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A Novel Frequency Compensation Technique for Three-Stage Amplifier
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作者 李强 易俊 +1 位作者 李肇基 张波 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2005年第2期148-152,共5页
A novel frequency compensation technique for three-stage amplifier with dual complex pole-zero (DCP) cancellation is proposed. It uses one pair of complex zeros to cancel one pair of complex poles, resulting in featur... A novel frequency compensation technique for three-stage amplifier with dual complex pole-zero (DCP) cancellation is proposed. It uses one pair of complex zeros to cancel one pair of complex poles, resulting in feature that frequency response of the three-stage amplifier exhibits that of a single-pole system. Thus the gain-bandwidth (GBW) is expected to be increased several times compared to the conventional nested miller compensation (NMC) approach. Moreover, this technique requires only one very small compensation capacitor even when driving a big load capacitor. A GBW 4.63 MHz, DC gain 100 dB, PM 90o and power dissipation 0.87 mW can be achieved for a load capacitor 100 pF with a single Miller compensation capacitor 2 pF at a ±1V supply in a standard 0.6-μm CMOS technology. 展开更多
关键词 dual complex pole-zero gain-bandwidth nested miller compensation phase margin three-stage amplifier single-pole system
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一种超低压差高性能LDO设计 被引量:1
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作者 徐晨涛 程旭 张霖 《中国集成电路》 2024年第4期39-46,共8页
基于0.35μm工艺,本文设计了一款为便携式电子设备供电的LDO线性稳压器,其输出电压控制为1.8V。该电路既可工作在轻载也可工作在重载状态下。本文对LDO线性稳压器的原理进行了简要分析,详细阐述了关键电路的工作原理,通过同时增加密勒... 基于0.35μm工艺,本文设计了一款为便携式电子设备供电的LDO线性稳压器,其输出电压控制为1.8V。该电路既可工作在轻载也可工作在重载状态下。本文对LDO线性稳压器的原理进行了简要分析,详细阐述了关键电路的工作原理,通过同时增加密勒补偿与片外电阻ESR的方式进行频率补偿,通过Cadence Spectre仿真验证了设计的可行性。低功耗模式下,静态电流可以低至45μA。在重载情况下,增益可达65dB以上,压差可在50 mV以下。 展开更多
关键词 超低压差 高性能 密勒补偿
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一种宽输入瞬态增强LDO设计
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作者 汪西虎 康敏安 +2 位作者 郭仲杰 杨靳 郭世骁 《西安邮电大学学报》 2024年第1期41-52,共12页
当应用于恶劣的电子电路环境中时,汽车电子中电源管理类芯片可能发生瞬态高压和线路的动态变化。为了拓宽输入范围和改善瞬态响应性能,提出了一种宽输入瞬态增强低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)设计。采用预稳压电路将输... 当应用于恶劣的电子电路环境中时,汽车电子中电源管理类芯片可能发生瞬态高压和线路的动态变化。为了拓宽输入范围和改善瞬态响应性能,提出了一种宽输入瞬态增强低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)设计。采用预稳压电路将输入高电压转化为低压电源,为电路内部模块供电来实现宽输入。主环路使用双调整管设计方式,通过添加快速响应通路的方式加快环路对输出电压变化的响应速度,结合快速放电电路以实现快速瞬态响应。应用米勒调零补偿和零点补偿方法以保证不同带载条件下环路的稳定性。仿真结果表明,设计LDO电路输入电压的范围为3~40 V,预稳压电路可以将输入的高电压降压至2.8 V;LDO输出电压典型值为5 V,最大可带载150 mA;当负载电流发生150 mA的跳变时,输出的上冲电压和下冲电压分别为40.32 mV和55.77 mV。与已有的相关设计相比,所提设计实现了较宽的输入范围,同时具有较好的瞬态响应性能。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 汽车电子 宽输入范围 快速瞬态响应 米勒调零补偿 零点补偿
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一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源 被引量:10
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作者 来新泉 郝琦 +2 位作者 袁冰 陈雷 叶强 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期911-915,933,共6页
提出了一种输出电压可调的带隙基准电路.通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性.基于0.6μmCMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40-12... 提出了一种输出电压可调的带隙基准电路.通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性.基于0.6μmCMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40-120℃温度范围内,0.8 V基准电压的温度系数为6.1×10^-6/℃,低频时电源抑制比为-82 dB,正常工作时静态工作电流小于6.5μA. 展开更多
关键词 带隙基准 高精度 二阶曲率补偿 嵌套密勒补偿
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利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题 被引量:10
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作者 来新泉 解建章 +1 位作者 杜鹏程 孙作治 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期385-390,共6页
针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路。与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片,验... 针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路。与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片,验证了该方法的正确性和可行性。 展开更多
关键词 低压降稳压器 动态密勒补偿 稳定性 P型场效应管电容器
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大电流、高稳定性的LDO线形稳压器 被引量:10
6
作者 王义凯 王忆 +1 位作者 巩文超 何乐年 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1149-1155,共7页
以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点,并且采用了改进型米勒补偿方案使电路系统具有60°的... 以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点,并且采用了改进型米勒补偿方案使电路系统具有60°的相位裕度,达到了大输出电流下的高稳定性要求.另外,分析了电路在转换发生时电路结构参数和负载整流特性的关系,提出了一种能在瞬间提供大电流的转换速率加强电路,达到了在负载电流从800mA到10mA跳变时,输出电压的跳变量控制在60mV以内,并且最长输出电压恢复时间在500μs以内.芯片采用CSMC公司的0.6μm CMOS数模混合信号工艺设计,并经过流片和测试,测试结果验证了设计方案. 展开更多
关键词 低压差线形稳压器 稳定性 改进型米勒补偿 超调量控制
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一种基于前馈补偿技术的高性能CMOS运算放大器 被引量:4
7
作者 付永朝 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 朱磊 《电子器件》 CAS 2004年第1期27-30,共4页
基于传统CMOS折叠共源共栅运算放大器的分析和总结,应用前馈补偿技术,实现了一种高性能CMOS折叠共源共栅运算放大器,不仅保证了高开环增益,而且还大大减小了运放的输入失调电压。设计采用TSMC 0.35μm混合信号CMOS工艺实现,采用Hspice... 基于传统CMOS折叠共源共栅运算放大器的分析和总结,应用前馈补偿技术,实现了一种高性能CMOS折叠共源共栅运算放大器,不仅保证了高开环增益,而且还大大减小了运放的输入失调电压。设计采用TSMC 0.35μm混合信号CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果表明运放的直流开环增益为95 dB,输入失调电压为0.023 mV,负载电容为2pF时的相位裕度为45.5°。 展开更多
关键词 前馈补偿 CMOS 运算放大器 折叠共源共栅
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级联型低噪声放大器设计和优化的研究 被引量:7
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作者 方磊 陈邦媛 《电路与系统学报》 CSCD 2003年第4期58-62,共5页
文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤。在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响,进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽... 文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法。文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤。在此基础上,通过分析整个级联型低噪声放大器的密勒效应对优化设计的影响,进一步提出了对共栅级MOSFET的沟道宽度优化的必要性。最后,文章以一个工作于2.4GHz,0.5mm工艺的低噪声放大器设计为例,证实了前面理论分析的正确性,并根据低噪声放大器的主要设计指标给出了共源共栅结构下共栅级MOSFET的沟道宽度的优化方法。 展开更多
关键词 低噪声放大器 密勒效应 共源 共栅 共源共栅级联
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超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器 被引量:10
9
作者 陈琛 孙可旭 +2 位作者 冯建宇 奚剑雄 何乐年 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1669-1675,共7页
为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低... 为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6~4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 超低功耗 无片外电容 嵌套密勒补偿(NMC) 阻抗衰减缓冲器
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高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计 被引量:4
10
作者 刘生有 马骁 +2 位作者 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期538-541,共4页
设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放... 设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。 展开更多
关键词 无片外电容 低压差稳压器 密勒补偿 高稳定性 片上系统(SoC)
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基于衬底运放的2阶温度补偿带隙基准电路 被引量:4
11
作者 李沁莲 陈向东 王丽娜 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期332-335,340,共5页
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电源电压;通过PTAT2电流产生电路对基准电路进行2阶温度补偿,有效地降低了输出基准电压的温度系数;采用改... 采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电源电压;通过PTAT2电流产生电路对基准电路进行2阶温度补偿,有效地降低了输出基准电压的温度系数;采用改进型共源共栅输出级电路,很好地改善了电路的电源抑制比(PSRR)。HSPICE仿真结果显示:在2 V供电电压下,输出基准电压为1.261 V,温度系数为8.24×10-6/℃,低频电源抑制比-为91 dB。整体电路功耗为1.37 mW。 展开更多
关键词 衬底驱动运放 温度补偿 共源共栅 带隙基准
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一种高精度曲率补偿带隙基准电路 被引量:4
12
作者 李华 吕坚 蒋亚东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期38-41,共4页
设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路,通过Buck氏电压转移单元和与温度无关的电流对V雎进行高阶补偿。测试表明,温度在-45℃~125℃时,温度系数为5.9×10^-6V/℃,在3.5~5.5V之间的电压调整率为0.4mV/V。采... 设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路,通过Buck氏电压转移单元和与温度无关的电流对V雎进行高阶补偿。测试表明,温度在-45℃~125℃时,温度系数为5.9×10^-6V/℃,在3.5~5.5V之间的电压调整率为0.4mV/V。采用低压共源共栅电流镜结构,以减少对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾。 展开更多
关键词 CMOS 带隙基准源 高阶曲率补偿 低压共源共栅电流镜
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一种低功耗无电容型LDO的设计 被引量:3
13
作者 王晋雄 原义栋 张海峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期316-321,共6页
提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路。该电路采用折叠型eascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进... 提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路。该电路采用折叠型eascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护。此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8V情况下节省大于70%的功耗。该设计采用HHNEC0.13μmCMOS工艺,仿真结果显示:在2.5~5.5V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10^-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23斗A电流。 展开更多
关键词 密勒补偿 限流保护 省电模式 低功耗
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一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计 被引量:5
14
作者 王进军 田泽 +3 位作者 蒋敏 王玲玲 杨智峰 詹科 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第4期216-219,共4页
采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V~6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V~6.5V工作电压... 采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V~6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V~6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V~1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为AV≈75dB,相位裕度Φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs。 展开更多
关键词 误差放大器 弥勒补偿 共模拟制比 电源拟制比 转换速率
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高阶曲率补偿低温漂系数带隙基准电压源设计 被引量:4
15
作者 夏俊雅 曾以成 崔晶晶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第6期90-94,共5页
设计了一种高阶曲率补偿低温漂系数的CMOS带隙基准电压源,采用自偏置共源共栅结构,降低了电路工作的电源电压。采用电流抽取电路结构,在高温阶段抽取与温度正相关电流,低温阶段抽取与温度负相关的电流,使得电压基准源在整个工作温度范... 设计了一种高阶曲率补偿低温漂系数的CMOS带隙基准电压源,采用自偏置共源共栅结构,降低了电路工作的电源电压。采用电流抽取电路结构,在高温阶段抽取与温度正相关电流,低温阶段抽取与温度负相关的电流,使得电压基准源在整个工作温度范围内有多个极值点,达到降低温漂系数的目的。在0.5μm CMOS工艺模型下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,在–40^+145℃范围内,温度特性得到了较大的改善,带隙基准电压源的温漂系数为7.28×10^(–7)/℃。当电源电压为2.4 V时电路就能正常工作。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 共源共栅 高阶曲率补偿 低温漂系数 高低温补偿 电流抽取
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一种高增益宽频带的增益自举运算放大器 被引量:1
16
作者 王晋雄 刘力源 李冬梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1007-1010,共4页
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆... 设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅。该设计采用UMC0.18μmCMOS工艺,版图面积为320μm×260μm。仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz.pF/mA。 展开更多
关键词 增益自举 共源共栅 增益带宽积 输出摆幅 优值 密勒补偿
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一种高线性调整率无电容型LDO的设计 被引量:2
17
作者 王晋雄 原义栋 张海峰 《电子技术应用》 北大核心 2012年第11期44-47,共4页
提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳... 提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。 展开更多
关键词 密勒补偿 限流保护 低功耗 高阶补偿
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一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计 被引量:2
18
作者 赖松林 黄淑燕 陈金伙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期762-766,771,共6页
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响... 基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。 展开更多
关键词 快速瞬态响应 类密勒补偿 无电容型LDO
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一种高线性度14位40MS/s流水线A/D转换器 被引量:2
19
作者 王晋雄 刘力源 李冬梅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期765-769,773,共6页
设计了一个14位40 MHz、100 dB SFDR、1.8 V电源电压的流水线A/D转换器(ADC)。采用增益自举密勒补偿两级运放,可在保证2Vp-p差分输出信号摆幅的前提下获得130dB的增益,有效地减小了运放有限增益的影响;同时,采用冗余位编码技术和动态比... 设计了一个14位40 MHz、100 dB SFDR、1.8 V电源电压的流水线A/D转换器(ADC)。采用增益自举密勒补偿两级运放,可在保证2Vp-p差分输出信号摆幅的前提下获得130dB的增益,有效地减小了运放有限增益的影响;同时,采用冗余位编码技术和动态比较器,降低了比较器失调电压的设计难度和功耗。该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,芯片面积为2mm×4 mm。仿真结果为:输入满幅单频9 MHz的正弦信号,可以达到100 dB SFDR和83.8 dBSNDR。 展开更多
关键词 流水线A/D转换器 增益自举 密勒补偿 OTA 动态比较器
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0.18μm低压高速高PSRR集成运放芯片设计 被引量:2
20
作者 赵秋明 赵明剑 王卫东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期39-43,共5页
基于0.18μm 1.8 V CMOS标准工艺,设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片。设计中,采用密勒补偿电容,结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电流源高输出阻抗电流分配电路及一种自偏置和预校准偏置电压源,... 基于0.18μm 1.8 V CMOS标准工艺,设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片。设计中,采用密勒补偿电容,结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电流源高输出阻抗电流分配电路及一种自偏置和预校准偏置电压源,有效地提高了系统的速度和带宽,并具有优良的电源抑制比。利用Cadence Spectre仿真器,对芯片版图进行后端仿真验证。当负载电阻为100 kΩ、负载电容为2 pF时,芯片功耗4 mW,单位增益带宽900 MHz,电源抑制比-100 dB,开环直流电压增益68 dB,相位裕度102°,建立时间4.5 ns,压摆率240 V/μs,输出摆幅0.116~1.6 V。仿真结果表明,该芯片可应用于中频、低频段的模拟电路系统,尤其适用于处理微弱信号的高性能电子系统。 展开更多
关键词 运算放大器 密勒补偿 调零电阻 三支路基准电流源 预校准
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