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考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 被引量：1
1
作者 葛霁 金智 +4 位作者 刘新宇 程伟 王显泰 陈高鹏 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2270-2274,共5页
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC... 针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好. 展开更多
关键词 载流子速度 耗尽层宽度 集电区渡越时间 VBIC模型
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