基于表面势的N沟4H-SiCMOSFETI-V特性解析模型

报道了一种适于模拟 n沟 4H-Si C MOSFET直流 I-V特性的整体模型。该模型充分考虑了常温下 Si C中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响 ,通过解析求解泊松方程以及牛顿 -拉夫森迭代计算表面势 ,得到了表面电场以及表面势的分布 ,并以此为基础采用薄层电荷近似 ,计入栅压引起的载流子迁移率退化效应 ,导出了可用于所有器件工作区的统一漏电流解析表达式。当漏偏压为 1 0 V,栅压为 1 2 V时 ,模拟得到的饱和漏电流接近 40 m A。计算结果与实验值符合较好。

一种车载免置平全站仪概略位姿求解方法

“相对+绝对”复合测量是轨道测量技术研究和发展的主要方向,在既有线养护维修中也具有广阔的应用前景。车载全站仪免置平设站是复合测量中的重要环节,解决不依赖线路设计线形的车载免置平全站仪概略位姿求解方法,关系免置平设站及其线路测量的工作效率,关乎复合测量模式在不同工况下的适用性。在不依赖线路设计线形的情况下,基于全站仪虚拟水平测量坐标系,实现概略位姿估计参数和设站点未知数求解的降维,进而构建概略位姿求解模型,达到基于2个CPⅢ控制点进行免置平设站概略位姿求解的目的。该方法构思精巧,原理清晰,为提高设站效率和测量自动化奠定了基础。理论精度分析表明,基于该求解算法可获得较高精度的站点信息,用其估算后续CPⅢ点照准方向,方向中误差≯0.29°,远小于理论允许值0.67°。线路试验表明:在自动设站过程中全站仪均能准确地找到待测目标,照准误差≯0.5°,具有较强的实用性。