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Chemical Mechanical Planarization (CMP) for Microelectronic Applications 被引量:4
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作者 Li Yuzhuo 《合成化学》 CAS CSCD 2004年第z1期115-115,共1页
关键词 cmp for Microelectronic Applications chemical mechanical planarization
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TWO STEPS CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF RIGID DISK SUBSTRATE TO GET ATOM-SCALE PLANARIZATION SURFACE 被引量:11
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作者 LEI Hong LUO Jianbin LU Xinchun 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期496-499,共4页
In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two s... In order to get atomic smooth rigid disk substrate surface, ultra-fined alumina slurry and nanometer silica slurry are prepared, and two steps chemical-mechanical polishing (CMP) of rigid disk substrate in the two slurries are studied. The results show that, during the first step CMP in the alumina slurry, a high material removal rate is reached, and the average roughness (Ra) and the average waviness (Wa) of the polished surfaces can be decreased from previous 1.4 nm and 1.6 nm to about 0.6 nm and 0.7 nm, respectively. By using the nanometer silica slurry and optimized polishing process parameters in the second step CMP, the Ra and the Wa of the polished surfaces can be further reduced to 0.038 nm and 0.06 am, respectively. Atom force microscopy (AFM) analysis shows that the final polished surfaces are ultra-smooth without micro-defects. 展开更多
关键词 TWo steps chemical-mechanical polishing(cmp Rigid disk substrateAtom-scale planarization Slurry
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Mechanism of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 removal during chemical mechanical planarization in acidic H_2O_2 slurry
3
作者 何敖东 宋志棠 +4 位作者 刘波 钟旻 王良咏 吕业刚 封松林 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期547-551,共5页
In this paper, chemical mechanical planarization (CMP) of amorphous Ge2Sb2Te5 (a-GST) in acidic H2O2 slurry is investigated. It was found that the removal rate of a-GST is strongly dependent on H2O2 concentration ... In this paper, chemical mechanical planarization (CMP) of amorphous Ge2Sb2Te5 (a-GST) in acidic H2O2 slurry is investigated. It was found that the removal rate of a-GST is strongly dependent on H2O2 concentration and gradually increases with the increase in H2O2 concentration, but the static etch rate first increases and then slowly decreases with the increase in H2O2 concentration. To understand the chemical reaction behavior of H2O2 on the a-GST surface, the potentiodynamic polarization curve, surface morphology and cross-section of a-GST immersed in acidic slurry are measured and the results reveal that a-GST exhibits a from active to passive behavior for from low to high concentration of H2O2. Finally, a possible removal mechanism of a-GST in different concentrations of H2O2 in the acidic slurry is described. 展开更多
关键词 H2O2 chemical mechanical planarization Ge2Sb2Te5
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Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire 被引量:1
4
作者 闫未霞 张泽芳 +2 位作者 郭晓慧 刘卫丽 宋志棠 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期181-184,共4页
Effects of abrasive concentration on material removal rate CMRR) and surtace quality m the chemical mecnamcal polishing (CMP) of light-emitting diode sapphire substrates are investigated. Experimental results show ... Effects of abrasive concentration on material removal rate CMRR) and surtace quality m the chemical mecnamcal polishing (CMP) of light-emitting diode sapphire substrates are investigated. Experimental results show that the MRR increases linearly with the abrasive concentration, while the rms roughness decreases with the increasing abrasive concentration. In addition, the in situ coefficient of friction (COF) is also conducted during the sapphire polishing process. The results present that COF increases sharply with the abrasive concentration up to 20 wt% and then shows a slight decrease from 20wt% to 40wt%. Temperature is a product of the friction force that is proportional to COF, which is an indicator for the mechanism of the sapphire CMP. 展开更多
关键词 COF Effect of Abrasive Concentration on chemical mechanical Polishing of Sapphire cmp MRR
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Atomistic understanding of rough surface on the interfacial friction behavior during the chemical mechanical polishing process of diamond 被引量:1
5
作者 Song YUAN Xiaoguang GUO +2 位作者 Hao WANG Renke KANG Shang GAO 《Friction》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期1119-1132,共14页
The roughness of the contact surface exerts a vital role in rubbing.It is still a significant challenge to understand the microscopic contact of the rough surface at the atomic level.Herein,the rough surface with a sp... The roughness of the contact surface exerts a vital role in rubbing.It is still a significant challenge to understand the microscopic contact of the rough surface at the atomic level.Herein,the rough surface with a special root mean square(RMS)value is constructed by multivariate Weierstrass–Mandelbrot(W–M)function and the rubbing process during that the chemical mechanical polishing(CMP)process of diamond is mimicked utilizing the reactive force field molecular dynamics(ReaxFF MD)simulation.It is found that the contact area A/A0 is positively related with the load,and the friction force F depends on the number of interfacial bridge bonds.Increasing the surface roughness will increase the friction force and friction coefficient.The model with low roughness and high lubrication has less friction force,and the presence of polishing liquid molecules can decrease the friction force and friction coefficient.The RMS value and the degree of damage show a functional relationship with the applied load and lubrication,i.e.,the RMS value decreases more under larger load and higher lubrication,and the diamond substrate occurs severer damage under larger load and lower lubrication.This work will generate fresh insight into the understanding of the microscopic contact of the rough surface at the atomic level. 展开更多
关键词 DIAMOND random roughness reactive force field molecular dynamics(ReaxFF MD) friction Weierstrass-Mandelbrot(W-M)function chemical mechanical polishing(cmp)
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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
6
作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 cmp后清洗
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磨粒振动对碳化硅CMP的微观结构演变和材料去除的影响
7
作者 唐爱玲 苑泽伟 +1 位作者 唐美玲 王颖 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期109-122,共14页
针对化学机械抛光中磨料易团聚、机械和化学作用不能充分发挥等问题,采用振动辅助的方法进行优化。通过分子动力学模拟,分析磨粒振动的频率、振幅及其压入深度、划切速度对工件表面微观原子迁移的演变规律,揭示振动对材料去除和表面改... 针对化学机械抛光中磨料易团聚、机械和化学作用不能充分发挥等问题,采用振动辅助的方法进行优化。通过分子动力学模拟,分析磨粒振动的频率、振幅及其压入深度、划切速度对工件表面微观原子迁移的演变规律,揭示振动对材料去除和表面改善的促进机制;并通过振动辅助化学机械抛光工艺试验和表面成分分析,验证振动辅助的抛光效果和去除机制。结果表明:适当增大磨粒的振动频率、振动振幅及其压入深度、划切速度,可有效提高工件表面的原子势能和温度;磨粒振动有利于提高工件表面原子的混乱度,促进碳化硅参与氧化反应,形成氧化层并以机械方式去除;抛光试验和成分分析也证实振动可以提高材料去除率约50.5%,改善表面质量约25.4%。 展开更多
关键词 碳化硅 振动 化学机械抛光 分子动力学
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半导体材料CMP过程中磨料的研究进展 被引量:1
8
作者 何潮 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期21-34,共14页
对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性... 对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量
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pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展
9
作者 董常鑫 牛新环 +4 位作者 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期30-38,共9页
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM... pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CMP中的应用及其作用机理进行综述。无机酸pH调节剂的主要作用机理是快速腐蚀材料表面,但其主要缺点是会将多余的金属离子引入抛光液中污染金属表面。有机酸pH调节剂的主要作用机理是螯合金属离子形成大分子络合物,但其主要缺点是稳定性差,难以保存。无机碱pH调节剂的主要作用机理是在基底表面生成一层软化层,使其在机械作用下更容易被去除,但其主要缺点是仍会引入金属离子污染材料表面。有机碱pH调节剂的主要作用机理是加速钝化膜的形成,但其主要缺点是制备困难、成本高。最后对pH调节剂在CMP中的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 PH调节剂 化学机械抛光(cmp) 抛光液 稳定性 平坦化
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基于SSA-GRNN的铜CMP抛光液抛光速率预测
10
作者 栾晓东 张拓 穆成银 《江苏海洋大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期86-92,共7页
铜化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的关键步骤之一,其中铜抛光速率是衡量抛光液性能的关键指标。在CMP过程中,由于铜抛光液中各组分与铜之间的化学反应复杂,需要大量的数据实验来实现可调的抛光速率。为提高铜CMP抛光速率预测的准确性... 铜化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的关键步骤之一,其中铜抛光速率是衡量抛光液性能的关键指标。在CMP过程中,由于铜抛光液中各组分与铜之间的化学反应复杂,需要大量的数据实验来实现可调的抛光速率。为提高铜CMP抛光速率预测的准确性,利用麻雀搜索算法对广义回归神经网络的平滑因子进行优化,提出了一种基于麻雀搜索算法的广义回归神经网络(SSA-GRNN)铜CMP抛光液抛光速率预测模型。首先,在MATLAB中建立SSA-GRNN网络模型,然后输入抛光液各组分数据,预测在不同组分下抛光液的抛光速率,最后将SSA-GRNN模型的预测结果与BP神经网络模型(BP-NCABC)的预测结果对比。结果表明,SSA-GRNN模型在训练集上的平均绝对百分比误差(MAPE)比BP-NCABC模型降低4.82百分点,在测试集上的MAPE比BP-NCABC模型降低1.78百分点;SSA-GRNN模型在训练集上的最优预测精度比BP-NCABC模型提高0.09百分点,在测试集上的最优预测精度比BP-NCABC模型提高0.32百分点。上述研究结果表明,在CMP抛光速率的预测上SSA-GRNN模型比BP-NCABC模型的准确性更高,这为指导CMP实验、提升实验效率、降低研发成本和优化抛光液组分提供了一种可选的模型。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 广义回归神经网络 麻雀搜索算法
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CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
11
作者 梁斌 高宝红 +4 位作者 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期38-48,共11页
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外... 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整
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CMP抛光液中SiO_(2)磨料分散稳定性的研究进展
12
作者 程佳宝 石芸慧 +6 位作者 牛新环 刘江皓 邹毅达 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期25-35,共11页
对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过... 对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过分析Zeta电位绝对值的范围、凝胶时间的长短、粒径随时间的变化和接触角等,总结了小粒径(35 nm左右)SiO_(2)磨料在抛光液中的分散机理,同时探讨了弱碱性环境对磨料Zeta电位的影响,阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对磨料表面的作用机理和复配使用的效果,以及表面疏水化或亲水化改性对磨料分散稳定性的影响。最后对该领域未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) SiO_(2)磨料 表面活性剂 分散稳定性 PH值
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基于流固耦合的碳化硅衬底CMP过程温度场仿真分析
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作者 翟宇轩 李薇薇 +2 位作者 孙运乾 许宁徽 王晓剑 《组合机床与自动化加工技术》 北大核心 2024年第1期145-149,155,共6页
在碳化硅衬底化学机械抛光过程中,抛光界面温度是影响抛光效率的关键因素之一,掌握抛光界面温度分布情况,有助于更深入理解CMP机理并为工艺优化提供理论指导。为此,对碳化硅衬底的CMP过程中温度场分布情况进行了探究,分析了不同抛光工... 在碳化硅衬底化学机械抛光过程中,抛光界面温度是影响抛光效率的关键因素之一,掌握抛光界面温度分布情况,有助于更深入理解CMP机理并为工艺优化提供理论指导。为此,对碳化硅衬底的CMP过程中温度场分布情况进行了探究,分析了不同抛光工艺参数和抛光液组分对抛光界面温度的影响。利用有限元分析软件ANSYS的流固耦合模块,综合考虑抛光垫与抛光液对SiC衬底的磨削作用,得到抛光过程中SiC衬底表面温度分布。仿真结果表明,SiC衬底径向温度从中心到边缘逐渐增大,边缘处上升趋势逐渐减小甚至出现温度小幅下降,最大温差接近0.4℃(约为4%)。通过单因素实验探究不同影响因素与温度之间的关系,得出结论:随着抛光转速和抛光压力的增大,SiC表面平均温度上升,均近似成线性关系,并且边缘点与中心点温度变化相差越来越大;同时,衬底界面温度随着抛光液磨料浓度的增加而上升,但变化相对较小。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 碳化硅 温度 流固耦合 有限元仿真
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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响
14
作者 陈志博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。 展开更多
关键词 复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(cmp) 去除速率
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E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响
15
作者 孙纪元 周建伟 +4 位作者 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期187-195,共9页
针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓... 针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓蚀剂。通过去除速率、表面粗糙度和表面形貌等的实验结果研究了E1310P和FMEE协同作用对CMP过程中表面质量的影响。通过表面张力、电化学性能、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT)揭示了E1310P和FMEE的协同吸附行为及其机理。结果表明,E1310P可以吸附在Cu的表面,降低Cu的去除速率;FMEE的加入能有效屏蔽E1310P离子头基间的电性排斥作用,使更多的E1310P吸附在Cu的表面,在协同作用下形成了更致密的抑制膜,使得CMP抛光性能得以提升。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT)
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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
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作者 李相辉 张祥龙 +3 位作者 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期131-137,共7页
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。 展开更多
关键词 浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(cmp) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比
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基于CMP运行过程数据可视化分析系统的研究与实现
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作者 贾若雨 白琨 李嘉浪 《电子工业专用设备》 2024年第4期24-29,共6页
Chemical Mechanical Polishing(CMP)工艺过程中产生大量运行数据,存在数据量庞大、数据种类复杂多样等特点。而且现有数据分析方法单一,造成数据资源浪费,限制研究人员对运行情况的掌握和优化。针对这些情况提出一种数据可视化分析系统... Chemical Mechanical Polishing(CMP)工艺过程中产生大量运行数据,存在数据量庞大、数据种类复杂多样等特点。而且现有数据分析方法单一,造成数据资源浪费,限制研究人员对运行情况的掌握和优化。针对这些情况提出一种数据可视化分析系统,对运行数据进行实时存储,提出4种可视化视图,针对不同数据分析需求,通过对比分析、关联分析和用户交互,可有效帮助研究人员探索工艺过程中影响工艺效果的原因,优化工艺参数,提升生产效率。 展开更多
关键词 化学机械抛光 可视分析 用户交互
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Scratch formation and its mechanism in chemical mechanical planarization (CMP) 被引量:7
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作者 Tae-Young KWON Manivannan RAMACHANDRAN Jin-Goo PARK 《Friction》 SCIE EI CAS 2013年第4期279-305,共27页
Chemical mechanical planarization(CMP)has become one of the most critical processes in semiconductor device fabrication to achieve global planarization.To achieve an efficient global planarization for device node dime... Chemical mechanical planarization(CMP)has become one of the most critical processes in semiconductor device fabrication to achieve global planarization.To achieve an efficient global planarization for device node dimensions of less than 32 nm,a comprehensive understanding of the physical,chemical,and tribo-mechanical/chemical action at the interface between the pad and wafer in the presence of a slurry medium is essential.During the CMP process,some issues such as film delamination,scratching,dishing,erosion,and corrosion can generate defects which can adversely affect the yield and reliability.In this article,an overview of material removal mechanism of CMP process,investigation of the scratch formation behavior based on polishing process conditions and consumables,scratch formation mechanism and the scratch inspection tools were extensively reviewed.The advantages of adopting the filtration unit and the jet spraying of water to reduce the scratch formation have been reviewed.The current research trends in the scratch formation,based on modeling perspective were also discussed. 展开更多
关键词 chemical mechanical planarization(cmp) defects scratch post-cmp cleaning defect source
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Planarization mechanism of alkaline copper CMP slurry based on chemical mechanical kinetics 被引量:6
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作者 王胜利 尹康达 +2 位作者 李湘 岳红维 刘云岭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第8期197-200,共4页
The planarization mechanism of alkaline copper slurry is studied in the chemical mechanical polishing (CMP) process from the perspective of chemical mechanical kinetics.Different from the international dominant acid... The planarization mechanism of alkaline copper slurry is studied in the chemical mechanical polishing (CMP) process from the perspective of chemical mechanical kinetics.Different from the international dominant acidic copper slurry,the copper slurry used in this research adopted the way of alkaline technology based on complexation. According to the passivation property of copper in alkaline conditions,the protection of copper film at the concave position on a copper pattern wafer surface can be achieved without the corrosion inhibitors such as benzotriazole(BTA),by which the problems caused by BTA can be avoided.Through the experiments and theories research,the chemical mechanical kinetics theory of copper removal in alkaline CMP conditions was proposed. Based on the chemical mechanical kinetics theory,the planarization mechanism of alkaline copper slurry was established. In alkaline CMP conditions,the complexation reaction between chelating agent and copper ions needs to break through the reaction barrier.The kinetic energy at the concave position should be lower than the complexation reaction barrier,which is the key to achieve planarization. 展开更多
关键词 chemical mechanical kinetics alkaline copper slurry planarization mechanism complexation reaction barrier
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Defectivity control of aluminum chemical mechanical planarization in replacement metal gate process of MOSFET 被引量:1
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作者 张金 刘玉岭 +2 位作者 闫辰奇 何彦刚 高宝红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第4期120-124,共5页
The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on parti... The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on particles, micro-scratch and corrosion have been investigated. The research studied the effects of polishing pad,pressure, rotating speed, flow rate and post-CMP cleaning on the three kinds of defect, which finally eliminated the defects and achieved good surface morphology. This study will provide an important reference value for the future research of aluminum metal gate CMP. 展开更多
关键词 chemical mechanical planarization(cmp) high-k metal gate(HKMG) defectivity control surface morphology
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