被成功掺入MoS_(2)晶格中;(Mn,P)-MoS_(2)在电流密度为10 mA·cm^(-2)时的析氢过电位为235 mV,塔菲尔斜率为61.2 mV·dec^(-1),远低于纯MoS_(2)及单一的Mn或P掺杂MoS_(2),具备良好的析氢稳定性。(Mn,P)-MoS_(2)具有优异的析氢性能可归因于:Mn,P的掺入激活MoS_(2)的惰性基面,优化MoS_(2)的电子结构,提升其电导率,且Mn,P的协同作用实现单一阴离子或阳离子掺杂的互补优势,增加面内析氢活性位点的数目,加快Volmer电化学吸附步骤的进行。 展开更多
关键词 二硫化钼 Mn P共掺杂 析氢反应 电解水 基面活性
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4H-SiC外延层中BPD向TED转化的深度及分布特征 被引量:1
3
作者 王逸民 宋华平 +3 位作者 胡正发 张伟 杨军伟 孙帅 《材料研究与应用》 CAS 2023年第2期342-345,共4页
采用熔融KOH腐蚀法和化学机械抛光技术对低掺杂4H-SiC外延层进行处理,通过共聚焦激光显微镜和偏光显微镜对基晶面位错(BPD)转化为贯穿型刃位错(TED)的过程进行光学表征,对比BPD与TED的腐蚀坑坑壁斜率变化找到转化点,测量了15个BPD-TED... 采用熔融KOH腐蚀法和化学机械抛光技术对低掺杂4H-SiC外延层进行处理,通过共聚焦激光显微镜和偏光显微镜对基晶面位错(BPD)转化为贯穿型刃位错(TED)的过程进行光学表征,对比BPD与TED的腐蚀坑坑壁斜率变化找到转化点,测量了15个BPD-TED转化点的转化深度,发现93%的转化发生在1μm以内的缓冲层中,仅7%发生在1μm以上的漂移层中,并且平均转化深度为0.59μm,表明BPD-TED的转化主要发生在衬底/外延层的交界处,在外延生长初期就已完成转化。BPD-TED的转化研究,对于理解和优化SiC晶体外延生长具有重要意义。 展开更多
关键词 SiC 基晶面位错 贯穿型刃位错 KOH腐蚀 化学机械抛光
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AZ31镁合金蠕变初期的变形特征 被引量:10
4
作者 田素贵 杨景红 +4 位作者 于兴福 孙根荣 金敬铉 徐永波 胡壮麒 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期375-379,共5页
通过蠕变曲线的测定和TEM的形貌观察,研究了AZ31镁合金在蠕变初期的变形特征及组织演化规律.结果表明,蠕 变初期的变形特征是:大量形变产生的<A>位错在合金的基面和非基面滑移, <A+c>位错在锥面滑移.其中<a>位错通过... 通过蠕变曲线的测定和TEM的形貌观察,研究了AZ31镁合金在蠕变初期的变形特征及组织演化规律.结果表明,蠕 变初期的变形特征是:大量形变产生的<A>位错在合金的基面和非基面滑移, <A+c>位错在锥面滑移.其中<a>位错通过位错 分解反应可由一非基面交滑移至另一非基面.随蠕变进行,高密度的形变位错发生动态回复,可进一步束集形成位错胞和位错墙. 蠕变初始阶段,在应力的作用下,适当取向的晶体发生孪生,并作为一种附加的变形机制而改善合金的韧性. 展开更多
关键词 AZ31镁合金 蠕变 位错 基面和非基面滑移 孪晶
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磁控溅射沉积高承载、低摩擦MoS_2/Ti复合薄膜 被引量:16
5
作者 关晓艳 王立平 +1 位作者 张广安 蒲吉斌 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期259-265,共7页
采用磁控溅射技术制备了不同Ti含量的Mo S2/Ti复合薄膜,利用SEM、AFM、纳米压痕仪、XRD和CSM摩擦试验机分析了复合薄膜的结构、力学和摩擦学性能.结果表明:复合薄膜结构致密,表面光滑平整,且具有较高的硬度,Ti含量较低的Mo S2/Ti复合薄... 采用磁控溅射技术制备了不同Ti含量的Mo S2/Ti复合薄膜,利用SEM、AFM、纳米压痕仪、XRD和CSM摩擦试验机分析了复合薄膜的结构、力学和摩擦学性能.结果表明:复合薄膜结构致密,表面光滑平整,且具有较高的硬度,Ti含量较低的Mo S2/Ti复合薄膜呈现以(002)基面为主的择优取向;在大气环境下,赫兹接触应力为2.5 GPa的摩擦工况下,Ti含量较低的Mo S2/Ti复合薄膜的摩擦系数低至0.02,磨损率低至10-17m3/(N·m)数量级,呈现出高承载、低摩擦、耐磨损的优异摩擦学性能.这是由于Ti的掺杂一方面提高了复合薄膜的力学和抗氧化性能,另一方面复合薄膜的(002)基面取向对其摩擦磨损性能发挥了重要作用. 展开更多
关键词 MoS2/Ti复合薄膜 高承载 (002)基面 摩擦学性能
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高塑性Mg-Gd-Zn镁合金管材的组织和力学性能研究 被引量:4
6
作者 刚建伟 陈晓霞 +1 位作者 唐伟能 陈荣石 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期87-94,共8页
为了制备高塑性镁合金无缝管材,将具有不同初始组织的Mg-3%Gd-1%Zn(质量分数/%,以下简称GZ31)合金空心锭在420~480℃挤压成无缝管材,采用金相显微镜、扫描电镜、X射线衍射分析和拉伸试验等表征了管材的组织和力学性能.结果表明:GZ31镁... 为了制备高塑性镁合金无缝管材,将具有不同初始组织的Mg-3%Gd-1%Zn(质量分数/%,以下简称GZ31)合金空心锭在420~480℃挤压成无缝管材,采用金相显微镜、扫描电镜、X射线衍射分析和拉伸试验等表征了管材的组织和力学性能.结果表明:GZ31镁合金无缝管材较AZ31具有更弱的基面纤维织构;420℃一次挤压成形的GZ31管材由于组织中还存在粗大的原始晶粒,导致室温伸长率较低;440℃及以上挤压时得到完全再结晶组织,且随挤压温度升高,再结晶晶粒和第二相尺寸逐渐增大;经过一次挤压开坯后再在440℃二次挤压的无缝管材具有更细小的平均晶粒尺寸(约12μm),其室温伸长率高达35%,明显优于传统AZ31以及一次挤压成形的GZ31镁合金无缝管材. 展开更多
关键词 Mg-3%Gd-1%Zn镁合金 挤压 无缝管材 基面纤维织构 室温伸长率
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涂料型防滑表层体系界面强度的试验研究 被引量:1
7
作者 李立寒 陈春羽 王飞 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期759-763,共5页
选择丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂这3种胶黏剂来构成涂料型防滑表层体系,采用拉拔试验研究了涂料型防滑表层体系的界面强度,并采用水浸、油蚀和紫外光照射等方法分析了使用条件对涂料型防滑表层体系界面强度的影响.结果表明:涂料... 选择丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂这3种胶黏剂来构成涂料型防滑表层体系,采用拉拔试验研究了涂料型防滑表层体系的界面强度,并采用水浸、油蚀和紫外光照射等方法分析了使用条件对涂料型防滑表层体系界面强度的影响.结果表明:涂料型防滑表层体系的界面强度随着养护龄期的增加而增大;丙烯酸树脂胶黏剂-防滑体系的抗热老化性较差,环氧树脂和聚氨酯树脂胶黏剂-防滑体系的抗热老化性能良好,水浸、油蚀作用会对胶黏剂-防滑体系界面产生不同程度的影响;环氧树脂胶黏剂-防滑体系适宜在沥青和水泥路面使用,丙烯酸树脂胶黏剂-防滑体系则更适用于沥青路面,聚氨酯树脂胶黏剂-防滑体系仅适用于水泥路面. 展开更多
关键词 防滑表层体系 界面强度 耐久性 胶黏剂 基面
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制备工艺对熔喷非织造布基平面网结构的影响 被引量:3
8
作者 金关秀 祝成炎 《纺织导报》 CAS 2018年第1期67-70,共4页
为探讨制备工艺参数对熔喷非织造布纤网结构的影响,按计量泵频率、网帘频率和接收距离的不同组合制备了13种聚丙烯熔喷非织造布,借助基平面网对纤网细观结构进行表征以简化研究。结果表明:随着计量泵频率的提高,纤维直径及其变异系数均... 为探讨制备工艺参数对熔喷非织造布纤网结构的影响,按计量泵频率、网帘频率和接收距离的不同组合制备了13种聚丙烯熔喷非织造布,借助基平面网对纤网细观结构进行表征以简化研究。结果表明:随着计量泵频率的提高,纤维直径及其变异系数均增大,基平面网特征长度和层数均下降;随着网帘频率的提高,基平面网特征长度和层数均下降,同时取向度提高;随着接收距离的增大,纤维直径及其变异系数均增大,基平面网的特征长度减小但其层数增加,同时取向度下降。 展开更多
关键词 熔喷非织造布 纤网结构 基平面网 制备工艺参数
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硬质合金中WC晶面取向分布形成的机理研究 被引量:2
9
作者 王西龙 刘雪梅 +2 位作者 王海滨 刘兴伟 宋晓艳 《中国体视学与图像分析》 2016年第1期107-116,共10页
采用本研究组原创的原位合成短流程专利技术,结合制备方案和工艺参数优化,研制出了具有高度WC特征晶面取向分布的WC-Co硬质合金块体材料。利用X射线衍射分析和背散射电子衍射(EBSD)方法对所制备的硬质合金材料的物相组成、取向特征进行... 采用本研究组原创的原位合成短流程专利技术,结合制备方案和工艺参数优化,研制出了具有高度WC特征晶面取向分布的WC-Co硬质合金块体材料。利用X射线衍射分析和背散射电子衍射(EBSD)方法对所制备的硬质合金材料的物相组成、取向特征进行了系统的表征研究,同时对WC特征晶面取向分布形成机理从粉末物相组成和烧结过程参数两个方面进行了分析讨论。研究结果表明:WC晶粒呈现明显的板状晶,硬质合金块体在垂直于烧结压力方向上具有WC晶粒基面(0001)择优取向分布,在平行于烧结压力方向上,基面面积分布比例明显减少,相应的出现了WC晶粒柱面(10-10)的择优取向分布。粉末中缺碳相含量和烧结过程中辅助压力的大小对最终制备的合金块体WC晶粒的取向分布起着决定性的作用,缺碳相在烧结的过程中进一步碳化形成板状WC晶粒并在压力的作用下趋于基面垂直于压力方向分布为块体中WC特征晶面取向分布的主要形成机制。 展开更多
关键词 EBSD 基面择优分布 硬质合金 板状晶
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Auto CAD数字化图解技术的研究与应用 被引量:1
10
作者 屈振生 《辽宁工程技术大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2001年第1期96-98,共3页
利用 AutoCAD工具软件以求解画法几何问题为例,研究如何利用 AutoCAD各种设计工具实现数字化图解的方法和应用技术,进而提高图解的精确性和效率。
关键词 图解法 AUTO CAD 坐标过滤 基面投影 工程图学 画法几何
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4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究
11
作者 李佳 蔚翠 +3 位作者 刘庆彬 芦伟立 冯志红 杨霏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期938-941,共4页
在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的... 在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的转化和延伸理论机制,并讨论了不同导电类型的SiC材料在熔融KOH腐蚀液中的腐蚀机制。结果表明基矢面位错在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中转化为刃位错;n型SiC在熔融KOH中的腐蚀,是电化学腐蚀占主导、各向同性的腐蚀过程,而p型SiC表现出各向异性的腐蚀特性。 展开更多
关键词 SIC KOH 外延 基矢面位错(BPD) 腐蚀
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理想柔性石墨抗拉强度的计算机模拟
12
作者 高勇 刘虎 顾家琳 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第3期7-13,共7页
依据柔性石墨强度的物理模型和已知的石墨性能与结构参数,同时考虑到压轧过程中回弹率和微晶取向角的变化,利用有关的摩擦学知识,试探对理想柔性石墨抗拉强度进行计算机模拟,最终计算求得柔性石墨的理论抗拉强度,进而比较了计算结... 依据柔性石墨强度的物理模型和已知的石墨性能与结构参数,同时考虑到压轧过程中回弹率和微晶取向角的变化,利用有关的摩擦学知识,试探对理想柔性石墨抗拉强度进行计算机模拟,最终计算求得柔性石墨的理论抗拉强度,进而比较了计算结果与实验结果,讨论了模型的适用范围。 展开更多
关键词 柔性石墨 抗拉强度 静摩擦力 计算机模拟
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云南思茅盆地基底构造电性特征研究 被引量:2
13
作者 徐新学 《石油物探》 EI CSCD 2007年第2期207-212,共6页
通过对思茅盆地21条剖面,共1 007个测点的大地电磁测深资料的分析,采用有效视电阻率概念对剖面进行反演处理,继而从电性特征方面对坳陷的双重基底构造进行了研究。研究成果表明:坳陷内中生界侏罗系、元古界浅中变质岩是剖面构造层追踪... 通过对思茅盆地21条剖面,共1 007个测点的大地电磁测深资料的分析,采用有效视电阻率概念对剖面进行反演处理,继而从电性特征方面对坳陷的双重基底构造进行了研究。研究成果表明:坳陷内中生界侏罗系、元古界浅中变质岩是剖面构造层追踪和划分的标志层;基底平面特性上除中央凸起外,呈现自东西两侧向中央逐步下降的三级构造格局;古生界沉积变质基底的起伏与结晶基底间有一定的继承关系,但局部起伏范围、位置因多期的构造运动而表现较大区别。 展开更多
关键词 思茅盆地 基底构造 电性特征 基地平面特性 大地电磁测深
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Investigation of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer
14
作者 苗瑞霞 张玉明 +2 位作者 张义门 汤晓燕 盖庆丰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第7期425-429,共5页
This paper reports that the etching morphology of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer is observed by using a scanning electronic microscope. It is found that different types of dislocations correspond wit... This paper reports that the etching morphology of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer is observed by using a scanning electronic microscope. It is found that different types of dislocations correspond with different densities and basal plane dislcation (BPD) array and threading edge dislocation (TED) pileup group lie along some certain crystal directions in the epilayer. It is concluded that the elastic energy of threading screw dislocations (TSDs) is highest and TEDs is lowest among these dislocations, so the density of TSDs is lower than TEDs. The BPDs can convert to TEDs but TSDs can only propagate into the epilyer in spite of the higher elastic energy than TEDs. The reason of the form of BPDs array in epilayer is that the big step along the basal plane caused by face defects blocked the upstream atoms, and TEDs pileup group is that the dislocations slide is blocked by dislocation groups in epilayer. 展开更多
关键词 elastic energy basal plane dislcations threding edge dislocations threading screw dislocations
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基于基图像提取的二维经验模式分解方法 被引量:2
15
作者 易成涛 李伟 +1 位作者 金鑫 黄谦 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2014年第A02期274-275,343,共3页
在图像处理中,传统经验模式分解(BEMD)方法存在图像边缘处的跳跃特性而造成的原图像细节丢失,以及分解图像中存在的严重"灰度斑"现象和原图像边缘信息无法保留在分量中等问题。提出一种先利用加权最小二乘估计提取基图像后进... 在图像处理中,传统经验模式分解(BEMD)方法存在图像边缘处的跳跃特性而造成的原图像细节丢失,以及分解图像中存在的严重"灰度斑"现象和原图像边缘信息无法保留在分量中等问题。提出一种先利用加权最小二乘估计提取基图像后进行BEMD分解的方法用来克服上述问题。实验证明,这种方法可以很好地保留细节和边缘信息,并极大减弱了"灰度斑"现象。 展开更多
关键词 经验模式分解 二维经验模式分解 基平面 加权最小二乘估计 基图像
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基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究
16
作者 胡小波 《广西科学》 CAS 2015年第5期457-461,共5页
[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯... [目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm^2,基平面弯曲半径近似为1m。 展开更多
关键词 基本螺位错 基平面弯曲 6H-SiC单晶 同步辐射白光形貌术 X射线迹线法
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井用潜水泵锥形套极限偏差的合理设计
17
作者 姜永梅 张佳兴 《机械工程师》 2009年第11期36-37,共2页
针对泵轴和叶轮是用锥形套联接并传递扭矩方式的井用潜水电泵,给出了井用潜水电泵叶轮内孔及锥形套外径极限偏差的合理设计方案,解决了潜水电泵由于锥形套的接触面积不够大,在运行中经常出现叶轮脱落的现象,并举实例进行计算。
关键词 潜水电泵 锥形套 基面距 极限偏差
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零偏4H-SiC衬底的同质外延方法 被引量:1
18
作者 孙哲 吕红亮 +6 位作者 王悦湖 贾仁需 汤晓燕 张玉明 张义门 杨霏 钮应喜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第1期48-52,共5页
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法... 基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析。测量结果表明,4H-SiC占整个外延表面积的99%以上,此外,该工艺消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错,提高了外延层的质量。同时对零偏4H-SiC衬底的同质外延的工艺过程和理论进行了研究和讨论,实验发现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数、碳硅原子比以及生长温度对于维持外延层晶型、避免3C-SiC多型的产生具有重要影响。 展开更多
关键词 零偏4H—SiC 同质外延 基面位错 原位刻蚀 化学气相沉积(CVD)
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基面旋转法若干概念的思考与应用
19
作者 陈舒拉 胡立炜 《机械工程师》 2010年第6期25-27,共3页
最小条件是形位误差的检测原则,根据形位公差项目的不同而呈现不同的内涵和外延,用发散性思维求解出唯一的收敛性答案,是此类检验的显著特征。以平面度检测为例,最小条件的实现往往采用基面旋转法,但其旋转的技巧因人而异。文中归纳了... 最小条件是形位误差的检测原则,根据形位公差项目的不同而呈现不同的内涵和外延,用发散性思维求解出唯一的收敛性答案,是此类检验的显著特征。以平面度检测为例,最小条件的实现往往采用基面旋转法,但其旋转的技巧因人而异。文中归纳了基面旋转法的一般流程和方法要领,论述了平面度误差检验合格的充要条件,并对第二代GPS在平面度误差检测环节中的作用进行了探讨。 展开更多
关键词 基面旋转法 最小条件 检测
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4H-SiC同质外延基面位错的转化 被引量:2
20
作者 杨龙 赵丽霞 吴会旺 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第3期250-254,共5页
采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外... 采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外延生长过程中同时存在台阶流生长和侧向生长(即垂直于台阶方向)两种模式,当侧向生长模式占主导时,能够有效地抑制基面位错向外延层的延伸;当台阶流生长模式占主导时,基面位错延伸至外延层。结果表明,随着碳硅比增加,外延层基面位错密度能够降低至0.05 cm-2,这是由于侧向生长增强导致的。通过优化碳硅比,能够制备出高质量的4H-SiC同质外延片,其基面位错密度和表面缺陷密度分别为0.09和0.12 cm-2。 展开更多
关键词 4H-SIC 同质外延片 基面位错(BPD) 刃位错 侧向生长 碳硅比
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