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Dark-field line confocal imaging with point confocality and extended line field for bulk defects detection 被引量:1
1
作者 董敬涛 张腾达 +3 位作者 杨蕾 张育中 卢荣胜 谢兴龙 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期26-30,共5页
Fabrication of high-quality optics puts a strong demand on high-throughput detection of macroscopic bulk defects in optical components.A dark-field line confocal imaging method is proposed with two distinct advantage... Fabrication of high-quality optics puts a strong demand on high-throughput detection of macroscopic bulk defects in optical components.A dark-field line confocal imaging method is proposed with two distinct advantages:(ⅰ)a point-to-line confocal scheme formed by a columnar elliptical mirror and an optical fiber bundle breaks through the constraint on light collection angle and field of view in the traditional line confocal microscopy using an objective,allowing for an extended confocal line field of more than 100 mm while maintaining a light collection angle of 27°;(ⅱ)the bulk defects are independently illuminated as a function of time to eliminate the cross talk in the direction of the confocal slit,thus preserving point confocality and showing the optical section thicknesses to be 162μm in the axial direction,and 19 and 22μm in the orthogonal transverse directions.The experimental results verify that the method has a minimum detectable bulk defect of less than 5μm and an imaging efficiency of 400 mm2/s.The method shows great potential in high-throughput and highsensitivity bulk defects detection. 展开更多
关键词 line confocal imaging dark-field imaging bulk defects detection
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Mixed Cations Enabled Combined Bulk and Interfacial Passivation for Efficient and Stable Perovskite Solar Cells 被引量:2
2
作者 Pengfei Wu Shirong Wang +4 位作者 Jin Hyuck Heo Hongli Liu Xihan Chen Xianggao Li Fei Zhang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期116-127,共12页
Here,we report a mixed GAI and MAI(MGM)treatment method by forming a 2D alternating-cation-interlayer(ACI)phase(n=2)perovskite layer on the 3D perovskite,modulating the bulk and interfacial defects in the perovskite f... Here,we report a mixed GAI and MAI(MGM)treatment method by forming a 2D alternating-cation-interlayer(ACI)phase(n=2)perovskite layer on the 3D perovskite,modulating the bulk and interfacial defects in the perovskite films simultaneously,leading to the suppressed nonradiative recombination,longer lifetime,higher mobility,and reduced trap density.Consequently,the devices’performance is enhanced to 24.5%and 18.7%for 0.12 and 64 cm^(2),respectively.In addition,the MGM treatment can be applied to a wide range of perovskite compositions,including MA-,FA-,MAFA-,and CsFAMA-based lead halide perovskites,making it a general method for preparing efficient perovskite solar cells.Without encapsulation,the treated devices show improved stabilities. 展开更多
关键词 Alternating-cation-interlayer bulk defects Interfacial passivation Perovskite solar cells
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Different Thermal Stabilities of Cation Point Defects in LaAlO_3 Bulk and Films
3
作者 Li Guan Guang-Ming Shen +4 位作者 Hao-Tian Ma Guo-Qi Jia Feng-Xue Tan Ya-Nan Liang Zhi-Ren Wei 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第9期71-74,共4页
Using the first-principles method, we investigate the thermal stability of cation point defects in LaAlO3 bulk and films. The calculated densities of states indicate that cation vacancies and antisites act as acceptor... Using the first-principles method, we investigate the thermal stability of cation point defects in LaAlO3 bulk and films. The calculated densities of states indicate that cation vacancies and antisites act as acceptors. The formation energies show that cation vacancies are energetically favorable in bulk LaAIO3 under O-rich conditions, while the AILa antisites are stable in reducing atmosphere. However, the same behavior does not appear in the case of LaAlO3 films. For LaO-terminated LaAlOa fihns, La or AI vacancies remain energetically favorable under O-rich and O-deficient conditions. For an AlO2-terminated surface, under O-rich condition the La interstitial atom is repelled from the outmost layer after optimization, which releases more stress leading to the decrease of total energy of the system. An AI interstitial atom has a smaller radius so that it can stay in distorted films and becomes more stable under O-deficient conditions, and the Al interstitial atoms can be another possible carrier source contribution to the conductivity of n-type interface under an ultrahigh vacuum. La and Al antisites have similar formation energy regardless of oxygen pressure. The results would be helpful to understand the defect structures of LaAlOa-related materials. 展开更多
关键词 Al Different Thermal Stabilities of Cation Point defects in LaAlO3 bulk and Films LA
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体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
4
作者 何诗颖 赵宇清 +3 位作者 邹代峰 许英 廖雨洁 禹卓良 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期143-150,共8页
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要... 二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据. 展开更多
关键词 体相二硫化铼 形成能 缺陷能级 稳定性
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A PAT STUDY OF INFLUENCES OF PRECIPITATION ON DEFECTS AND ELECTRONIC DENSITY IN Al-Li-Cu-Mg-Zr ALLOYS 被引量:2
5
作者 Wu, WM Gao, YJ +4 位作者 Luo, LX Deng, W Xu, SJ Zhong, XP Jiang, XJ 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 1997年第1期43-46,共4页
APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun... APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun,LuoLixiong,DengW... 展开更多
关键词 positron lifetime spectra Al Li Cu Mg ZR alloy ageing PRECIPITATION defectS bulk ELECTRONIC DENSITY
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Defect stability in thorium monocarbide:An ab initio study
6
作者 王昌英 韩晗 +2 位作者 邵宽 程诚 怀平 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期424-429,共6页
The elastic properties and point defects of thorium monocarbide(ThC) have been studied by means of density functional theory based on the projector-augmented-wave method. The calculated electronic and elastic proper... The elastic properties and point defects of thorium monocarbide(ThC) have been studied by means of density functional theory based on the projector-augmented-wave method. The calculated electronic and elastic properties of ThC are in good agreement with experimental data and previous theoretical results. Five types of point defects have been considered in our study, including the vacancy defect, interstitial defect, antisite defect, schottky defect, and composition-conserving defect. Among these defects, the carbon vacancy defect has the lowest formation energy of 0.29 eV. The second most stable defect(0.49 eV) is one of composition-conserving defects in which one carbon is removed to another carbon site forming a C2 dimer. In addition, we also discuss several kinds of carbon interstitial defects, and predict that the carbon trimer configuration may be a transition state for a carbon dimer diffusion in Th C. 展开更多
关键词 thorium monocarbide ab initio study bulk properties defectS
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Photoluminescence characteristics of ZnTe bulk crystal and ZnTe epilayer grown on GaAs substrate by MOVPE
7
作者 吕海燕 牟奇 +5 位作者 张磊 吕元杰 冀子武 冯志红 徐现刚 郭其新 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期346-351,共6页
Excitation power and temperature-dependent photoluminescence(PL) spectra of the ZnTe epilayer grown on(100)Ga As substrate and ZnTe bulk crystal are investigated. The measurement results show that both the structu... Excitation power and temperature-dependent photoluminescence(PL) spectra of the ZnTe epilayer grown on(100)Ga As substrate and ZnTe bulk crystal are investigated. The measurement results show that both the structures are of good structural quality due to their sharp bound excitonic emissions and absence of the deep level structural defect-related emissions. Furthermore, in contrast to the ZnTe bulk crystal, although excitonic emissions for the ZnTe epilayer are somewhat weak, perhaps due to As atoms diffusing from the Ga As substrate into the ZnTe epilayer and/or because of the strain-induced degradation of the crystalline quality of the ZnTe epilayer, neither the donor–acceptor pair(DAP) nor conduction band-acceptor(e–A) emissions are observed in the ZnTe epilayer. This indicates that by further optimizing the growth process it is possible to obtain a high-crystalline quality ZnTe heteroepitaxial layer that is comparable to the ZnTe bulk crystal. 展开更多
关键词 PHOTOLUMINESCENCE ZnTe bulk crystal ZnTe epilayer defect or impurity-related emissions
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355 nm和1064 nm激光辐照下DKDP晶体的表面损伤特性
8
作者 史晋芳 邱荣 +6 位作者 郭德成 周磊 蒋勇 周强 余健 陈元攀 谢准 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期25-32,共8页
利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽... 利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽约10 ns、损伤概率小于等于50%的激光能量密度辐照下,DKDP晶体的表面损伤主要有带坑底空腔损伤坑、表面损伤裂纹、平底损伤坑、表面烧蚀四种典型形貌。通过光学显微镜和扫描电子显微镜的成像和分析发现:带坑底空腔损伤坑和表面损伤裂纹的前驱体都是晶体体缺陷,平底损伤坑的前驱体则可能是表面加工裂纹、裂纹内碎屑、表层体缺陷等中的一种或多种,表面烧蚀主要由表面污染和浅表层缺陷形成。与熔石英光学元件一样,表面损伤仍然是晶体元件抗激光辐照损伤的薄弱环节。 展开更多
关键词 激光诱导表面损伤 DKDP晶体 损伤形貌 材料体缺陷 表面加工缺陷
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工字形焊件中批量缺陷的自动对应准则 被引量:8
9
作者 石端虎 刚铁 杨峰 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期53-56,116,共4页
为了实现工字形焊件中批量缺陷空间位置数据的自动提取,在缺陷分割与细化的基础上提出了批量缺陷的自动对应准则,探讨了影响缺陷自动对应判定的因素.应用提出的自动对应准则对实际焊件进行了批量缺陷空间位置数据的自动提取,并与手工对... 为了实现工字形焊件中批量缺陷空间位置数据的自动提取,在缺陷分割与细化的基础上提出了批量缺陷的自动对应准则,探讨了影响缺陷自动对应判定的因素.应用提出的自动对应准则对实际焊件进行了批量缺陷空间位置数据的自动提取,并与手工对应的结果进行了对比.结果表明,采用文中算法对应到的缺陷与手工检测结果基本一致,但检测效率却大幅度提高,并大大减轻了检测人员的劳动强度,为该焊件的快速无损检测及接头完整性评价奠定了良好的基础. 展开更多
关键词 工字形焊件 批量缺陷 自动对应准则 空间定位
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对接接头焊件批量缺陷空间位置的可视化 被引量:2
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作者 石端虎 吴三孩 +3 位作者 历长云 沙静 孙远 杨峰 《焊接》 北大核心 2021年第12期48-52,I0010,共6页
创建了对接接头焊件缺陷深度和偏移量的数学模型,确定了缺陷的空间位置。提出了对接接头焊缝轮廓线数学模型,实现了焊缝轮廓线的完美呈现。设计了对接接头焊件缺陷可视化界面,创建了对接接头焊件模型,导入了自动提取的对接接头焊件批量... 创建了对接接头焊件缺陷深度和偏移量的数学模型,确定了缺陷的空间位置。提出了对接接头焊缝轮廓线数学模型,实现了焊缝轮廓线的完美呈现。设计了对接接头焊件缺陷可视化界面,创建了对接接头焊件模型,导入了自动提取的对接接头焊件批量缺陷,实现了对接接头焊件批量缺陷的空间位置再现。介绍了焊件参数调整、可视角度调节和透明化设置等功能及实现方法,展示了可视化模型的三视图,可为对接接头焊件缺陷修补、焊接工艺制订、缺陷空间分布特征研究和结构完整性评价奠定良好基础。 展开更多
关键词 对接接头 缺陷定位 数学模型 批量缺陷 缺陷可视化
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Nd:GGG晶体的体缺陷研究 被引量:1
11
作者 孙晶 李昌立 +3 位作者 曾繁明 万玉春 李建立 刘景和 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期538-541,共4页
本文从宏观和微观上研究了Nd:GGG晶体的体缺陷,发现Nd:GGG晶体的体缺陷主要包括开裂、沉积物、空洞和包裹物等。扫面电镜及能谱分析结果表明,空洞中的物质分别为[Gd(Nd)]4Ga2O9、[Gd(Nd)]3GaO6和[Gd(Nd)]GaO3。包裹物的主要是组分是Ga2... 本文从宏观和微观上研究了Nd:GGG晶体的体缺陷,发现Nd:GGG晶体的体缺陷主要包括开裂、沉积物、空洞和包裹物等。扫面电镜及能谱分析结果表明,空洞中的物质分别为[Gd(Nd)]4Ga2O9、[Gd(Nd)]3GaO6和[Gd(Nd)]GaO3。包裹物的主要是组分是Ga2O3,是由于晶体生长过程中原料挥发通过固-液界面进入晶体而形成的。 展开更多
关键词 Nd:GGG晶体 体缺陷 开裂 空洞
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多腹板焊件批量缺陷的空间位置可视化 被引量:1
12
作者 石端虎 李爱博 +2 位作者 刚铁 刘忆 杨峰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第3期197-200,204,共5页
在创建单腹板焊件三维模型的基础上,采用线性变换的方法对焊件中的焊缝缺陷进行了空间坐标转换,并构建了多腹板焊件的三维模型。创建了交互性良好的可视化界面,导入已提取的焊件缺陷空间位置数据,实现了多腹板焊件缺陷的空间位置可视化... 在创建单腹板焊件三维模型的基础上,采用线性变换的方法对焊件中的焊缝缺陷进行了空间坐标转换,并构建了多腹板焊件的三维模型。创建了交互性良好的可视化界面,导入已提取的焊件缺陷空间位置数据,实现了多腹板焊件缺陷的空间位置可视化,并大大提高了缺陷可视化的效率。开发的可视化程序具有如下功能:焊件模型尺寸修改、模型自动生成、透明化调整、视角变换、自动旋转、任意位置观察、多腹板焊件正反面焊缝批量缺陷同时可视化等,为该类焊件无损检测及结构完整性评价奠定了良好的研究基础,也可为同类焊件内部缺陷的可视化提供有价值的参考,工程应用前景广阔。 展开更多
关键词 多腹板焊件 坐标变换 批量缺陷 空间位置可视化
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MEMS器件中的微体缺陷检测研究 被引量:1
13
作者 李颖鹏 尤政 李滨 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期351-355,共5页
为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提... 为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法 ,并通过实验验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 硅基材料 光强分布分析 检测 微体缺陷 广义洛仑兹-米氏散射理论 背散射 MEMS
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硅中的缺陷和硅片热处理 被引量:3
14
作者 闵靖 邹子英 《上海有色金属》 CAS 2000年第4期171-176,共6页
本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 ,提高GOI合格率的实验结果。研究表明 ,硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。
关键词 晶体原生颗粒缺陷 流动图形缺陷 硅片 热处理
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整层充填流动树脂充填深楔状缺损的随机对照临床研究 被引量:20
15
作者 李智 许永伟 高承志 《实用口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期801-805,共5页
目的:观察新型整层充填流动树脂一次固化充填深楔状缺损的2年临床效果。方法:纳入左右成对深楔状缺损(深度>2 mm)前磨牙的患者50名,共85对前磨牙,随机分为试验组和对照组,试验组使用整层充填流动树脂一次充填固化,对照组使用传统树... 目的:观察新型整层充填流动树脂一次固化充填深楔状缺损的2年临床效果。方法:纳入左右成对深楔状缺损(深度>2 mm)前磨牙的患者50名,共85对前磨牙,随机分为试验组和对照组,试验组使用整层充填流动树脂一次充填固化,对照组使用传统树脂分层充填固化,比较2组患牙充填后1周牙齿敏感发生率及充填后2年充填体脱落率及边缘染色/继发龋发生率。结果:2组患牙在充填后1周牙齿敏感发生率、充填后2年充填体脱落率、边缘染色/继发龋发生率差异均无显著性(P>0.05)。结论:使用整层充填流动树脂一次固化充填深楔状缺损可达到与传统树脂分层充填相媲美的临床效果。 展开更多
关键词 整层充填 分层充填 流动树脂 楔状缺损
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特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用
16
作者 陈军 尤政 +1 位作者 周兆英 刘兴占 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期290-293,共4页
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在... 提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在。这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点。 展开更多
关键词 特征提取 微米级 纳米级 体缺陷 NILSST 激光
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基于横波直探头的管道缺陷周向导波检测技术 被引量:8
17
作者 吕炎 郭程 +2 位作者 张学聪 吴斌 何存富 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期725-734,共10页
围绕厚壁管道的检测问题,基于横波直探头激励周向导波检测管道典型缺陷,通过改变横波直探头的布置方向激励出不同的周向导波模态,克服了柱面纵向导波对于轴向缺陷不敏感的问题,有效提升了检测效率.将横波直探头沿管道轴向方向进行移动,... 围绕厚壁管道的检测问题,基于横波直探头激励周向导波检测管道典型缺陷,通过改变横波直探头的布置方向激励出不同的周向导波模态,克服了柱面纵向导波对于轴向缺陷不敏感的问题,有效提升了检测效率.将横波直探头沿管道轴向方向进行移动,可实现管道周向的扫描检测,表明横波直探头用于检测管道缺陷时指向性良好,为管道轴向缺陷无损检测提供了方法. 展开更多
关键词 横波直探头 周向导波 轴向缺陷 无损检测
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工字型焊件中批量小缺陷的空间位置可视化
18
作者 石端虎 刚铁 +1 位作者 杨双羊 何敏 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2010年第13期161-163,166,共4页
开发了基于Matlab的焊件缺陷可视化软件,详细阐述了焊件三维建模、缺陷数据自动输入、缺陷自动显示、透明化处理和旋转角度调整等功能的创建过程。另外还设计了GUI界面,大大提高了缺陷的可视化效率。该可视化程序的开发把激光焊件的缺... 开发了基于Matlab的焊件缺陷可视化软件,详细阐述了焊件三维建模、缺陷数据自动输入、缺陷自动显示、透明化处理和旋转角度调整等功能的创建过程。另外还设计了GUI界面,大大提高了缺陷的可视化效率。该可视化程序的开发把激光焊件的缺陷检测、分割、空间定位与空间位置可视化连接成一个有机的整体,可为实际的焊接接头检测和结构完整性评价提供有价值的参考信息。 展开更多
关键词 MATLAB 工字型焊件 批量缺陷 空间位置可视化
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用于检测厚铝板缺陷的体波EMAT优化方法 被引量:6
19
作者 张晓冰 房琦 +1 位作者 苏日亮 康磊 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期108-114,共7页
针对电磁超声换能器(electromagnetic acoustic transducer,EMAT)的换能效率低,易受外界环境噪声影响导致回波信号较小、信噪比较低的问题,提出一种使用正交试验的优化方法进行改进。该方法基于电磁场涡流效应、质点弹性动力学的波动方... 针对电磁超声换能器(electromagnetic acoustic transducer,EMAT)的换能效率低,易受外界环境噪声影响导致回波信号较小、信噪比较低的问题,提出一种使用正交试验的优化方法进行改进。该方法基于电磁场涡流效应、质点弹性动力学的波动方程及有限元法,建立了一个检测厚铝板单平底孔缺陷、收发一体的体波EMAT二维有限元模型。该模型应用正交试验和极差分析法,通过对比不同结构下的缺陷回波电压信号强弱程度,分析磁铁和线圈的结构参数对其的影响,获得了优化的模型结构参数值。同时,得出在本结构下磁铁与线圈的最佳宽度比。通过实验验证了优化结果的有效性,缺陷回波电压峰-峰值的实验与仿真结果相符。 展开更多
关键词 电磁超声换能器 体波 有限元模型 正交试验法 缺陷检测
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SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究 被引量:1
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作者 吴凤美 沈德勋 +3 位作者 滕敏康 陈岭 唐杰 张德宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期18-23,共6页
用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2... 用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响. 展开更多
关键词 GAAS 正电子湮没 寿命
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