MLCC击穿原因浅析

从MLCC内部结构入手,分析了造成其电场畸变和电流分布不均匀的原因。运用有介质时的高斯定理,论证了在某些位置上非均匀电场强度要大于均匀电场强度。在MLCC内电极当中,处于最外边的上、下两个电极层所承受的电流相对较小,越靠近外电极,内电极层流过的电流越大。在此基础上,提出了在MLCC内部容易出现电压击穿和电流击穿的部位。

MLCC表面贴装中墓碑现象的研究

墓碑现象是MLCC与PCB板焊接过程中一端离开焊区而向上方斜立或直立。主要原因是在焊接过程中MLCC两端的不平衡的润湿力。而不平衡润湿力产生的主要因素是:(1)MLCC两端不能同时熔融;(2)焊盘设计不合理。根据力学机理提出了保持MLCC的表面清洁,注意合理的焊盘设计、避免焊膏的活性减弱和确保MLCC两端同时熔融的解决措施。该措施能有效防止墓碑现象,并在实际生产中取得了良好的效果。

生坯研磨工艺在MLCC制作过程中的应用

采用新开发出的一种多层片式陶瓷电容器(MLCC)生坯研磨工艺,对现有MLCC加工流程再造,解决现有烧成后芯片研磨工艺对芯片造成内部损伤,导致MLCC芯片内部分层,保护层开裂及芯片棱角崩瓷等影响产品质量的问题,同时对MLCC的加工过程进行简化,缩短加工周期。

影响Ni/Cu电极Y5V MLCC耐焊接热失效的原因

研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响。结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊接热具有明显的改善作用;在端头不被氧化的前提下,烧端工序充足的氧含量对改善耐焊接热具有积极作用。通过以上改进,在实际生产中RSH失效率已由改进前的100×10–6以上降到了5×10–6以下。

片式多层陶瓷电容器生产用叠层设备的研究和开发

随着表面贴装技术(SMT)的发展,对小尺寸、高精度、高质量片式元件的需求越来越大。目前,在国内外电子元件市场上,片式多层陶瓷电容器(MLCC)是片式化率最高、需求量最大的一种新型元器件。文中介绍了MLCC制成前工序的关键设备——叠层设备,从工作原理及总体设计、机械结构、液压及气动系统、电气控制系统等几部分进行了设计和开发,达到了预期效果。