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基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化 被引量：1
1
作者 池雅庆 郝跃 +1 位作者 冯辉 方粮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1818-1822,共5页
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击... 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻. 展开更多
关键词 LDMOS RESURF 漏区边界曲率半径 击穿电压 导通电阻
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