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Effective Channel Length Degradation under Hot-Carrier Stressing
1
作者
Anucha Ruangphanit
Kunagone Kiddee
+2 位作者
Rangson Muanghlua
Surasak Niemcharoen
Ampom Poyai
《Computer Technology and Application》
2011年第11期926-929,共4页
关键词
通道长度
热载流子
金属氧化物半导体场效应晶体管
渠道
降解
时间压力
最大坡度
面积测量
下载PDF
职称材料
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
2
作者
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
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关键词
LDD
NMOSFET
热载流子退化
沟道热载流子应力
漏雪崩热载流子应力
幸运电子模型
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职称材料
题名
Effective Channel Length Degradation under Hot-Carrier Stressing
1
作者
Anucha Ruangphanit
Kunagone Kiddee
Rangson Muanghlua
Surasak Niemcharoen
Ampom Poyai
机构
Thai Microelectronics Center (TMEC)
Department of Electronics Engineering
出处
《Computer Technology and Application》
2011年第11期926-929,共4页
关键词
通道长度
热载流子
金属氧化物半导体场效应晶体管
渠道
降解
时间压力
最大坡度
面积测量
Keywords
NMOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistor), effective
channel
length,
hot
carrier
stress
ing
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
2
作者
杨林安
于春利
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60376024)
国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
文摘
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
关键词
LDD
NMOSFET
热载流子退化
沟道热载流子应力
漏雪崩热载流子应力
幸运电子模型
Keywords
LDD nMOSFET
hot
carrier
degradation
channel hot carrier stress
drain avalanche
hot
carrier
stress
lucky electron model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Effective Channel Length Degradation under Hot-Carrier Stressing
Anucha Ruangphanit
Kunagone Kiddee
Rangson Muanghlua
Surasak Niemcharoen
Ampom Poyai
《Computer Technology and Application》
2011
0
下载PDF
职称材料
2
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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