低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试结果表明,放大器功耗降为230μW／ch,电源电压降低0．7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷。

改进型电流镜积分红外探测器读出电路设计

介绍了一种基于电流镜积分(CM I)的红外探测器的读出电路,运用宽摆幅自偏置电流镜结构对CM I电路进行了改进,该结构由宽摆幅自偏置P型折叠共源共栅电流镜与N型电流镜反馈结构组成,在提高电流镜工作稳定性的同时,基本读出单元功耗降低了3.3μW。详细分析了电路的结构、工作原理和设计过程,并采用Chartered 0.35μm工艺进行了功能仿真和版图设计。结果表明,该改进型电路结构可以实现从30pA到4.5nA的积分,精度达到9位。

一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源

介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。

音频功放芯片中AB类输出运放的设计

采用0．6μmDPDM工艺，设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器，其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出，其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构，偏置部分采用外部电流源供电，并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3～5V，在5V下的静态功耗为6mW。能驱动32Ω耳机，其最大输出功率是90mW。仿真结果表明，电路性能优良。

低压共源共栅电流镜的偏置电路

低压共源共栅电流镜由于大的输出阻抗、稳定的输出电流和较大的输出电压摆幅而广泛应用于模拟集成电路中,但是它需要额外的偏置电路来保证晶体管工作在饱和区。主流的偏置电路有三种结构:双输入型、倒宽长比型和自偏置型。详细分析每一种偏置电路的工作原理,给出电路设计要点及规则,并基于0.5μm BCD工艺和Spectre软件对它们进行输出特性、电源特性和温度特性仿真。仿真结果显示:双输入型和倒宽长比型结果基本一致;自偏置型虽需要更高的电源电压但更适用于低功耗电路。