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A 58-dBΩ20-Gb/s inverter-based cascode transimpedance amplifier for optical communications 被引量:2
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作者 Quan Pan Xiongshi Luo 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第1期53-58,共6页
This work presents a high-gain broadband inverter-based cascode transimpedance amplifier fabricated in a 65-nm CMOS process.Multiple bandwidth enhancement techniques,including input bonding wire,input series on-chip i... This work presents a high-gain broadband inverter-based cascode transimpedance amplifier fabricated in a 65-nm CMOS process.Multiple bandwidth enhancement techniques,including input bonding wire,input series on-chip inductive peak-ing and negative capacitance compensation,are adopted to overcome the large off-chip photodiode capacitive loading and the miller capacitance of the input device,achieving an overall bandwidth enhancement ratio of 8.5.The electrical measure-ment shows TIA achieves 58 dBΩup to 12.7 GHz with a 180-fF off-chip photodetector.The optical measurement demonstrates a clear open eye of 20 Gb/s.The TIA dissipates 4 mW from a 1.2-V supply voltage. 展开更多
关键词 bandwidth enhancement CMOS optical receiver CASCODE inductive peaking negative capacitance transimpedance amplifier(TIA)
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高光谱应用的带可调复位时间CDS的低噪声红外焦平面读出电路
2
作者 吴双 梁清华 +1 位作者 陈洪雷 丁瑞军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期268-278,共11页
低辐射量的高光谱应用对红外焦平面读出电路(ROIC)提出了低噪声的设计要求。相关双采样(CDS)是常用的减少噪声的结构。本文通过调节钳位和采样保持之间的时间间隔来改进CDS,可灵活消除低频噪声。采用180 nm CMOS工艺设计和制造了640... 低辐射量的高光谱应用对红外焦平面读出电路(ROIC)提出了低噪声的设计要求。相关双采样(CDS)是常用的减少噪声的结构。本文通过调节钳位和采样保持之间的时间间隔来改进CDS,可灵活消除低频噪声。采用180 nm CMOS工艺设计和制造了640×512规模、15μm像元中心距的读出电路。输入级集成了低噪声CTIA与本文提出的可调复位时间CDS(AICDS),所设计的时序产生器使CDS复位时间可以延长0~270个时钟周期。通过延长复位时间减少这个时间间隔,噪声电子数可以由39 e^(-)减少到18.3 e^(-)。SPECTRE仿真结果和实验测试结果证实了提出的AICDS结构可以提升高光谱应用读出电路的噪声性能,因此可以广泛应用。 展开更多
关键词 高光谱成像 读出电路 可调时间间隔 ctia CDS 低噪声
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CTIA型读出电路非线性的研究 被引量:10
3
作者 文勇 刘思超 +1 位作者 金友山 夏晓娟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期978-981,共4页
在红外焦平面阵列读出电路中,其非线性的问题越来越受到重视。读出电路的非线性是产生非均匀性的重要因素,它影响着探测器的灵敏度,限制了探测器的使用范围。文中对电容跨阻抗放大器结构(CTIA)读出电路的非线性进行了理论研究,分析了放... 在红外焦平面阵列读出电路中,其非线性的问题越来越受到重视。读出电路的非线性是产生非均匀性的重要因素,它影响着探测器的灵敏度,限制了探测器的使用范围。文中对电容跨阻抗放大器结构(CTIA)读出电路的非线性进行了理论研究,分析了放大器增益和积分电容对单元电路非线性的影响。同时通过分析源随器结构行选电路,提出采用单位增益负反馈的差分放大器来做行选电路,以提高电路的线性度。 展开更多
关键词 ctia 非线性 放大器增益 积分电容
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基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器 被引量:1
4
作者 王巍 武逶 +4 位作者 冯其 王川 唐政维 王振 袁军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期920-923,929,共5页
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽... 提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。 展开更多
关键词 跨阻放大器 CMOS 并联电感峰化 容性退化 调节型共源共栅
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跨阻放大器的带宽扩展技术 被引量:1
5
作者 韩良 张兴宝 +1 位作者 王新胜 赵富菊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第12期41-44,共4页
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)~(1/2),该... 提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)~(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW. 展开更多
关键词 CMOS RGC 跨阻放大器 容性退化
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微机械角速率传感器CMOS闭环驱动电路
6
作者 尹亮 刘晓为 +1 位作者 陈伟平 周治平 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期6-10,共5页
为解决微机械角速率传感器的驱动信号对检测电极的耦合问题,提出一种基于电压频率调制闭环静电力驱动方法.该方法将驱动电压调制到高频,有效地将机械谐振频率与电压驱动频率分离,同时不改变驱动静电力的相位与频率.采用自动增益控制电... 为解决微机械角速率传感器的驱动信号对检测电极的耦合问题,提出一种基于电压频率调制闭环静电力驱动方法.该方法将驱动电压调制到高频,有效地将机械谐振频率与电压驱动频率分离,同时不改变驱动静电力的相位与频率.采用自动增益控制电路使得闭环驱动幅值非稳定性为0.01%,片上集成跨阻放大器可实现1 aF/sqrt(Hz)电容变化测量.闭环驱动电路采用18 V高压N阱CMOS工艺设计,芯片面积18.9 mm2.在±9 V电源条件下,角速率传感器输出刻度因子10 mV.((°).s-1)-1,线性度0.3%,偏置稳定性190((°)/h).测试结果表明,该方法在机械表头常压封装下(品质因子为80),无需后续电路相位调整,即能有效的实现传感器的闭环自激驱动. 展开更多
关键词 角速率传感器 寄生电容 跨阻放大器 专用集成电路
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L-C耦合电路对散粒噪声探测器电子学噪声的影响 被引量:3
7
作者 王少锋 董瑞芳 +1 位作者 刘涛 张首刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期215-220,共6页
通过分析基于L-C耦合跨阻运放电路的散粒噪声探测器噪声来源,提出了电感的寄生电容对电子学噪声影响的分析模型,并进行了实验验证.研究表明,电感的寄生电容会增大跨阻运放的输入电压噪声增益,从而增加探测器的电子学噪声.当总电感值为1m... 通过分析基于L-C耦合跨阻运放电路的散粒噪声探测器噪声来源,提出了电感的寄生电容对电子学噪声影响的分析模型,并进行了实验验证.研究表明,电感的寄生电容会增大跨阻运放的输入电压噪声增益,从而增加探测器的电子学噪声.当总电感值为1mH时,选用两个0.5mH的电感串联结构相比选用单个1mH的电感,探测器电子学噪声明显降低.由于电感的自共振频率越低,寄生电容越大,选用高自共振频率的电感有助于进一步降低电子学噪声.实验测量得到,在2.5 MHz分析频率处,选用两个0.5mH、自共振频率为6 MHz的电感串联相比选用单个1mH、自共振频率为1.6 MHz的电感,电子学噪声的降低了3dB.在相同入射激光条件下,该改进模型可以有效提高探测器的信噪比. 展开更多
关键词 探测器 电子学噪声 电感寄生电容 散粒噪声探测器 自共振频率 L-C耦合电路 跨阻放大器
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面向CMUT换能器的微弱信号检测电路设计与分析 被引量:3
8
作者 孟亚楠 何常德 +2 位作者 张斌珍 张文栋 吴子君 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第10期71-74,78,共5页
针对电容式微机械超声换能器(CMUT)在声-电转换过程中产生的微弱电信号检测难的问题,提出了两种微弱信号检测电路,基于电荷检测原理的电荷放大电路和基于电流检测原理的跨阻放大电路。首先对两种电路结构的瞬态及交流小信号特性进行仿... 针对电容式微机械超声换能器(CMUT)在声-电转换过程中产生的微弱电信号检测难的问题,提出了两种微弱信号检测电路,基于电荷检测原理的电荷放大电路和基于电流检测原理的跨阻放大电路。首先对两种电路结构的瞬态及交流小信号特性进行仿真分析并进行电路性能测试,然后两种电路分别与CMUT换能器连接,进行超声波信号检测试验。测试结果表明:电荷放大电路具有高增益特性,其放大倍数为1×10^(11)倍,其信噪比为20.57 dB;跨阻放大电路通过反馈电阻将CMUT换能器输出的微弱电流信号转换和放大为电压信号,放大倍数为560倍,信噪比为38.05 dB。跨阻放大电路利用反馈电容引入极点的方式,增加了电路的稳定性。经过理论、仿真以及实际测试对比,跨阻放大电路更加适合CMUT换能器微弱信号的检测与放大。 展开更多
关键词 电容式微机械超声换能器 电荷放大电路 跨阻放大电路 交流小信号特性 频谱响应
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基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计 被引量:1
9
作者 薛喆 何进 +4 位作者 陈婷 王豪 常胜 黄启俊 许仕龙 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期892-895,917,共5页
采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现... 采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。 展开更多
关键词 跨阻放大器 25 Gbit/s 伪差分输入 电容简并 SiGe双极CMOS(BiCMOS)
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一种新型的相关焦平面CMOS读出电路 被引量:2
10
作者 赵玲 李跃进 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第1期26-30,共5页
研究了一种新型相关双采样CTIA结构的焦平面读出电路,该电路采用光学调制器产生的信号来控制MOS管轮流导通,通过积分电容充放电,实现光电流转化为电压的过程。基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺的BSIM 3V3 spice模型,采用Spectre对电路进... 研究了一种新型相关双采样CTIA结构的焦平面读出电路,该电路采用光学调制器产生的信号来控制MOS管轮流导通,通过积分电容充放电,实现光电流转化为电压的过程。基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺的BSIM 3V3 spice模型,采用Spectre对电路进行了仿真验证。在5 V工作电源下, 该读出方式在强背景应用中,不仅能有效地增加图像的动态范围和信噪比,而且也能提高输出电压摆幅、减小电路输出噪声。 展开更多
关键词 相关读出电路 暗电流 调制 电容跨阻放大器
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基于成像系统应用的低噪声Si-CMOS读出电路设计 被引量:1
11
作者 孟庆超 翟艳 朱樟明 《电子质量》 2004年第8期69-70,77,共3页
本文分析了读出电路的工作原理,基于相关双采样(CDS)技术,提出了一种改进的电容跨导放大器(CTIA)结构的Si-CMOS读出电路,并详细介绍了电路结构及工作过程。
关键词 读出电路 低噪声 CMOS 跨导放大器 相关双采样 电路结构 成像系统 设计 电容 工作原理
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宽动态范围读出电路研究
12
作者 韩建强 郭方敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期41-44,共4页
为提高光电探测器的读出性能,设计的电容互阻放大器(CTIA)注入效率大于99%,线性度达99.84%。相关双采样电路(CDS)采用不同控制时序,读出电路可以工作在噪声抑制模式和两次采样模式。噪声抑制模式时读出电路平均噪声为0.91 mV,动态范围为... 为提高光电探测器的读出性能,设计的电容互阻放大器(CTIA)注入效率大于99%,线性度达99.84%。相关双采样电路(CDS)采用不同控制时序,读出电路可以工作在噪声抑制模式和两次采样模式。噪声抑制模式时读出电路平均噪声为0.91 mV,动态范围为66.85 dB,两次采样模式平均噪声为5.82 mV,动态范围扩展到90.82 dB。 展开更多
关键词 光电探测器 读出电路 电容互导放大器 噪声 动态范围
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高灵敏度的量子效应探测器的建模和微光探测 被引量:2
13
作者 梁孔科 王明甲 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期263-268,共6页
针对新型量子点-量子阱光电探测器在不同的辐照功率和器件偏压下的电特性测试,采用曲线拟合的方法,得到不同辐照光功率下的I-V、C-V之间的函数关系,应用Verilog-A语言建立等效电路模型,然后利用电路模拟软件进行验证,为读出电路的设计... 针对新型量子点-量子阱光电探测器在不同的辐照功率和器件偏压下的电特性测试,采用曲线拟合的方法,得到不同辐照光功率下的I-V、C-V之间的函数关系,应用Verilog-A语言建立等效电路模型,然后利用电路模拟软件进行验证,为读出电路的设计提供准确的便于和读出电路一起模拟仿真的探测器模型。针对这种探测器低温下具有的暗电流小、灵敏度高、光电转换效率高等优点,设计了电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)结构的读出电路。芯片集成后和2×8阵列的量子效应探测器封装在陶瓷基板上,低温下(77 K)采用633 nm He-Ne激光聚焦照射探测器,测试得到探测器的微光响应电压。实验结果表明,当器件在50 pW光功率、29.3μs的积分时间、偏压约-3.1 V时,读出电路与探测器对接后12个像元有响应电压;增大光功率至500 pW时,16个像元都有响应;读出电路与探测器对接后平均响应电压为18 mV,平均电压响应率达到3.6×107 V/W。 展开更多
关键词 微光探测 读出电路 量子点 电容反馈互阻放大器(ctia) 相关双采样(CDS)
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基于电容式微机械超声换能器的脉冲回波接收电路设计
14
作者 余远昱 王久江 +3 位作者 张双 刘鑫 徐晶 李尧 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2022年第7期23-27,33,共6页
电容式微机械超声换能器(CMUT)是一种新型超声换能器,具有高带宽、易与前端放大电路集成等优点,CMUT通过输出微弱的变化电流实现超声波回波检测。根据CMUT工作在发射与接收模式的特点,设计了一种具有发射开关保护功能和跨阻放大器的脉... 电容式微机械超声换能器(CMUT)是一种新型超声换能器,具有高带宽、易与前端放大电路集成等优点,CMUT通过输出微弱的变化电流实现超声波回波检测。根据CMUT工作在发射与接收模式的特点,设计了一种具有发射开关保护功能和跨阻放大器的脉冲回波接收电路。波特图测量表明该电路的最大增益为39 dB,-3 dB带宽为24.2 MHz,涵盖了医学与工业超声检测常用的频率范围。分别对5.8 MHz和9.4 MHz的CMUT进行脉冲回波实验测试,测试结果表明:在CMUT发射模式下,该电路能够防止高压发射脉冲损坏后级的跨阻放大器电路;在CMUT接收模式下,该电路能够有效地将微弱电流信号转化为电压信号并进行放大。因此该电路能够用于CMUT的脉冲回波信号处理。 展开更多
关键词 电容式微机械超声换能器 微弱电流检测 跨阻放大器 脉冲回波 超声回波接收 高带宽
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Research on the response model of microbolometer
15
作者 隋修宝 陈钱 +1 位作者 顾国华 刘宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第10期642-651,共10页
There are certain limitations in the application of uncooled focal plane array (FPA) detector due to the lack of an effective response model which reliably transforms the target temperature to analog output voltage.... There are certain limitations in the application of uncooled focal plane array (FPA) detector due to the lack of an effective response model which reliably transforms the target temperature to analog output voltage. This paper establishes the response model of microbolometer through researching the detection theory of microbolometer and the heat balance equation under the condition of the pulsed voltage bias. In the establishing process, we simplified the heat balance equation to acquire a simple answer. The experimental data show that, in the temperature dynamic range of 30 K, the biggest tolerance between the model data and the experiment data is 0.2 K; while in the temperature dynamic range of 100 K, it is 1 K. This model can reflect the real response of the microbolometer with only small differences which are acceptable in engineering applications. 展开更多
关键词 MICROBOLOMETER detection theory response model capacitive transimpedance amplifier
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Readout circuit with nonuniformity correction for the uncooled microbolometer
16
作者 孟丽娅 《Journal of Chongqing University》 CAS 2005年第2期67-69,共3页
The output of uncooled microbolometer is nonuniform, and the traditional two-point nonuniformity correction method requires a tight restriction on substrate temperature. The circuit proposed by this article can relax ... The output of uncooled microbolometer is nonuniform, and the traditional two-point nonuniformity correction method requires a tight restriction on substrate temperature. The circuit proposed by this article can relax the restriction on the substrate temperature and perform nonuniformity correction when reading out the image signal. The dummy pixels reduce static current. And the Column shared DACs transfer correction data to the gates of MOS transistors and the positive reference edge of amplifier, to control the bias current of detector and dummy one, and set the start point of integration. This circuit has higher sensitivity, wider dynamic range, and frame frequency of more than 30 Hz for 128×128 array. PSPICE simulation results seem that this circuit functions well. 展开更多
关键词 辐射测量仪 读数器 放大器 CMOS
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PV型HgCdTe线阵探测器对强光反常响应机制研究 被引量:3
17
作者 邱伟成 王睿 +2 位作者 江天 许中杰 程湘爱 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期14-20,共7页
采用多种波段内激光辐照带有电容反馈互导放大器(CTIA)读出电路的PV型线阵HgCdTe探测器,实验均发现,当激光功率密度增强到约10-2 W/cm2时,未辐照像素也存在响应,且其基底信号出现以前未曾发现的反常响应,即随功率密度的增加,未辐照像素... 采用多种波段内激光辐照带有电容反馈互导放大器(CTIA)读出电路的PV型线阵HgCdTe探测器,实验均发现,当激光功率密度增强到约10-2 W/cm2时,未辐照像素也存在响应,且其基底信号出现以前未曾发现的反常响应,即随功率密度的增加,未辐照像素基底信号的响应值先下降后上升,并且噪声增大。针对这一反常响应现象进行了深入研究,结果表明器件内部公共P级结构、电路共用Vref电压结构是导致这一反常响应的主要原因。 展开更多
关键词 探测器 HGCDTE 阵列探测器 激光 电容反馈互导放大器读出电路
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A 40 Gbit/s fully integrated optical receiver analog front-end in 90 nm CMOS 被引量:2
18
作者 XU Zhi-gang CHEN Ying-mei +2 位作者 WANG Tao CHEN Xue-hui ZHANG Li 《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》 EI CSCD 2012年第1期124-128,共5页
A fully integrated 40 Gbit/s optical receiver analog front-end (AFE) including a transimpedance amplifier (TIA) and a limiting amplifier (LA) for short distance communication is described in this paper. The prop... A fully integrated 40 Gbit/s optical receiver analog front-end (AFE) including a transimpedance amplifier (TIA) and a limiting amplifier (LA) for short distance communication is described in this paper. The proposed TIA employs a modified regulated cascode (RGC) configuration as input stage, and adopts a third order interleaving active feedback gain stage. The LA utilizes nested active feedback, negative capacitance, and inductor peaking technology to achieve high voltage gain and wide bandwidth. The tiny photo current received by the receiver AFE is amplified to a single-ended voltage swing of 200 mV(p-p). Simulation results show that the receiver AFE provides conversion gain of up to 83 dBΩ and bandwidth of 34.7 GHz, and the equivalent input noise current integrated from 1 MHz to 30 GHz is about 6.6 μA(rms). 展开更多
关键词 optical receiver transimpedance amplifier limiting amplifier active feedback negative capacitance inductor peaking
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