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碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析
1
作者
常永嘉
皇华
黄文龙
《电子科技》
2012年第8期86-89,共4页
利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机...
利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。
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关键词
单壁碳纳米管
随机网络
场效应晶体管
荫罩式电子束蒸发
底栅
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职称材料
题名
碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析
1
作者
常永嘉
皇华
黄文龙
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《电子科技》
2012年第8期86-89,共4页
文摘
利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。
关键词
单壁碳纳米管
随机网络
场效应晶体管
荫罩式电子束蒸发
底栅
Keywords
SWCNTs
random networks
field effect transistor
shadow mask electron beam evaporation
bot-tom-gate
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析
常永嘉
皇华
黄文龙
《电子科技》
2012
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