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车轮踏面磨耗对齿轨列车齿轮齿条接触状态影响研究
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作者 雷欢欢 赵家栋 +3 位作者 赵玉凯 师陆冰 李志远 岳子毫 《机械传动》 北大核心 2024年第4期131-137,共7页
针对齿轨列车车轮踏面磨耗情况下难以探究齿轮齿条接触状态规律的问题,提出了一种基于Hertz接触理论的考虑车轮踏面磨耗情况的齿轮齿条齿面接触应力计算模型。首先,分析了磨耗情况下齿轮齿条的接触关系,获得了接触应力计算关键参数随车... 针对齿轨列车车轮踏面磨耗情况下难以探究齿轮齿条接触状态规律的问题,提出了一种基于Hertz接触理论的考虑车轮踏面磨耗情况的齿轮齿条齿面接触应力计算模型。首先,分析了磨耗情况下齿轮齿条的接触关系,获得了接触应力计算关键参数随车轮磨耗的变化规律,并结合Hertz接触理论构建了考虑车轮磨耗的齿轮齿条接触应力计算模型;然后,选取某工程齿轮齿条参数进行计算,获得了磨耗周期内的齿面接触应力分布,并通过27组有限元仿真试验获得了不同磨耗量、不同接触位置的齿轮齿条接触应力数据,与上述计算模型结果进行了对比;最后,运用上述计算模型进一步分析了车轮磨耗影响接触应力规律的内在机制和关键因素。结果表明,模型结果与仿真计算结果的最大相对误差为7.71%,验证了计算模型的准确性;车轮踏面磨耗量越大,齿轮齿条啮入点附近的接触应力越大,其影响机制是车轮磨耗导致啮入点附近驱动齿轮曲率半径急剧减小;增大初始中心距和齿条齿顶圆角影响系数,可降低车轮踏面磨耗对接触应力的影响,并可通过减小高度调整周期来优化接触状态情况。 展开更多
关键词 齿轨列车 车轮踏面磨耗 齿轮齿条 HERTZ接触 齿面接触应力 理论计算
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基于层间应力的SMW工法型钢起拔力分析 被引量:9
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作者 顾士坦 《地下空间与工程学报》 CSCD 2008年第1期166-169,共4页
劲性搅拌桩复合围护结构工程完工后,临时围护结构一般考虑型钢回收。从复合材料层间应力的角度分析了型钢-水泥土接触面内正应力和摩擦剪应力,得到了二者之间的关系,进而对型钢拔出时围护结构侧向变形引起的弯曲变形阻力进行了分析,结... 劲性搅拌桩复合围护结构工程完工后,临时围护结构一般考虑型钢回收。从复合材料层间应力的角度分析了型钢-水泥土接触面内正应力和摩擦剪应力,得到了二者之间的关系,进而对型钢拔出时围护结构侧向变形引起的弯曲变形阻力进行了分析,结果表明:弯曲变形阻力相对静摩擦阻力要小得多,可以忽略。可为正确认识和理解型钢拔出受力机理、优化工程设计等提供参考。 展开更多
关键词 层间应力 SMW工法 拔出力 侧向变形阻力 接触界面
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关于铆模型腔与触点头部尺寸匹配关系的研究
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作者 孙启波 王培 +2 位作者 黄文明 张海金妹 何章成 《电工材料》 CAS 2018年第5期5-9,共5页
通过分析铆接后触点头部产生银铜结合处边缘裂纹、银开裂、工作面压印及触点与簧片之间有缝隙或变形等质量问题,阐述铆模型腔与触点的匹配性对铆接质量的影响,同时阐明了铆模对铆接质量的重要性,供各电器厂家的生产及技术人员参考。
关键词 铆钉型电触点 铆模型腔与触点匹配 银铜结合处边缘裂纹 银开裂 工作面压印 触点与簧片之间有缝隙或变形
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船体用钢板基底超疏水表面的制备和性能 被引量:3
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作者 连峰 谭家政 张会臣 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-17,共5页
采用激光加工技术构建微米级的表面微结构,将SiO_2纳米粒子均匀分散在低表面能含氟聚合物中形成聚合物基纳米复合材料,并将其涂覆在表面微结构上构建微纳双层仿生结构,获得了超疏水船体钢板表面。用光学显微镜、扫描电镜和x射线光电子... 采用激光加工技术构建微米级的表面微结构,将SiO_2纳米粒子均匀分散在低表面能含氟聚合物中形成聚合物基纳米复合材料,并将其涂覆在表面微结构上构建微纳双层仿生结构,获得了超疏水船体钢板表面。用光学显微镜、扫描电镜和x射线光电子能谱等手段表征其形貌和表面元素,用接触角测量仪测量了表面接触角。结果表明,与具有单一的微米或纳米结构的表面相比较,具有微纳双层结构的表面可以获得更大的接触角。接触角与纳米SiO_2浓度有关,浓度越高,接触角越大。当SiO_2的浓度为0.167mol/L,接触角可达168 2°。单一微米结构和纳米结构的表面符合Wenzel模型,即使将表面竖直放置,液滴仍不会滚落。微纳双层结构的表面符合Cassie模型,具有大的接触角和小的滚动角,且滚动角随SiO_2浓度的增大而减小。当SiO_2的浓度为0.167mol/L,滚动角仅为0. 展开更多
关键词 材料表面与界面 超疏水 微纳结构 接触角 钢板
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Characteristics of HfO_2/Hf-based bipolar resistive memories 被引量:1
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作者 毕津顺 韩郑生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第6期80-84,共5页
Nano-scale Hf/HfO2-based resistive random-access-memory (RRAM) devices were fabricated. The cross-over between top and bottom electrodes of RRAM forms the metal-insulator-metal sandwich structure. The electrical res... Nano-scale Hf/HfO2-based resistive random-access-memory (RRAM) devices were fabricated. The cross-over between top and bottom electrodes of RRAM forms the metal-insulator-metal sandwich structure. The electrical responses of RRAM are studied in detail, including forming process, SET process and RESET process. The correlations between SET voltage and RESET voltage, high resistance state and low resistance state are dis- cussed. The electrical characteristics of RRAM are in a strong relationship with the compliance current in the SET process. The conduction mechanism ofnano-scale Hf/HfO2-based RRAM can be explained by the quantum point contact model. 展开更多
关键词 hafnium dioxide BIPOLAR resistive random-access-memory conductive filament quantum point con- tact model
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