用β-萘酚从硫酸锌电解液中去除钴的研究

考察了用β-萘酚从硫酸锌电解液中去除钴。结果表明,上清液中铜、镉浓度较高时,β-萘酚除钴效果较差,而用锌粉置换铜、镉后,加入的β-萘酚的质量为钴质量的9-13倍时,除钴效果与现有锌粉锑盐工艺净化效果相近,上清液中残留的钴质量浓度下降至0.5 mg/L以下。

双链和三链四苯酚基钴卟啉L－B膜结构的光谱表征

讨论了双链和三链四苯酚基钴卟啉分子在气液界面π－Ａ曲线，及转移石英或氟化钙基片上多层Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（Ｌ－Ｂ）膜的ＵＶ吸收光谱和红外光谱，由卟琳环吸收的ｓｏｒｅｔ带和Ｑ带的位移，分析了Ｌ－Ｂ膜中钴卟琳分子的聚集状态；根据ＦＴＩＲ光谱对脂链构象敏感的ＣＨ＿２对称和反对称伸缩振动谱带，分析了脂链以全反式Ｚｉｇｚａｇ构象形式存在，这是卟啉环Ｊ聚体诱导的结果。

国外某炭质页岩铜钴镍矿选矿工艺研究

针对国外某铜镍钴多金属矿载矿岩石为炭质页岩、矿物共生关系复杂,嵌布粒度细小的原矿特性开展了选矿工艺研究。在工艺矿物学和选矿试验的基础上,研究确定了预先浮选-离心机重选脱碳-优先浮铜产出铜精矿-铜尾矿活化浮选镍钴的选矿工艺流程。研究通过流程结构和药剂制度的优化有效消除了易浮炭质物对铜钴镍矿物浮选的影响,获得了较优的选矿指标。

钴掺杂MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究

采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要的CoMoSe化合物分子的生成;AFM(Atomic Force Microscope)结果表明氢气有利于生长单层二维超薄掺钴MoSe2.随着Co3O4前驱物用量的增加,样品的拉曼和PL(Photoluminescence)谱图分别表现出红移和蓝移现象,带隙实现从1.52—1.57 eV的调制.XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)结果分析得到Co的元素组分比为4.4%.通过SQUID-VSM(Superconducting QUantum Interference Device)和器件电学测试分析了样品的磁电特性,结果表明Co掺入后MoSe2由抗磁性变为软磁性;背栅FETs器件的阈值电压比纯MoSe2向正向偏移5 V且关态电流更低;为超薄二维材料磁电特性研究及应用拓展提供了基础探索.

负压条件下氧化法的煤气脱硫工艺

针对HPF法及PDS法煤气脱硫流程温度梯度存在的问题,中冶焦耐工程技术有限公司在济南信赢煤焦化有限公司的焦化项目中,首次采用了负压条件下以氨为碱源的氧化法煤气脱硫工艺。通过对脱硫生产装置的测试表明,控制脱硫液中的氨含量在6.0～9.0g/L、悬浮硫小于4g/L、催化剂浓度为15～20ppm、盐类总量不超过300g/L、溶液pH值8.0～9.0、液气比为35～38L/m3等指标后,脱硫塔后煤气含H2S小于300mg/m3,脱硫效率大于95%。