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Numerical Study and Optimization of CZTS-Based Thin-Film Solar Cell Structure with Different Novel Buffer-Layer Materials Using SCAPS-1D Software
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作者 Md. Zamil Sultan Arman Shahriar +4 位作者 Rony Tota Md. Nuralam Howlader Hasibul Haque Rodro Mahfuja Jannat Akhy Md. Abir Al Rashik 《Energy and Power Engineering》 2024年第4期179-195,共17页
This study explored the performances of CZTS-based thin-film solar cell with three novel buffer layer materials ZnS, CdS, and CdZnS, as well as with variation in thickness of buffer and absorber-layer, doping concentr... This study explored the performances of CZTS-based thin-film solar cell with three novel buffer layer materials ZnS, CdS, and CdZnS, as well as with variation in thickness of buffer and absorber-layer, doping concentrations of absorber-layer material and operating temperature. Our aims focused to identify the most optimal thin-film solar cell structure that offers high efficiency and lower toxicity which are desirable for sustainable and eco-friendly energy sources globally. SCAPS-1D, widely used software for modeling and simulating solar cells, has been used and solar cell fundamental performance parameters such as open-circuited voltage (), short-circuited current density (), fill-factor() and efficiency() have been optimized in this study. Based on our simulation results, it was found that CZTS solar cell with Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S as buffer-layer offers the most optimal combination of high efficiency and lower toxicity in comparison to other structure investigated in our study. Although the efficiency of Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S, ZnS and CdS are comparable, Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S is preferable to use as buffer-layer for its non-toxic property. In addition, evaluation of performance as a function of buffer-layer thickness for Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S, ZnS and CdS showed that optimum buffer-layer thickness for Cd<sub>0.4</sub>Zn<sub>0.6</sub>S was in the range from 50 to 150nm while ZnS offered only 50 – 75 nm. Furthermore, the temperature dependence performance parameters evaluation revealed that it is better to operate solar cell at temperature 290K for stable operation with optimum performances. This study would provide valuable insights into design and optimization of nanotechnology-based solar energy technology for minimizing global energy crisis and developing eco-friendly energy sources sustainable and simultaneously. 展开更多
关键词 Thin-Film Solar Cell CZTS buffer-layer Renewable Energy Green-House Gases Efficiency
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The Magnetoresistance of Nanostructured Co-ZnO Films with ZnO Buffer-Layers
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作者 Xiaoli Li Long Cheng +7 位作者 Long Cheng Yalei Wang Yan Gao Zhiyong Quan Xiufang Qin Harry J. Blythe Gillian A. Gehring Xiaohong Xu 《Materials Sciences and Applications》 2014年第14期996-1003,共8页
Co-ZnO films were prepared on oxidised silicon by magnetron sputtering at room temperature both with and without a ZnO buffer-layer. The Co-ZnO films consisted of Co particles dispersed in a semiconductor matrix. The ... Co-ZnO films were prepared on oxidised silicon by magnetron sputtering at room temperature both with and without a ZnO buffer-layer. The Co-ZnO films consisted of Co particles dispersed in a semiconductor matrix. The combination of a Co-ZnO layer and a ZnO buffer-layer has a higher magnetoresistance than the Co-ZnO layer alone on an insulating Si substrate. The causes of this effect were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy, depth profiling using Auger electron spectroscopy and electrical resistance as well as measurements of the change in the saturation magnetisation, the field cooled- and zero field cooled-magnetisation. This work has shown clearly what criteria are needed to optimise the magnetoresistance and how these conditions may be met by adding a buffer-layer thus making granular films based on ZnO more suitable for applications as field sensors. 展开更多
关键词 MAGNETRON SPUTTERING MAGNETORESISTANCE ZNO buffer-layer
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高压XLPE电缆缓冲层缺陷研究现状综述 被引量:1
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作者 邱玮 章宇聪 +4 位作者 谢亿 曹先慧 刘维可 胡俊 李湘珺 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第4期13-21,共9页
高压交联聚乙烯电缆因缓冲层缺陷引发的故障频发,已严重威胁到电力系统的安全运行。本文首先介绍了缓冲层的基本结构和作用,并在此基础上梳理了目前国内外对于缓冲层失效的相关研究;其次从缓冲层的材料特征和内部结构等角度结合电场仿... 高压交联聚乙烯电缆因缓冲层缺陷引发的故障频发,已严重威胁到电力系统的安全运行。本文首先介绍了缓冲层的基本结构和作用,并在此基础上梳理了目前国内外对于缓冲层失效的相关研究;其次从缓冲层的材料特征和内部结构等角度结合电场仿真来分析缺陷发生的主要原因;之后对缓冲层缺陷中出现的白色粉末绝缘性能和理化特征进行总结,并提出其形成机理;最后对缓冲层缺陷的检测手段进行汇总,提出使用计算机断层成像技术对电缆缓冲层缺陷进行检测以弥补现有检测手段的不足,并建议对铝护套及缓冲层的材料或结构进行优化,以预防缓冲层缺陷的生成。 展开更多
关键词 高压电缆 交联聚乙烯 缓冲层缺陷 计算机断层成像 平滑铝护套
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膨胀岩隧道缓冲层复合支护体系让压机理
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作者 刘刚 王皓 +2 位作者 许崇帮 缪圆冰 龚建伍 《公路交通科技》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期181-188,共8页
为构建缓冲层复合支护体系理论模型,分析缓冲层复合支护体系让压机理,弥补当前缓冲层让压机理的局限性。利用弹性力学知识,以单层厚壁圆筒模型为基础构建3层厚壁圆筒模型,推导出缓冲层复合支护体系中支护结构受力与外荷载之间函数关系,... 为构建缓冲层复合支护体系理论模型,分析缓冲层复合支护体系让压机理,弥补当前缓冲层让压机理的局限性。利用弹性力学知识,以单层厚壁圆筒模型为基础构建3层厚壁圆筒模型,推导出缓冲层复合支护体系中支护结构受力与外荷载之间函数关系,并用数值模拟的方法验证缓冲层复合支护结构受力解析解的正确性。基于此理论模型,分析了有无缓冲层复合支护体系中二衬和初支的受力特点,总结出缓冲层让压机理:在含有缓冲层的复合支护体系中,缓冲层材料被压缩,初支能够发生更大的向内变形量,进而吸收外部荷载作用,减小二衬的受力,从而整个结构能够实现让压效果,即缓冲层复合支护通过缓冲层压缩实现让压。通过改变缓冲层厚度对让压机理进行分析。结果表明:当缓冲层厚度为5 cm时,初支的形变量增加了1.34 cm,传递到二衬上的作用力也相应减小了71.6%;当缓冲层厚度增加至10 cm时,二衬的受力也进一步减小,对二衬结构更为有利。在让压支护体系中,随着缓冲层被压缩,初支也会发生更大的变形,初支内部应力也会增大,尤其是环向应力,即缓冲层的让压对初支受力是不利的,对二衬受力是有利的。因此,在复合让压支护体系中,当外部作用力一定时,对支护体系中缓冲层的设计要同时考虑初支和二衬的应力,即缓冲层的厚度存在一个最优值。 展开更多
关键词 隧道工程 让压机理 厚壁圆筒模型 缓冲层 膨胀岩
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动能侵彻弹装药起爆可靠性试验及敏感因素分析
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作者 杨慧 王可慧 +4 位作者 王伟光 李洋 沈子楷 段建 戴湘晖 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期124-136,共13页
为研究弹体结构设计对弹体装药起爆可靠性的影响,设计了一种低成本、便捷式引战静态匹配试验装置,开展了不同条件下引信与装药的传爆裕度试验。基于移动最小二乘法,构建了可表征起爆可靠性的多变量响应函数,定量分析了各敏感因素及其耦... 为研究弹体结构设计对弹体装药起爆可靠性的影响,设计了一种低成本、便捷式引战静态匹配试验装置,开展了不同条件下引信与装药的传爆裕度试验。基于移动最小二乘法,构建了可表征起爆可靠性的多变量响应函数,定量分析了各敏感因素及其耦合作用对起爆可靠性的影响规律。结果表明:传爆间隙和缓冲层厚度对弹体装药起爆影响较大,而隔板厚度在预设3~5 mm范围内的影响较小;为保证动能侵彻弹在使用环境温度范围内可靠作用,引信相对偏离位置、隔板厚度、传爆间隙以及缓冲层厚度分别不应超过25、3.5、25以及22 mm。该试验装置、分析方法及研究成果可为动能侵彻弹结构设计及可靠性验证提供借鉴和指导。 展开更多
关键词 动能侵彻弹 引战匹配 传爆裕度 传爆间隙 惰性缓冲层 移动最小二乘法
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电、热、力仿真研究平滑铝护套高压XLPE电缆缓冲层设计
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作者 郝艳捧 陈林昊 +4 位作者 张鹏 田万兴 惠宝军 罗向源 朱闻博 《广东电力》 北大核心 2024年第8期125-134,共10页
平滑铝护套电缆可有效规避皱纹铝护套电缆缓冲层缺陷,但目前国内对其缓冲层结构设计最优参数尚不明确。通过对绝缘膨胀进行计算、试验验证及公式修正,研究平滑铝护套电缆绝缘膨胀及间隙设计;建立平滑铝护套电缆仿真模型,分析有无空气间... 平滑铝护套电缆可有效规避皱纹铝护套电缆缓冲层缺陷,但目前国内对其缓冲层结构设计最优参数尚不明确。通过对绝缘膨胀进行计算、试验验证及公式修正,研究平滑铝护套电缆绝缘膨胀及间隙设计;建立平滑铝护套电缆仿真模型,分析有无空气间隙对电场分布的影响,以及不同缓冲层厚度对平滑铝护套电缆温度、热应力分布的影响;建立平滑铝护套电缆简化结构四点弯曲仿真模型,研究在重力作用下其机械应力分布。结果表明:综合重力、绝缘膨胀等因素,220 kV 1200 mm^(2)平滑铝护套电缆缓冲层和铝套之间的负间隙大小建议设计为1.3~1.6 mm。在平滑铝护套电缆缓冲层设计时,应在满足绝缘热膨胀的同时尽可能减薄缓冲层的厚度,提高电缆载流量,避免铝护套承受过大的热应力。 展开更多
关键词 平滑铝护套 高压XLPE电缆 缓冲层设计 仿真计算 机械应力
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落石对缓冲土层的冲击力及冲击深度理论与试验研究
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作者 王玉锁 杨竣翔 +5 位作者 肖宗扬 李传宝 田四明 王伟 姚庆晨 赵状 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1078-1085,共8页
为阐明基于Hertz接触理论的落石冲击力、冲击深度计算方法及缓冲土层强化系数确定方法的适用性和可行性,通过足尺模型试验、反演分析及数理统计,开展体积约1 m^(3)重约2 t的立方体和球顶锥体2种落石形状、1~10 m下落高度及0.5~2.0 m缓... 为阐明基于Hertz接触理论的落石冲击力、冲击深度计算方法及缓冲土层强化系数确定方法的适用性和可行性,通过足尺模型试验、反演分析及数理统计,开展体积约1 m^(3)重约2 t的立方体和球顶锥体2种落石形状、1~10 m下落高度及0.5~2.0 m缓冲土层厚度的落石冲击试验研究,进行砂土缓冲层强化系数的确定及落石冲击力、冲击深度理论与试验结果的对比分析.研究结论表明:根据试验结果反演分析,99.7%置信区间的砂土缓冲层强化系数建议取值范围为0.25~10.00 GN/m^(5/2);理论计算得到的立方体落石冲击力均值较试验值平均偏大140%,球顶锥体偏大21%;理论计算得到的立方体落石冲击深度均值较试验值平均偏大112%,球顶锥体偏大5%;在强化系数99.7%置信区间内计算得到的落石冲击力和冲击深度范围值可包含全部的落石冲击力和冲击深度;相同条件下球顶锥体落石的冲击深度试验值大于立方体的冲击深度试验值,缓冲层厚度越大时冲击深度增大,而落石冲击力离散性较大,与落石形状和缓冲层厚度无明显相关性. 展开更多
关键词 落石冲击力 落石冲击深度 缓冲土层 弹塑性强化
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高压电缆缓冲层烧蚀缺陷超声检测实验 被引量:3
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作者 高建 张浩然 +1 位作者 张可 李建英 《电力工程技术》 北大核心 2024年第1期174-180,共7页
高压电缆缓冲层烧蚀故障是近年来频发的电缆故障类型,而目前的烧蚀缺陷检测手段难以满足存量电缆的检测需求。为此,文中首次研究基于铝护套内表面粗糙度的高压电缆缓冲层烧蚀缺陷的超声检测方法。首先,开展潮湿条件下的缓冲层烧蚀模拟实... 高压电缆缓冲层烧蚀故障是近年来频发的电缆故障类型,而目前的烧蚀缺陷检测手段难以满足存量电缆的检测需求。为此,文中首次研究基于铝护套内表面粗糙度的高压电缆缓冲层烧蚀缺陷的超声检测方法。首先,开展潮湿条件下的缓冲层烧蚀模拟实验,并对烧蚀后的铝片进行激光共聚焦显微镜测试以及电化学阻抗谱分析,发现随着烧蚀时间的增加,铝片的表面粗糙度逐渐增大,同时铝片表面的腐蚀程度逐渐加深,对应的缓冲层烧蚀缺陷逐渐加重,表明铝片的表面粗糙度与潮湿条件下缓冲层的烧蚀程度存在关联。其次,对烧蚀后的铝片开展超声检测实验,并通过相邻超声回波信号的幅值比推算出铝片腐蚀面的粗糙度,与实验测得的粗糙度具有相同的变化趋势。文中结果表明超声检测可用于检测缓冲层烧蚀缺陷的严重程度,为高压电缆缓冲层烧蚀缺陷超声检测方法的应用奠定了研究基础。 展开更多
关键词 高压电缆 缓冲层烧蚀 超声检测 电化学腐蚀 粗糙度 反射系数
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基于X射线成像原理的电缆缓冲层缺陷的可视化检测技术对比研究
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作者 邱玮 章宇聪 +3 位作者 谢亿 曹先慧 李湘珺 胡俊 《电气应用》 2024年第8期37-43,共7页
近年来,高压电缆缓冲层烧蚀缺陷导致电缆故障问题频发,如何有效地对缓冲层缺陷进行检测引起了行业内的广泛关注。基于缓冲层缺陷与其相邻层间的密度差异,分别对X射线数字成像技术和计算机断层成像技术开展了检测参数研究,对比分析了两... 近年来,高压电缆缓冲层烧蚀缺陷导致电缆故障问题频发,如何有效地对缓冲层缺陷进行检测引起了行业内的广泛关注。基于缓冲层缺陷与其相邻层间的密度差异,分别对X射线数字成像技术和计算机断层成像技术开展了检测参数研究,对比分析了两种方法对不同类型缺陷的检出有效性及在不同干扰下的检测效果。结果表明,计算机断层成像技术在检测准确度和抗干扰性优于X射线数字成像技术,但在检测的现场适用性方面有局限。研究给出两种检测技术的最佳检测参数及各自的优缺点,为后续高压电缆的缓冲层缺陷可视化检测提供了有益的参考。 展开更多
关键词 高压电缆 缓冲层缺陷 X射线数字成像 计算机断层成像
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面向能源感知的虚拟机深度强化学习调度算法研究 被引量:1
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作者 王杨民 胡成玉 +1 位作者 颜雪松 曾德泽 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2024年第2期293-299,共7页
随着计算机技术的快速发展,云计算技术成为了解决用户存储、算力需求的最佳方法之一。其中,基于NUMA架构的动态虚拟机调度成为了学术界和工业界关注的热点方向。但是,目前的研究中,基于启发式的算法难以对虚拟机进行实时调度,并且大多... 随着计算机技术的快速发展,云计算技术成为了解决用户存储、算力需求的最佳方法之一。其中,基于NUMA架构的动态虚拟机调度成为了学术界和工业界关注的热点方向。但是,目前的研究中,基于启发式的算法难以对虚拟机进行实时调度,并且大多数文献没有考虑NUMA架构下虚拟机调度产生的能耗等问题。对此,提出了一种基于深度强化学习的大型移动云中心虚拟机服务迁移框架,构建了NUMA架构下的能耗模型;提出了自适应奖励的分层自适应柔性演员评论家算法(Hie-rarchical Adaptive Sampling Soft Actor Critic,HASAC);在云计算场景下,将所提算法与3种经典的深度强化学习方法进行实验对比。实验结果表明,所提改进算法在不同场景下可以处理更多的用户请求,且消耗的能源较少。此外,对算法中各种策略进行消融实验,证明了所提策略的有效性。 展开更多
关键词 NUMA架构 深度学习 强化学习 能源感知 分层缓冲区
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落石冲击下压实度对红层泥岩垫层缓冲机制影响研究
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作者 刘奇 刘先峰 +3 位作者 李建国 袁胜洋 谭伟 胡金山 《铁道科学与工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2735-2744,共10页
西南地区山地众多,落石频发,红层地质分布广泛,工程上红层隧道区可用红层泥岩作为棚洞垫层材料以抵抗落石冲击。但红层泥岩为细粒黏性缓冲材料,与无黏性粗粒材料不同,压实度对其缓冲机制影响仍不明晰,为此开展落石冲击红层泥岩垫层材料... 西南地区山地众多,落石频发,红层地质分布广泛,工程上红层隧道区可用红层泥岩作为棚洞垫层材料以抵抗落石冲击。但红层泥岩为细粒黏性缓冲材料,与无黏性粗粒材料不同,压实度对其缓冲机制影响仍不明晰,为此开展落石冲击红层泥岩垫层材料模型试验及数值模拟研究。通过搭建室内落石冲击试验平台,进行红层泥岩材料不同压实度下的模型冲击试验,监测落石及垫层内加速度大小,研究压实度对垫层缓冲效果的影响规律,并借助离散元(PFC)与有限差分(FLAC)耦合方法对模型试验进行了对比验证,揭示了压实度对红层泥岩垫层缓冲机制的影响规律。研究结果表明:1)不同压实度中(K=0.9、0.8、0.7),压实度越低,落石冲击力越小,K=0.7的冲击力较K=0.9减少54.08%;2)垫层内峰值加速度随水平距离增加呈指数衰减,且压实度越小,垫层加速度衰减越显著;3)重复冲击使垫层缓冲效果存在劣化现象,导致落石冲击力及垫层内加速度增加,工程中需加以注意;4)压实度低时,力链越不稳定,力链因易破坏重组而无法提供长期、稳定阻力,致使落石冲击力降低;同时垫层松散使冲击波传播时间增加,垫层吸收更多能量;因此,压实度低时垫层具有更好的缓冲效果。研究结果可为西南地区红层泥岩垫层材料的应用提供借鉴。 展开更多
关键词 落石冲击 压实度 红层泥岩 垫层 缓冲机制
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基于晶格大失配In_(0.58)Ga_(0.42)As材料的高效四结太阳电池
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作者 王波 周丽华 +6 位作者 施祥蕾 郭哲俊 钱勇 张占飞 李彬 孙利杰 王训春 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期52-58,共7页
Ⅲ-Ⅴ族晶格失配多结太阳电池是实现高效太阳电池的主要途径之一,但面临晶格失配材料的高质量生长及其所导致的子电池光电转换效率下降的难题。重点针对晶格失配子电池结构中的(AlGa)InAs缓冲层开展台阶层厚度优化研究,设计了150、200和... Ⅲ-Ⅴ族晶格失配多结太阳电池是实现高效太阳电池的主要途径之一,但面临晶格失配材料的高质量生长及其所导致的子电池光电转换效率下降的难题。重点针对晶格失配子电池结构中的(AlGa)InAs缓冲层开展台阶层厚度优化研究,设计了150、200和250 nm三组不同台阶层厚度的缓冲层结构,并完成三组样品的外延生长实验。通过材料测试和子电池电性能测试,系统分析了台阶层厚度对In_(0.58)Ga_(0.42)As材料外延生长质量和子电池电性能的影响。获得了晶格弛豫度为96.71%的In_(0.58)Ga_(0.42)As子电池材料,制备的子电池开路电压达到205.10 mV。在此基础上,结合GaInP/GaAs/In_(0.3)Ga_(0.7)As三结电池研制了晶格失配四结薄膜太阳电池,其光电转换效率达到32.41%(AM0,25℃)。 展开更多
关键词 四结太阳电池 晶格失配 In_(0.58)Ga_(0.42)As材料 缓冲层 台阶层厚度
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磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
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作者 陈玉飞 廖华 +2 位作者 周志能 赵永刚 王书荣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2024年第2期18-21,共4页
利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光... 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫薄膜太阳电池 硫化镉缓冲层 磁控溅射法 双功率溅射
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缓冲层和保护层对Ta(Ti)/Co/Nb多层膜热稳定性影响
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作者 黄彦翔 任康 +11 位作者 丁俊贤 贡佳伟 许文涛 赵文礼 李涛 章健康 谢俊磊 徐耀鸿 丁泽豪 朱济生 李广 王磊 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第2期5-11,共7页
采用磁控溅射法制备底层(BL)/钴(Co)/顶层(CL)三层膜,通过考察Co磁矩(M)与温度(T)的关系,系统分析了不同BL和CL对Co层热稳定性的影响。其中BL和CL分别为非磁性过渡金属钽(Ta)、钛(Ti)和铌(Nb)。研究发现,不同的非磁性底层和顶层材料对C... 采用磁控溅射法制备底层(BL)/钴(Co)/顶层(CL)三层膜,通过考察Co磁矩(M)与温度(T)的关系,系统分析了不同BL和CL对Co层热稳定性的影响。其中BL和CL分别为非磁性过渡金属钽(Ta)、钛(Ti)和铌(Nb)。研究发现,不同的非磁性底层和顶层材料对Co的热稳定性有着不同的影响,其中Ti作为BL和CL时Co的热稳定性最好。此外,与BL相比,CL在Co层的M-T具有更重要的影响,相同的CL其Co具有类似M-T曲线。实验结果可以解释为非磁性BL和CL与Co之间存在的耦合相互作用。这揭示出在纳米级多层膜中,通常用于促进晶体结构和防止氧化的底部非磁性缓冲层和顶部保护层可能对其相邻的磁性层的磁性能产生影响。 展开更多
关键词 Ta(Ti)/Co/Nb多层膜 钴热稳定性 底层(缓冲层) 顶层(保护层)
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缓冲层-复合隔离墙-含水层系统中有机污染物二维运移规律研究
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作者 江文豪 冯晨 +1 位作者 黄啸 李江山 《岩土力学》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期731-741,共11页
复合隔离墙常用于污染场地的防污防渗工程。针对由土工膜和土-膨润土组成的复合隔离墙,考虑了污染源区有机污染物浓度沿深度不均匀分布及缓冲层的存在,建立了缓冲层-复合隔离墙-含水层系统中有机污染物二维运移理论模型。利用有限差分... 复合隔离墙常用于污染场地的防污防渗工程。针对由土工膜和土-膨润土组成的复合隔离墙,考虑了污染源区有机污染物浓度沿深度不均匀分布及缓冲层的存在,建立了缓冲层-复合隔离墙-含水层系统中有机污染物二维运移理论模型。利用有限差分法对该模型进行了求解。通过对比试验测定结果、已有解析模型和COMSOL软件的计算结果,验证了所建理论模型合理性。在此基础上,研究了复合隔离墙中有机污染物的运移特性。结果显示,相比于一维运移理论模型,二维运移理论模型下复合隔离墙中有机污染物的浓度较低,这是由于有机污染物会通过竖向扩散减慢水平向运移速度。缓冲层存在有助于减缓复合隔离墙中有机污染物运移速率,且缓冲层厚度越大,所定义击穿时间t_(b)越长,墙体外侧总运移通量越小。当土工膜渗透系数从0.5×10^(-12)m/s增大到5.0×10^(-12)m/s时,对应的t_(b)将从172.8 a降低至28.2 a。鉴于隔离墙厚度及其线性吸附系数增大均可显著增强复合隔离墙的防渗效果,可结合隔离墙的吸附性能选定墙体厚度。 展开更多
关键词 有机污染物 复合隔离墙 二维运移 理论模型 缓冲层 击穿时间
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基于频域反射法的高压电缆阻水缓冲层缺陷定位研究
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作者 黄友聪 郑钟楠 +4 位作者 林梓圻 张莹 赵琦 袁豪 周凯 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第6期86-95,共10页
为了获取高压电缆缓冲层缺陷的位置信息,本文首先根据缓冲层表面形貌特征将缓冲层状态划分为干燥态、受潮态、腐蚀态以及腐蚀烧蚀态,通过薄片样本研究了缓冲层从干燥态到腐蚀烧蚀态这一缺陷发展过程中体积电阻率和相对介电常数的变化规... 为了获取高压电缆缓冲层缺陷的位置信息,本文首先根据缓冲层表面形貌特征将缓冲层状态划分为干燥态、受潮态、腐蚀态以及腐蚀烧蚀态,通过薄片样本研究了缓冲层从干燥态到腐蚀烧蚀态这一缺陷发展过程中体积电阻率和相对介电常数的变化规律。然后推导了高压电缆传输线网络中的分布电容以及分布电导的计算公式,评估了FDR法应用于高压电缆缓冲层缺陷定位的可行性。最后在实验室中搭建了长电缆实验平台,研究了频域反射法定位缓冲层缺陷的有效性。结果表明:缓冲层缺陷的发展主要影响高压电缆的分布电容,产生阻抗不连续点。FDR能够实现对缓冲层受潮及缺陷的定位,但对于腐蚀缺陷及烧蚀缺陷的进一步区分还需结合其他状态检测手段。 展开更多
关键词 高压电缆 阻水缓冲层 缺陷定位 频域反射法
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压力作用下高压电缆缓冲层表面电阻特性及等效模型 被引量:1
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作者 吴照国 黄会贤 +5 位作者 王谦 吴海涛 包健康 李勇 刘佳 徐扬 《南方电网技术》 CSCD 北大核心 2024年第2期133-141,共9页
针对缓冲层导电特性测试中未考虑压力影响的问题开展了压力作用下高压电缆半导电缓冲阻水带的表面电阻特性研究。首先开展了缓冲层表面电阻测试,并从缓冲层微观结构特征以及纳米填料导电机理两方面对测试的表面电阻数据统计特征进行了... 针对缓冲层导电特性测试中未考虑压力影响的问题开展了压力作用下高压电缆半导电缓冲阻水带的表面电阻特性研究。首先开展了缓冲层表面电阻测试,并从缓冲层微观结构特征以及纳米填料导电机理两方面对测试的表面电阻数据统计特征进行了分析。通过在表面电阻测试电极以及电极之间的缓冲层表面上施加不同重量的载荷研究了缓冲层表面电阻值与外界压力的关系。基于n阶电阻网络以及差分方程组建立了压力作用下的缓冲层表面电阻模型,利用缓冲层微观压阻特性以及模型仿真计算分析了缓冲层表面电阻测试特性以及该特性随压力作用而变化的规律。研究成果有助于掌握高压电缆缓冲层在真实运行压力环境下的导电特性。 展开更多
关键词 高压电缆 缓冲层 表面电阻 压阻特性 差分方程组模型
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铜锌锡硫基薄膜太阳能电池中锌基缓冲层的研究进展
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作者 张琳 袁妍妍 +2 位作者 吴昕智 陈阳 王近 《江苏科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期23-30,共8页
由多层结构组成的薄膜太阳能电池具有低成本、易生产、稳定性高等优点,解决了晶体太阳能电池原料要求高以及制备工艺复杂等缺点,其中的缓冲层材料作为薄膜太阳能电池中的重要组成部分一直是研究重点.近年来,无毒、环保且能获得较高光电... 由多层结构组成的薄膜太阳能电池具有低成本、易生产、稳定性高等优点,解决了晶体太阳能电池原料要求高以及制备工艺复杂等缺点,其中的缓冲层材料作为薄膜太阳能电池中的重要组成部分一直是研究重点.近年来,无毒、环保且能获得较高光电效率的缓冲层材料引起学者的广泛研究.文中以铜锌锡硫基太阳能电池为例,综述了有关硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、氧硫化锌(Zn(O,S))、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌镁(ZMO)缓冲层材料在薄膜太阳能电池中的应用.详细阐述了5种缓冲层材料的制备方法、性能变化、应用前景以及对太阳能电池转换效率的影响,以期为未来制备高效环保薄膜太阳能电池提供有效参考. 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 锌基缓冲层 转换效率 能带匹配
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Cu箔缓冲层对SiO_(2)/TC4接头组织性能的影响
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作者 薛行雁 龚浩 +2 位作者 程东海 王东亮 潘建军 《电焊机》 2024年第7期62-67,共6页
针对SiO_(2)石英玻璃/TC4钛合金钎焊接头易脆裂难题,以Cu箔为缓冲层,采用AgCuTi活性钎料对石英玻璃/TC4钛合金进行真空钎焊。通过金相显微镜、扫描电镜、能谱仪以及X射线衍射仪、力学试验机分析Cu缓冲层及不同钎焊工艺对SiO_(2)/TC4接... 针对SiO_(2)石英玻璃/TC4钛合金钎焊接头易脆裂难题,以Cu箔为缓冲层,采用AgCuTi活性钎料对石英玻璃/TC4钛合金进行真空钎焊。通过金相显微镜、扫描电镜、能谱仪以及X射线衍射仪、力学试验机分析Cu缓冲层及不同钎焊工艺对SiO_(2)/TC4接头组织结构及力学性能的影响。研究结果表明,在合适的钎焊温度下,Cu箔缓冲层的加入一方面在SiO_(2)/AgCuTi界面处形成了合适厚度的TiSi_(2)+Ti_(4)O_(7)/Cu_(2)Ti_(4)O双层结构,另一方面在焊缝中形成大量韧性较好的Cu固溶体,这些固溶体在钎焊冷却过程中通过钎缝自身的蠕变和屈服吸收接头中的残余应力,减少接头残余应力,提高了钎焊接头的力学性能。当钎焊温度为900℃、保温时间10 min时,SiO_(2)/TC4钎焊接头抗剪强度最高,达到38 MPa。Cu箔缓冲层的加入显著改善了SiO_(2)石英玻璃/TC4钎焊接头的力学性能。 展开更多
关键词 石英玻璃 TC4钛合金 Cu箔缓冲层 固溶体 应力
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质子注入缓冲层结构的高压FS-IGBT动态坚固性研究
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作者 魏晓光 聂瑞芬 +4 位作者 金锐 王耀华 李立 田宝华 王松华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1924-1931,I0022,共9页
具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,... 具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效。这与IGBT在短路大电流下的Kirk效应有关。Kirk效应造成短路时IGBT栅电极下电场降低,电子运动速率减小,进而栅电极下累积的电子造成栅极输入电容的改变,引起栅电压振荡。此外,实验发现,MPI缓冲层峰的氢相关施主(hydrogen-related donors,HDs)浓度不仅与注入剂量和激活温度有关,还与注入次数有关,具体表现为注入次数多,辐射损伤多,HDs浓度越高。文中研究不同MPI缓冲层结构的IGBT关断坚固性。 展开更多
关键词 多重质子注入 缓冲层 短路坚固性 振荡 Kirk效应
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