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Challenges in Processing Diamond Wire Cut and Black Silicon Wafers in Large-Scale Manufacturing of High Efficiency Solar Cells 被引量:2
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作者 Kishan Shetty Yudhbir Kaushal +2 位作者 Nagesh Chikkan D. S. Murthy Chandra Mauli Kumar 《Journal of Power and Energy Engineering》 2020年第2期65-77,共13页
Texturing of diamond wire cut wafers using a standard wafer etch process chemistry has always been a challenge in solar cell manufacturing industry. This is due to the change in surface morphology of diamond wire cut ... Texturing of diamond wire cut wafers using a standard wafer etch process chemistry has always been a challenge in solar cell manufacturing industry. This is due to the change in surface morphology of diamond wire cut wafers and the abundant presence of amorphous silicon content, which are introduced from wafer manufacturing industry during sawing of multi-crystalline wafers using ultra-thin diamond wires. The industry standard texturing process for multi-crystalline wafers cannot deliver a homogeneous etched silicon surface, thereby requiring an additive compound, which acts like a surfactant in the acidic etch bath to enhance the texturing quality on diamond wire cut wafers. Black silicon wafers on the other hand require completely a different process chemistry and are normally textured using a metal catalyst assisted etching technique or by plasma reactive ion etching technique. In this paper, various challenges associated with cell processing steps using diamond wire cut and black silicon wafers along with cell electrical results using each of these wafer types are discussed. 展开更多
关键词 DIAMOND WIRE CUT black SILICON Slurry wafers Amorphous SILICON Additives Etching and TEXTURIZATION
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声表面波用压电晶体的新进展(英文) 被引量:1
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作者 徐家跃 武安华 +3 位作者 陆宝亮 张爱琼 范世■ 夏宗仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期553-558,共6页
报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga... 报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5~ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。 展开更多
关键词 声表面波 压电晶体 改进型坩埚下降法 晶体生长 LiB4O7 硼酸锂 低静电黑片 Sr3Ga2Ge4O14晶体
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钼圆表面缺陷的形成机理及质量控制
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作者 张明明 张多 +2 位作者 高澜漪 吕光哲 郭晓影 《辽宁科技学院学报》 2018年第5期17-20,共4页
为弄清钼圆表面黑斑和白点的产生原因,采用光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对其进行形貌分析,使用能谱仪(EDS)对表面缺陷进行了成分分析,以此为基础,对黑斑和白点的形成分别进行了模拟实验。结果表明,在氢气还原处理后的Mo粉中加入适量Fe... 为弄清钼圆表面黑斑和白点的产生原因,采用光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对其进行形貌分析,使用能谱仪(EDS)对表面缺陷进行了成分分析,以此为基础,对黑斑和白点的形成分别进行了模拟实验。结果表明,在氢气还原处理后的Mo粉中加入适量Fe/Ni/C和C/SiO_2/CaO粉后,在钼圆表面分别发现了黑斑和白点。这说明Fe-Ni-C和C-O-Mo杂质是造成黑斑和白点的主因。因此,采取必要手段严格控制钼粉原料中Fe/Ni和C/O杂质的含量,是减少和消除黑斑和白点的根本途径。 展开更多
关键词 钼圆 黑斑 白点 Fe-Ni-C杂质 C-O-Mo杂质
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金刚线切多晶硅片湿法黑硅技术研究进展 被引量:1
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作者 陈文龙 孟召标 《广东化工》 CAS 2017年第12期183-184,共2页
金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益。本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,... 金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益。本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,指出其具有良好的产业化前景。 展开更多
关键词 金刚线切 多晶硅片 湿法黑硅
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反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池 被引量:3
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作者 刘文峰 赵增超 +2 位作者 周子游 黄海龙 蔡先武 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期880-885,共6页
为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究... 为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。 展开更多
关键词 黑硅 太阳电池 反射率 金刚线切多晶硅片
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