膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响

采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol-Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值。。

取向对钙锶铋钛陶瓷结构和性能的影响

用固相烧结工艺制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷圆柱体。沿着圆柱体轴线方向切割制成测量样品A。研究了取向对样品结构和性能的影响。X射线和电性能测试结果表明:竖向切割样品A具有a/(b)择优取向;样品A的介电常数和介电损耗因子分别为εr=301和tanδ=0.0042;样品A的剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为26.8μC/cm2和48.5V/cm,优于样品B。

钙锶铋钛厚膜浆料分散工艺研究

探讨了钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15)铁电厚膜浆料的分散稳定工艺。结果表明:以粒径100nm左右的钙锶铋钛纳米粉体为分散相,浓度0.20mol/L钙锶铋钛溶胶为分散介质,浆料的PH值调整为6.5,添加空间位阻剂聚乙烯吡咯烷酮(PVPk30),采用超声60min或球磨6h的分散工艺可以制备出稳定分散的钙锶铋钛厚膜浆料。

凝胶预碳化处理对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)纳米晶粉体的影响(英文)

用凝胶预碳化处理工艺的溶胶-凝胶法制备了晶粒粒径小且分散性能较好的钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15)纳米晶粉体。借助差热-热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电镜等分别确定凝胶的预碳化处理温度,研究了预碳化处理工艺对粉体的物相结构、粉体的微观形貌以及分散性能的影响,并分析讨论了预碳化机理。结果表明:在300℃对前驱体凝胶进行预碳化处理增强了粉体的分散性,降低粉体的粒度,提高粉体的均匀性。凝胶预碳化处理工艺并未对粉体的物相结构造成影响。经过预碳化处理制备的粉体的颗粒尺寸集中在100nm左右;未经预碳化处理的粉体的颗粒尺寸为100nm～1μm。凝胶预碳化处理后,高吸附活性的有机碳包覆在前驱体的表面是有效减少粉体团聚的原因。

纳米晶粉体加入量对CSBT陶瓷厚膜结构及性能的影响

采用粉末溶胶法和快速层层退火工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了钙锶铋钛(CSBT)陶瓷厚膜。研究了纳米晶粉体加入量对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构及性能的影响。结果表明:纳米晶粉体加入量在较宽的范围内可以制备出高质量的钙锶铋钛厚膜,厚膜的显微结构及铁电性能对粉末的加入量比较敏感,适当的加入量有利于促使厚膜晶粒的a轴择优取向,从而有利于膜的铁电性能。当粉末加入量为7.5 g/100 mL时,钙锶铋钛陶瓷厚膜晶粒出现a轴择优取向,剩余极化和矫顽场强分别为6.3μC/cm2和57 kV/cm,具有较高的应用价值。