离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)

建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。

极谱络合吸附波测定化探样品中有效硼

化探样品中有效硼的极谱法测定,首先用1∶2盐酸分解试样,在含有0.004％铍试剂Ⅲ和1％EDTA 的醋酸—醋酸钠缓冲溶液中,硼与铍试剂Ⅲ形成电活性络合物并吸附在电极上,络合物中铍试剂Ⅲ在电极上产生吸附波。峰电位为-0.64V(对银电极)。检出限 C_(min)=0.0034μg/ml B,硼的浓度在0.0068—0.5μg/ml 的范围内与波高呈良好的线性关系。该方法操作简单、快速,可用于大批量样品的测试。