Chopping-peaking开关形成高功率超宽带双极脉冲的实验研究

设计研制了一种chopping peaking组合开关型高功率双极脉冲形成装置,通过调节两个开关的导通时刻来得到不同形状的双极脉冲。理想情况下,形成的双极脉冲电压峰 峰值等于入射脉冲峰值电压的2倍,实验中入射脉冲峰值电压为205kV的单极脉冲,获得了最大峰 峰电压为360kV的双极脉冲,是入射脉冲峰值电压的1.76倍。双极脉冲的持续时间可以改变,最大值为单极脉冲的脉宽。入射脉冲上升时间越小,得到的双极脉冲峰 峰电压就越大。

高龄骨质疏松性转子间骨折和股骨颈骨折的半髋置换疗效比较

目的：比较半髋（双极股骨头）置换治疗高龄骨质疏松性股骨转子间骨折（结合克氏针张力带固定）和股骨颈骨折的疗效是否相似。方法：2004年1月至2010年12月,应用双极股骨头置换结合克氏针张力带固定治疗高龄骨质疏松性股骨转子间骨折132例（女91例,男41例,手术时年龄为75~99岁,平均年龄80.2岁,按Tronzo Evans分型,Ⅳ型98例,Ⅲ型23型,Ⅱ型11例）和单纯半髋置换治疗股骨颈骨折135例（女87例,男48例,手术时年龄为74~95岁,平均年龄79.5岁,按Garden分型,Ⅳ型52例,Ⅲ型78型,Ⅱ型5例）。按世界卫生组织对于骨质疏松的诊断标准,所有患者均为严重骨质疏松。对手术时间、出血量、下地时间、住院时间、围手术期和术后长期随访并发症、Harris评分和SF-12量表评分结果进行了比较研究。结果：术后手术切口均一期愈合。转子间骨折组和股骨颈骨折组分别有112例和118例患者获得随访,时间2~5年,平均随访3.1年。转子间骨折组患者手术时间较股骨颈骨折组长（Z=13.003,P=0.000）,余差异未见明显统计学意义（P〉0.05）。转子间骨折组术后1月内死亡2例,股骨颈骨折组3例,但差异无统计学意义（P〉0.05）,其他并发症统计差异亦无意义（P〉0.05）,2组术后1.5月和术后2年髋关节功能Harris评分和SF-12评分差异无统计学意义（P〉0.05）。结论：应用双极股骨头置换结合克氏针张力带固定治疗高龄骨质疏松性股骨转子间骨折是有效的方法之一,可以收到和髋关节置换治疗老年骨质疏松性股骨颈骨折相似的效果,值得临床推广。

威宁X波段双偏雷达与昭通C波段天气雷达回波强度对比

为了能够更加准确地预警贵州威宁及其周边地区的冰雹和其他强对流天气过程,尽可能多的减小各型雷达回波强度的差异,以昭通C波段天气雷达为基准,选取昭通C波段天气雷达和威宁X波段双偏雷达同步观测体扫资料,对3组强对流天气过程回波特征进行了详尽的对比分析,结果表明:威宁X波段双偏雷达与昭通C波段天气雷达回波强度测量值存在一定的误差,前者回波强度整体较后者偏大;观测目标距离两者越近回波强度误差值越小,反之越大;两者对距离较近的观测目标回波强度值一致性较好。

红外反射光谱电化学中双极峰的三种起源

本文结合实验数据用计算机模拟方法对现场电化学调制红外反射吸收光谱(SNIFTIRS)中双极峰的三种起源进行了解析。所研究的电化学体系为CO/Pt,CN-/Pt和吡啶/Cu。

一款低附加相位噪声X波段四倍频MMIC的设计

基于GaAs异质结双极性晶体管（HBT）工艺设计了一款输出频率为8~10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制。基于GaAs HBT工艺优良的闪烁噪声（1/f）特性,优化了对管平衡电路拓扑和工作点的选取,达到低附加相位噪声的设计目标。对MMIC进行了在片微波探针测试,测试结果表明,当输入功率为-10 dBm时,在8~10 GHz输出频率内变频增益大于13 dB,二次谐波抑制大于18 dBc,其余各次抑制优于27 dBc。电路采用单电源5 V供电,工作电流为55 mA,芯片面积仅为1.3 mm×1.1 mm。介绍了附加相位噪声及其对频率源系统的影响,并分析了正交鉴相法测量相位噪声的原理,所设计的MMIC在输出频率为9 GHz、频偏100 kHz时附加相位噪声达到-143 dBc/Hz。

100MW重复频率超宽带脉冲辐射源的实验研究

介绍了利用充氮气自击穿开关产生双极脉冲，并通过同轴双锥天线辐射的实验研究。实验获得电压约±１００ｋＶ，脉冲宽度小于等于３．６ｎｓ，工作频率单次、１０Ｈｚ和１００Ｈｚ的双极脉冲；同轴双锥天线带宽１５０ＭＨｚ～１ＧＨｚ，峰值功率辐射效率达６５％。

基于超宽带极窄脉冲发生器的分析

讨论了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极脉冲发生器,并对其电路及双极性晶体管雪崩的工作原理进行了具体分析．通过实验获得了输出脉冲宽度为皮秒级的极窄脉冲,该脉冲的宽度、上升时间和幅度均较好地符合了极窄脉冲的要求．

具有带隙结构的迟滞比较器电路设计

基于LED驱动的微功耗DC-DC转换器,针对低压高稳定性的要求设计了一款具有带隙结构的迟滞比较器电路,它的最低输入电压为1.2 V,其核心电路有带隙基准比较器、射极跟随器和迟滞比较器。整个电路采用Bipolar工艺设计,利用HSpice软件对所设计的电路进行了仿真与验证。结果表明,迟滞比较器的迟滞电压为8 mV,翻转门限电压随输入电压和温度的变化均很小。

金刚石半导体器件的研究与展望

介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时。

应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路。在3.3 V电源电压下测试结果表明,对于band-V(CLR)频段,PA的线性输出功率P1 dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34%。对于band-I(IMT)频段,PA的P1 dB为26.3 dBm,PAE为31%。

DC-DC转换器中低压迟滞比较器的电路设计

传统带隙电压基准和迟滞比较器需要至少2V以上的输入电压,而且占芯片面积较大。针对低压微功耗的要求,设计一种具有带隙结构的迟滞比较器电路,工作电压可低至1.2V。整个芯片的静态电流只有40uA。电路基于Bipolar工艺设计,利用Hspice软件仿真,结果表明:根据产品的电池电压不同,设计效率高达85%,迟滞比较器的迟滞电压为8mV,翻转门限电压随输入电压和温度的变化均很小。

基于频段导向的PWM逆变器主动热管理控制

对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)进行主动热管理,是提高器件使用寿命和降低逆变器运行维护成本的有效途径,然而,输出频率对器件的结温性能的影响往往被忽略。因此,基于频段导向,针对电压型PWM逆变器提出了一种主动热管理控制的新方法。通过损耗计算和实时结温观测,在低输出频率区域采用滞环控制调节开关频率,在高输出频率区域对电流进行限幅。仿真结果表明,该控制策略能有效降低器件平均结温和结温波动,提高热容量利用率,改善逆变器可靠性,延长器件使用寿命。

一种应用于W-CDMA的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器(英文)

设计了一款微波单片集成电路功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的交流偏置点的偏离.电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路提高了电路增益.通过在偏置管的基极并联一个电容进一步改善了功率放大器的线性.该芯片采用InGaP/GaAsHBT工艺制作.测试结果表明:该放大器具有26.6dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为33.6%,ACPR为-40.2dBc.

一种新型隧穿场效应晶体管

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。

体表心电图预测左心室条束的初步探讨

目的 尝试用体表心电图来预测左心室条束存在的可能性。方法 选择 60例观察对象 ,以体表心电图标准双极肢导RⅡ ≥ 1.5mV 3 0例为甲组 ,RⅡ <1.5mV 3 0例为乙组 ,甲乙两组全部进行常规心电图及超声心动图检查对照。结果 甲组 3 0例中 2 2例 (73 .3 3 % ) ,乙组 3 0例中仅 1例 (3 .3 3 % )被超声心动图证实为左心室条束。两组比较P <0 .0 1。结论 以体表心电图标准双极肢导RⅡ ≥ 1.5mV来预测左心室条束存在是可能的 ,但一定要结合临床表现。

机械应力对双极晶体管β的影响研究

在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程度上升。应用能带理论分析了应力对双极晶体管β的影响机制。结果表明,体硅(100)晶面内的应力对纵向NPN和纵向PNP管的β均有很大影响,并通过实验得到了验证。

新型锗硅应变层异质结构双极器件研究进展

新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代.现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能.本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构双极器件的研究现状及发展,着重讨论了锗硅应变层的性质和以锗硅应变层作基区的异质结双极器件的性能及其应用前景.

锂离子电池充电器中基准源的设计

分析了双极型和 CMOS型基准电压源的特点 ,在此基础上提出了一种新型的 BI CMO S基准电压源 ,并对他的工作原理进行了分析。

MWNTs-SiO_2-Si结构中的双极电阻效应

MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630?/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻灵敏度分析。根据平衡状态下的电子分布模型提出了MWNTs-SiO2-Si结构的能带图。结合实验结果和理论模型,用有效电子密度理论解释了双极电阻效应的机理。