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一种高精度带隙电压基准源改进设计
被引量:
5
1
作者
徐勇
王志功
+2 位作者
关宇
乔庐峰
赵斐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期2209-2213,共5页
在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后20...
在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差d仅为0.007V,-40~85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100/μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.
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关键词
带隙基准
电压基准源
沟道调制
电源抑制比
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职称材料
题名
一种高精度带隙电压基准源改进设计
被引量:
5
1
作者
徐勇
王志功
关宇
乔庐峰
赵斐
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
解放军理工大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期2209-2213,共5页
文摘
在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差d仅为0.007V,-40~85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100/μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.
关键词
带隙基准
电压基准源
沟道调制
电源抑制比
Keywords
bandgap
voltage reference
channel modulation; power-supply rejection ratio
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种高精度带隙电压基准源改进设计
徐勇
王志功
关宇
乔庐峰
赵斐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
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