期刊文献+
共找到108篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
掺HCl PMOSFET的电离辐射总剂量效应 被引量:3
1
作者 张国强 严荣良 +6 位作者 余学锋 高剑侠 罗来会 任迪远 赵元富 胡浴红 王英明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期117-120,共4页
用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入HCl所制作的PMOSFET的60Co辐照响应。结果表明,栅介质中掺入少量HCl能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长;固定HCl流量为15ml/min时的最优通入时间范围为10-... 用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入HCl所制作的PMOSFET的60Co辐照响应。结果表明,栅介质中掺入少量HCl能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长;固定HCl流量为15ml/min时的最优通入时间范围为10-150s,过量的HCl掺入,其抑制辐射损伤的能力减弱或消失。用HCl在栅介质中的作用是正负效应的综合,解释了实验结果。 展开更多
关键词 pmosfet 电离辐射 总剂量 HCI
下载PDF
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 被引量:4
2
作者 高博 刘刚 +4 位作者 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期848-853,共6页
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明... 为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 展开更多
关键词 pmosfet 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应
下载PDF
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究 被引量:4
3
作者 郝跃 韩晓亮 刘红侠 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期2063-2065,共3页
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词 NBTI效应 pmosfet 界面态 正氧化层固定电荷
下载PDF
BF2^+注入硅栅PMOSFETγ辐照效应 被引量:2
4
作者 张廷庆 刘家璐 +1 位作者 张正选 赵元富 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期88-91,共4页
本文系统地研究了BF2^+注入硅栅PMOSFET阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF2^+注入抗γ辐照加固的机理。结果表明,BF2^+注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
关键词 二氟化硼 离子注入 Γ辐照 硅栅pmosfet
下载PDF
Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs 被引量:1
5
作者 曹艳荣 马晓华 +3 位作者 郝跃 于磊 朱志炜 陈海峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期665-669,共5页
We investigate the negative bias temperature instability (NBTI) of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages (Vg). We also study models of the time (t) ,temperature (T) ,and stress Vg d... We investigate the negative bias temperature instability (NBTI) of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages (Vg). We also study models of the time (t) ,temperature (T) ,and stress Vg dependence of 90nm pMOSFETs NBTI degradation. The time model and temperature model are similar to previ- ous studies, with small difference in the key coefficients. A power-law model is found to hold for Vg, which is different from the conventional exponential Vg model. The new model is more predictive than the exponential model when taking lower stress Vg into account. 展开更多
关键词 NBTI 90nm pmosfetS model
下载PDF
凹槽深度与槽栅PMOSFET特性 被引量:5
6
作者 任红霞 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期622-628,共7页
基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随... 基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随着负结深 (凹槽深度 )的增大 ,槽栅器件的阈值电压升高 ,亚阈斜率退化 ,漏极驱动能力减弱 ,器件短沟道效应的抑制更为有效 ,抗热载流子性能的提高较大 ,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小 .因此 ,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 . 展开更多
关键词 深亚微米 槽栅pmosfet 场效应晶体管 凹槽深度
下载PDF
NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响 被引量:3
7
作者 韩晓亮 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期429-432,共4页
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定... 随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法. 展开更多
关键词 负偏置温度不稳定性 热载流子注入 pmosfet 退化 NBTI HCI 可靠性
下载PDF
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 被引量:2
8
作者 杨荣 罗晋生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期966-971,共6页
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具 ,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系 ;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和 p+ δ掺杂对于击穿特性的影... 以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具 ,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系 ;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和 p+ δ掺杂对于击穿特性的影响 .发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定 ,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低 ;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响 ,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点 ;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响 ,增加 展开更多
关键词 应变硅锗 pmosfet 击穿 模拟 分析
下载PDF
不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究 被引量:1
9
作者 兰博 郭旗 +5 位作者 孙静 崔江维 李茂顺 费武雄 陈睿 赵云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期543-546,共4页
对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号... 对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。 展开更多
关键词 pmosfetS 偏置 剂量率 时间相关效应 低剂量率损伤增强效应
下载PDF
一个新的pMOSFET栅电流退化模型 被引量:1
10
作者 张进城 郝跃 +1 位作者 朱志炜 刘海波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1315-1319,共5页
研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了... 研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了所有这些现象的详细物理解释 ,并在此基础上提出了一种新的用于 p 展开更多
关键词 pmosfet 热载流子退化 栅电流退化模型 场效应晶体管
下载PDF
一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET 被引量:3
11
作者 黎晨 朱培喻 +2 位作者 罗广礼 陈培毅 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期929-932,共4页
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge... 在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge PMOSFET在栅压为 3.5 V时最大饱和跨导比用作对照的 Si PMOS提高约 2倍 ,而与常规的应变 Si 展开更多
关键词 RMOSFET CMOS 锗化硅 场效应晶体管
下载PDF
应变Si PMOSFET电流特性研究 被引量:1
12
作者 胡辉勇 崔晓英 +3 位作者 张鹤鸣 宋建军 戴显英 宣荣喜 《电子器件》 CAS 2010年第4期438-441,共4页
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学... 生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSFET的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具。 展开更多
关键词 应变SI pmosfet 阈值电压 I-V特性
下载PDF
Strained-Si pMOSFETs on Very Thin Virtual SiGe Substrates 被引量:2
13
作者 李竞春 谭静 +2 位作者 杨谟华 张静 徐婉静 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期881-885,共5页
Strained-Si pMOSFETs on very thin relaxed virtua l SiGe substrates are presented.The 240nm relaxed virtual Si 0.8 Ge 0.2 layer on 100nm low-temperature Si(LT-Si) is grown on Si(100) substrates by molecular be... Strained-Si pMOSFETs on very thin relaxed virtua l SiGe substrates are presented.The 240nm relaxed virtual Si 0.8 Ge 0.2 layer on 100nm low-temperature Si(LT-Si) is grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy.LT-Si buffer layer is used to release stress of the SiGe layer so as to make it relaxed.DCXRD,AFM,and TEM measurements indicate that the strain relaxed degree of SiGe layer is 85%,RMS roughness is 1.02nm,and threading dislocation density is at most 107cm -2 .At room temperature,a maximum hole mobility of strained-Si pMOSFET is 140cm2/(V·s).Device performance is comparable to that of devices achieved on several microns thick relaxed virtual SiGe substrates. 展开更多
关键词 STRAINED-SI virtual SiGe substrates pmosfet
下载PDF
考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型 被引量:1
14
作者 郜锦侠 张义门 张玉明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1296-1300,共5页
在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .
关键词 6H—SiC pmosfet 源漏串联电阻 解析模型
下载PDF
深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟 被引量:2
15
作者 杨荣 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期159-163,共5页
为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -pol... 为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -poly栅结合 P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化。研究表明 ,经适当设计的 Si Ge PMOS比对应 Si PMOS的 IDmax、gm、f T均提高 1 0 0 %以上 ,表明深亚微米尺度 Si 展开更多
关键词 SIGE 深亚微米 锗—硅 P型金属—氧化物—半导体场效应晶体管 特性模拟 pmosfet
下载PDF
pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究 被引量:2
16
作者 范隆 郭旗 +2 位作者 任迪远 余学峰 严荣良 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期420-423,436,共5页
p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入... p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入条件 ,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时 ,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应 ,结果表明 ,响应灵敏度与线性度均高于第 展开更多
关键词 pmosfet 级联结构 辐照响应 灵敏度 辐射剂量计
下载PDF
深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响 被引量:1
17
作者 任红霞 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1298-1305,共8页
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进... 基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释 .研究发现 ,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 .而随着衬底掺杂浓度的提高 ,虽然器件的短沟道抑制能力增强 。 展开更多
关键词 深亚微米 槽栅pmosfet 热载流子效应 短沟道效应 结构参数 场效应晶体管
下载PDF
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型 被引量:1
18
作者 张海鹏 魏同立 宋安飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期18-22,共5页
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE... 从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。 展开更多
关键词 SOI pmosfet 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管
下载PDF
衬底掺杂浓度对深亚微米槽栅PMOSFET特性影响 被引量:1
19
作者 任红霞 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期158-162,共5页
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件仿真软件MEDICI,对衬底掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET特性进行了研究 ,并与相应平面器件的特性进行了对比 .研究发现 ,随着衬底掺杂浓度的提高 ,与平面器件相同 ,槽栅器件的阈值电压提高 ... 基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件仿真软件MEDICI,对衬底掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET特性进行了研究 ,并与相应平面器件的特性进行了对比 .研究发现 ,随着衬底掺杂浓度的提高 ,与平面器件相同 ,槽栅器件的阈值电压提高 ,漏极驱动能力降低 ,抗热载流子能力急剧退化 ;但与平面器件相比 ,槽栅器件的阈值电压受衬底杂质浓度影响较小 ; 展开更多
关键词 场效应晶体管 深亚微米槽栅 pmosfet 衬底杂质浓度 热载流子特性
下载PDF
SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型 被引量:2
20
作者 邹晓 徐静平 +2 位作者 李艳萍 陈卫兵 苏绍斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-151,156,共5页
通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽... 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。 展开更多
关键词 锗硅沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应
下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部