Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究

论述以SiH_4+Ar+N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。

不同波形高功率微波大气击穿研究

基于高功率微波实际波形的多样性,建立了计算不同波形大气击穿阈值方法仿真模型。通过该模型,分别计算了波形为锯齿形、正弦形、梯形及矩形高功率微波在不同高度上的击穿阈值,计算结果与实际情况相符。

钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。

200kV直流电子式电压互感器测量故障分析与处理

根据一起±200kV EVT(直流电子式电压互感器)出现后台显示电压偏高的现象,经设备故障分析与现场检测,查证了故障发生的原因是EVT的电阻盒内部6路并联分压电阻中的最后1路电阻击穿开路,导致EVT的直流高压分压器输出信号进行二次分压时产生异常信号,并通过光纤传输至合并单元及直流控制保护系统,出现后台电压测量异常并导致保护误动,提出了对应的防范措施。

TG328型电光天平维修两例

以实验中常用的电光分析天平出现的两例疑难故障进行判断和维修.

可编程序控制器在缸套加工自动线上应用

本文根据YX—UXOI型缸套加工自动线工艺流程,采用可编程序控制器新技术解决了原传统“继电——接触器”控制中存在故障率高,自动化水平低问题,特别是利用软件编程,较好地解决了故障报警,步进循环、安全退刀等技术问题。

介质表面附近微波大气击穿的理论研究

将麦克斯韦方程组和简化等离子体方程耦合求解,对介质表面附近大气击穿形成等离子体的过程进行了理论研究.分别使用一维、二维模型对等离子体的形成过程及等离子体对电磁波的反射、吸收过程进行了模拟研究.一维计算结果发现在ne=0,j=0两种边界条件下,虽然形成的等离子体密度分布相差较大,但二者得到的微波反射、吸收、透射波形彼此相差不大.初始电子数密度厚度为20 mm的条件下,得到界面附近的等离子体密度大于5 mm厚度的情况.二维计算结果发现,由于TE10模在波导中心位置处的微波电场最强,电子碰撞电离首先在中心位置处形成等离子体,当等离子体密度达到一定值(临界密度附近)时,波导中心介质表面处微波场强减小,等离子体区域沿着介质表面向两侧移动.TE10模在波导边缘处微波电场强度小于击穿阈值,因此等离子体区域不可能移动到波导边缘附近.