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固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜(英文)
被引量:
7
1
作者
吕建国
叶志镇
+2 位作者
张银珠
黄靖云
赵炳辉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期1-5,共5页
报道了利用固体源化学气相沉积 (SS- CVD)技术制备出 c轴平行于衬底的 Zn O薄膜 .固体 Zn(CH3COO) 2 ·2 H2 O为前驱体 ,在不同的生长条件沉积 Zn O薄膜 ,并利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、光学透射谱对其性能进行研究 ...
报道了利用固体源化学气相沉积 (SS- CVD)技术制备出 c轴平行于衬底的 Zn O薄膜 .固体 Zn(CH3COO) 2 ·2 H2 O为前驱体 ,在不同的生长条件沉积 Zn O薄膜 ,并利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、光学透射谱对其性能进行研究 .结果表明 ,在玻璃衬底上 ,当衬底温度较低 (2 0 0℃ )、源温较高 (2 80℃ )时 ,Zn O薄膜呈 (10 0 )与(110 )的混合取向 ,即 c轴平行于衬底 .对此 ,文中给出了一个可能的定性解释 .AFM测试表明薄膜表面平整度不够理想 ,该薄膜在可见光区域透射率为 85 % ,光学带宽约为 3.2 5 e V.
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关键词
ZNO薄膜
固体源
化学气相沉积
混合取向
c
轴平行于衬底
氧化锌薄膜
下载PDF
职称材料
题名
固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜(英文)
被引量:
7
1
作者
吕建国
叶志镇
张银珠
黄靖云
赵炳辉
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期1-5,共5页
基金
国家重点基础研究专项基金资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -0 6)~~
文摘
报道了利用固体源化学气相沉积 (SS- CVD)技术制备出 c轴平行于衬底的 Zn O薄膜 .固体 Zn(CH3COO) 2 ·2 H2 O为前驱体 ,在不同的生长条件沉积 Zn O薄膜 ,并利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、光学透射谱对其性能进行研究 .结果表明 ,在玻璃衬底上 ,当衬底温度较低 (2 0 0℃ )、源温较高 (2 80℃ )时 ,Zn O薄膜呈 (10 0 )与(110 )的混合取向 ,即 c轴平行于衬底 .对此 ,文中给出了一个可能的定性解释 .AFM测试表明薄膜表面平整度不够理想 ,该薄膜在可见光区域透射率为 85 % ,光学带宽约为 3.2 5 e V.
关键词
ZNO薄膜
固体源
化学气相沉积
混合取向
c
轴平行于衬底
氧化锌薄膜
Keywords
ZnO films
SS-
c
VD
mixed orientation
c -axis parallel to the substrate
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜(英文)
吕建国
叶志镇
张银珠
黄靖云
赵炳辉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
7
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