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A Novel Flux-weakening Control Method with Quadrature Voltage Constrain for Electrolytic Capacitorless PMSM Drives 被引量:1
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作者 Junya Huo Dawei Ding +4 位作者 Zekun Ren Gaolin Wang Nannan Zhao Lianghong Zhu Dianguo Xu 《CES Transactions on Electrical Machines and Systems》 CSCD 2022年第3期279-287,共9页
In electrolytic capacitorless permanent magnet synchronous motor(PMSM) drives, the DC-link voltage will fluctuate in a wide range due to the use of slim film capacitor. When the flux-weakening current is lower than-ψ... In electrolytic capacitorless permanent magnet synchronous motor(PMSM) drives, the DC-link voltage will fluctuate in a wide range due to the use of slim film capacitor. When the flux-weakening current is lower than-ψf/Ld during the high speed operation, the flux-weakening control loop will transform to a positive feedback mode, which means the reduction of flux-weakening current will lead to the acceleration of the voltage saturation, thus the whole system will be unstable. In order to solve this issue, this paper proposes a novel flux-weakening method for electrolytic capacitorless motor drives to maintain a negative feedback characteristic of the control loop during high speed operation. Based on the analysis of the instability mechanism in flux-weakening region, a quadrature voltage constrain mechanism is constructed to stabilize the system.Meanwhile, the parameters of the controller are theoretically designed for easier industrial application. The proposed algorithm is implemented on a 1.5 kW electrolytic capacitorless PMSM drive to verify the effectiveness of the flux-weakening performance. 展开更多
关键词 Permanent magnet synchronous motor(PMSM) Electrolytic capacitorless drive Flux-weakening control Voltage constrain Stable operation
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一种低功耗高稳定性的LDO设计
2
作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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一种无片外电容高瞬态响应LDO设计
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作者 甘泽标 曹超 郭海君 《中国集成电路》 2024年第4期34-38,81,共6页
基于UMC55nm工艺,本文设计了一种可应用于SoC中供电的LDO低压差线性稳压器。由于Capless-LDO在输出端没有μF级别的电容,环路的稳定性与瞬态响应将受到影响。本文基于这两点提出了采用电流微分器以及电容倍乘技术来提高环路的稳定性以... 基于UMC55nm工艺,本文设计了一种可应用于SoC中供电的LDO低压差线性稳压器。由于Capless-LDO在输出端没有μF级别的电容,环路的稳定性与瞬态响应将受到影响。本文基于这两点提出了采用电流微分器以及电容倍乘技术来提高环路的稳定性以及瞬态响应,最后通过Cadence Spectre仿真验证了设计的可行性。仿真结果表明,设计的LDO在电源电压1.2V下,能够稳定输出1.1V。在切换轻重载情况下,电路输出过冲电压24.2mV,下冲电压21mV,恢复时间均小于3μs。 展开更多
关键词 无片外电容LDO 环路稳定性 瞬态响应
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一种无片外电容高瞬态响应LDO设计
4
作者 陈俊杰 袁磊 +1 位作者 陈子杰 王少昊 《中国集成电路》 2023年第3期26-30,64,共6页
针对SoC中电源管理模块对高功能-面积比和高瞬态响应的需求,本文提出一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO),采用电压峰值检测技术实现动态电流偏置,进而提升系统瞬态响应。基于SMIC 40nm工艺的仿真结果表明,... 针对SoC中电源管理模块对高功能-面积比和高瞬态响应的需求,本文提出一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO),采用电压峰值检测技术实现动态电流偏置,进而提升系统瞬态响应。基于SMIC 40nm工艺的仿真结果表明,在典型负载切换状态下,提出方案的下冲和上冲恢复时间相比传统的FVF结构LDO电路分别缩短了75%和29%。 展开更多
关键词 翻转电压跟随器 线性稳压器 无片外电容LDO 高瞬态响应
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基于小母线电容的高过载小型化电机驱动技术研究
5
作者 秦向南 付俊永 许培林 《微电机》 2023年第5期41-46,57,共7页
本文针对小母线电容控制策略中低速转矩性能降低以及衍生的低频异音问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,达到提升低速转矩性能,解决低频异音的目的。首先分析了传统小母线电容控制策略转矩性能降低和低频噪音问题产生的机理;... 本文针对小母线电容控制策略中低速转矩性能降低以及衍生的低频异音问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,达到提升低速转矩性能,解决低频异音的目的。首先分析了传统小母线电容控制策略转矩性能降低和低频噪音问题产生的机理;然后提出了基于小电容能量分时控制策略,解决了低频异音的问题并且低速转矩性能提升15.9%;针对网侧谐波电流超标的问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,网侧谐波电流GB/T 17625.1-2012标准,并且兼顾了低速转矩性能。最后实验验证了该方案的有效性。 展开更多
关键词 小母线电容 变电容 无电解电容 能量分时控制
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无电容型LDO的研究现状与进展 被引量:10
6
作者 邹志革 邹雪城 +3 位作者 雷鑑铭 杨诗洋 陈晓飞 余国义 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-246,共6页
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在... 无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战。分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无电容型LDO 集成稳压器
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适用于Flash Memory的快速响应的低压差稳压器
7
作者 郭家荣 冉峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第10期101-104,共4页
提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电... 提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率.提出的稳压器采用90nm工艺,在1.45V到3.8V操作电压范围内,输出1.3V的调制电压和10mA的最大输出电流.对于Flash Memory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20ns.芯片面积是40μm*280μm. 展开更多
关键词 低压差稳压器 无片外电容 缓冲级 自适应基准 摆率增强
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TDA2030A在有源音响中的应用
8
作者 李春彪 《电子元器件应用》 2004年第11期39-41,共3页
以TI公司的TDA2030A型电路为核心器件构成高保真声频放大器的功率放大器部分, 推动扬声器系统放音,构建一种输出功率足够大、谐波失真和互调失真很低、频率特性平坦的有源音响。
关键词 功率放大 有源音响 无电容输出 无平衡变压器
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一种带瞬态增强电路的无电容型LDO 被引量:2
9
作者 李江昆 杨汝辉 +3 位作者 杨康 祝晓辉 甄少伟 罗萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-57,62,共5页
设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易... 设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。 展开更多
关键词 无电容型LDO 瞬态增强 摆率增强
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一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计 被引量:7
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作者 徐晨辉 叶凡 任俊彦 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期79-84,共6页
本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也... 本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也能够直接对调整管栅极电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.该LDO基于28nm CMOS工艺,面积为55×42μm2.输入1.1V,压差约为100mV,最大负载电流50mA.静态电流为5μA,在负载电流变化率为49.9mA/μs的情况下,恢复时间为2.5μs,过冲电压和下冲电压均小于100mV. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无片外电容 高摆率 瞬态增强 低功耗
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三相供电交流电机驱动系统无电解电容控制技术综述 被引量:3
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作者 丁大尉 王高林 +1 位作者 张国强 徐殿国 《电气工程学报》 CSCD 2021年第4期2-11,共10页
随着永磁电机驱动控制技术的发展,系统可靠性、寿命和功率密度逐渐成为该领域关注的重点。三相供电交流电机无电解电容驱动系统具有体积小、寿命长、可靠性高的优点,是高品质电机驱动系统发展的重要方向之一。目前,交流电机无电解电容... 随着永磁电机驱动控制技术的发展,系统可靠性、寿命和功率密度逐渐成为该领域关注的重点。三相供电交流电机无电解电容驱动系统具有体积小、寿命长、可靠性高的优点,是高品质电机驱动系统发展的重要方向之一。目前,交流电机无电解电容驱动系统已经在工业领域得到应用。围绕驱动系统稳定运行和机侧性能控制技术两方面,对交流电机无电解电容驱动系统的发展现状进行归纳和总结,指出现有方案的优缺点。最后,对交流电机无电解电容驱动系统目前亟需解决的难点问题和未来发展趋势进行总结和展望。 展开更多
关键词 交流电机 无电解电容驱动系统 稳定性控制 机侧性能控制
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一种高性能无片外电容型LDO设计 被引量:6
12
作者 程立 黄鲁 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第10期119-122,共4页
设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采... 设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采用0.13μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.2V^2.0V输入电压下,LDO输出稳定的1.0V电压,输出负载电流为50μA^100mA,最大负载电容可达到100pF,低频PSR为-67.5dB@100mA^-85.5dB@50μA,负载调整率0.8μV/mA,LDO的静态电流为50μA,整体版图面积为0.016 3mm2. 展开更多
关键词 LDO 线性稳压器 无片外电容 电源抑制 高性能
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一种无片外电容LDO的稳定性分析 被引量:1
13
作者 王泽洲 《电子设计工程》 2013年第16期147-150,共4页
电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平... 电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 展开更多
关键词 LDO 无片外电容LDO 相位裕度 零极点 稳定性 电流缓冲器频率补偿
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An ultra-low power output capacitor-less low-dropout regulator with slew-rate-enhanced circuit 被引量:4
14
作者 Xin Cheng Yu Zhang +2 位作者 Guangjun Xie Yizhong Yang Zhang Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第3期66-71,共6页
An ultra-low power output-capacitorless low-dropout(LDO) regulator with a slew-rate-enhanced(SRE)circuit is introduced. The increased slew rate is achieved by sensing the transient output voltage of the LDO and th... An ultra-low power output-capacitorless low-dropout(LDO) regulator with a slew-rate-enhanced(SRE)circuit is introduced. The increased slew rate is achieved by sensing the transient output voltage of the LDO and then charging(or discharging) the gate capacitor quickly. In addition, a buffer with ultra-low output impedance is presented to improve line and load regulations. This design is fabricated by SMIC 0.18 μm CMOS technology. Experimental results show that, the proposed LDO regulator only consumes an ultra-low quiescent current of 1.2 μA.The output current range is from 10 μA to 200 m A and the corresponding variation of output voltage is less than 40 m V. Moreover, the measured line regulation and load regulation are 15.38 m V/V and 0.4 m V/m A respectively. 展开更多
关键词 LDO output capacitorless ultra-low power slew rate
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