期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
被引量:
1
1
作者
池雅庆
郝跃
+1 位作者
冯辉
方粮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1818-1822,共5页
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击...
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
展开更多
关键词
LDMOS
RESURF
漏区边界曲率半径
击穿电压
导通电阻
下载PDF
职称材料
题名
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
被引量:
1
1
作者
池雅庆
郝跃
冯辉
方粮
机构
国防科技大学计算机学院微电子研究所
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1818-1822,共5页
基金
国防预先研究基金
陕西省电子发展基金资助项目~~
文摘
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
关键词
LDMOS
RESURF
漏区边界曲率半径
击穿电压
导通电阻
Keywords
LDMOS
RESURF
boundary curvature radius of drain region
breakdown voltage
on-resistance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
池雅庆
郝跃
冯辉
方粮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部