期刊文献+
共找到216篇文章
< 1 2 11 >
每页显示 20 50 100
Ag与p型GaP欧姆接触的表面特性分析
1
作者 罗彩任 汤英文 赵世彬 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第3期417-421,共5页
在p型GaP表面制作Ag电极,并利用退火环境令金属和半导体的接触界面产生良好的欧姆接触。通过扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)以及X射线光电子能谱(XPS)的表征分析与对比,研究了不同退火环境对欧姆接触表面特性的影响。结果表明... 在p型GaP表面制作Ag电极,并利用退火环境令金属和半导体的接触界面产生良好的欧姆接触。通过扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)以及X射线光电子能谱(XPS)的表征分析与对比,研究了不同退火环境对欧姆接触表面特性的影响。结果表明:退火时间过短,获得能量自由移动的原子移动面积小,不利于提高样品表面致密性;退火温度过高,欧姆接触表面的晶粒又容易发生球聚现象,造成样品表面的粗糙程度加剧。另外,在退火过程中,发生的相互扩散、形成化合物和合金相以及氧化反应也会对欧姆接触表面特性产生影响。其中,氧化反应较其他反应更为剧烈,对比接触电阻率的影响更大。因此,适宜的退火环境和有效控制氧化反应是增强欧姆接触性能的关键。 展开更多
关键词 p型gap 欧姆接触 表面特性
下载PDF
Propagation of harmonic waves through micro gap with consideration of frictional contact
2
作者 陈小云 于桂兰 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI 2011年第11期1423-1436,共14页
Transmission of elastic waves through a micro gap between two solids with consideration of frictional contact is investigated. By using the Fourier analysis technique and the corrective solution method, the nonlinear ... Transmission of elastic waves through a micro gap between two solids with consideration of frictional contact is investigated. By using the Fourier analysis technique and the corrective solution method, the nonlinear boundary problem is reduced to a set of algebraic equations. Numerical results exhibit the locations and extents of separation, slip, and stick zones, the interface tractions, and the energy partition. The effects of gap width, frictional coefficients, and the incident angle on the wave transmission are discussed in detail. The results show that higher harmonics are generated due to the local contact/slip at the interface. 展开更多
关键词 harmonic wave micro gap frictional contact Fourier analysis
下载PDF
基于几何接触算法的摆线针轮传动误差分析
3
作者 黄岳磊 张迎辉 何卫东 《机械传动》 北大核心 2024年第3期10-17,共8页
在摆线针轮传动的轮齿接触分析(ToothContactAnalysis,TCA)模型中,通常将误差值设为一个定值,易造成计算结果不合理,且计算过程中常出现计算不收敛等问题。对此,建立了包含修形、加工误差等多因素综合作用下的摆线针轮传动误差分析模型... 在摆线针轮传动的轮齿接触分析(ToothContactAnalysis,TCA)模型中,通常将误差值设为一个定值,易造成计算结果不合理,且计算过程中常出现计算不收敛等问题。对此,建立了包含修形、加工误差等多因素综合作用下的摆线针轮传动误差分析模型;在对啮合点矢量方程分析后,提出了一种解决数值不收敛等问题的方法,即在求得的摆线轮和针齿上纵横坐标相等的点中,找到法向量相等的啮合点。对回转体误差形式分析后,提出了一种解决计算结果不合理的方法,即令摆线轮周节误差、摆线轮齿廓径向跳动误差和针齿中心圆半径误差在公差带内呈周期性变化。以RV-80E减速器为试验对象,对比试验结果,验证了理论模型的正确性;研究各误差对传动误差的影响,开展了各误差灵敏度分析。结果表明,针齿半径误差和针齿与针齿壳间隙综合作用下的法向间隙是影响传动误差的主要因素。 展开更多
关键词 轮齿接触分析 几何接触 法向间隙 灵敏度
下载PDF
星型GAP与固体推进剂填料的表界面性能 被引量:5
4
作者 蔚红建 付小龙 +4 位作者 邓重清 樊学忠 周文静 李吉祯 张伟 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期211-213,219,共4页
采用动态接触角和界面张力仪,研究了星型GAP(S-GAP)与AP、RDX和HMX之间的表界面性能。结果表明,星型GAP与固体填料间的界面张力关系为γSL(S-GAP/RDX)<γSL(S-GAP/HMX)<γSL(S-GAP/AP);星型GAP与固体填料间的粘附功关系为Wa(S-GAP... 采用动态接触角和界面张力仪,研究了星型GAP(S-GAP)与AP、RDX和HMX之间的表界面性能。结果表明,星型GAP与固体填料间的界面张力关系为γSL(S-GAP/RDX)<γSL(S-GAP/HMX)<γSL(S-GAP/AP);星型GAP与固体填料间的粘附功关系为Wa(S-GAP/AP)<Wa(S-GAP/RDX)<Wa(S-GAP/HMX)。星型GAP与固体填料间的粘接界面的作用力主要为界面分子间作用力。S-GAP与RDX、HMX之间主要由于氢键、偶极等作用而形成较强的界面作用;S-GAP与AP间由于分子间作用力较小,故界面作用较弱。 展开更多
关键词 固体推进剂 星型gap 接触角 表面张力 粘附功
下载PDF
具有可控开距接触器的研究
5
作者 陈伟斌 刘向军 《电器与能效管理技术》 2024年第3期36-41,共6页
为了提高传统电磁式接触器分断电流的能力,并解决大开距下合闸功耗高、动铁心冲击力大、铁心磨损严重等问题,设计一种具有可控开距的接触器。通过结构改进,增大传统交流接触器结构层面可打开开距,利用基于单片机的控制电路识别分断电流... 为了提高传统电磁式接触器分断电流的能力,并解决大开距下合闸功耗高、动铁心冲击力大、铁心磨损严重等问题,设计一种具有可控开距的接触器。通过结构改进,增大传统交流接触器结构层面可打开开距,利用基于单片机的控制电路识别分断电流,并在分断过程中对励磁线圈施加不同宽度的脉冲电流,使接触器在不同分断电流下具有不同的开距,完成分断后触头回到小开距的平衡位置。通过实验,验证了所设计的接触器具有可控开距的功能。 展开更多
关键词 电磁接触器 控制电路 可控开距 分断电流
下载PDF
Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析 被引量:1
6
作者 徐富春 林秀华 康俊勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期624-627,共4页
用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表... 用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540~550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值. 展开更多
关键词 欧姆接触 表面分析 热处理 Au-Be/gap接触 半导体 表面形貌 XPS分析
下载PDF
骨质对右上第一磨牙种植修复体咬合调整影响的有限元分析 被引量:2
7
作者 陈佳文 罗思阳 +4 位作者 刘印 陈光能 左瑀雯 贺酰钰 马敏先 《中国组织工程研究》 CAS 北大核心 2024年第16期2579-2586,共8页
背景:骨组织改建与应力加载密切相关,目前就骨质与种植修复体咬合调整关系的研究或指南较少,并且缺乏科学的证据。目的:通过有限元方法探究不同种植修复体咬合间隙在Ⅰ-Ⅳ类骨质条件下时对种植体-骨界面应力分布、应力峰值、位移的影响... 背景:骨组织改建与应力加载密切相关,目前就骨质与种植修复体咬合调整关系的研究或指南较少,并且缺乏科学的证据。目的:通过有限元方法探究不同种植修复体咬合间隙在Ⅰ-Ⅳ类骨质条件下时对种植体-骨界面应力分布、应力峰值、位移的影响。方法:通过光学扫描仪扫描等比例牙齿模型后,使用Solidworks 2022构建等比例右上第一磨牙Straumann 4.8×8 mm BL RC种植体及其相关部件模型,再利用Mimics、Geomagic、Solidworks软件,依据文献ZARB和LEKHOLM提出的骨质分类、NORTON和TRISI骨质密度分类,建立Ⅰ-Ⅳ类骨质的上下颌骨模型。以0,20,40,60,80,100μm为修复体咬合间隙完成模型的装配,并且额外构建一组未进行密度比设置的均质模型作为对比。将上述模型导入Hypermesh进行网格划分后,进行有限元分析的材料赋值、边界约束以及参数设定,最后以250 N为加载力模拟上下颌受力情况,分析比较各组模型中种植体-骨界面的应力分布、应力峰值和位移情况。结果与结论:①相同荷载条件下,种植修复体应力随咬合接触点均匀分布,当咬合间隙达80μm和100μm时,Ⅰ类骨质和Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ类骨质下的种植牙冠分别出现应力中断现象。②种植体-骨界面的位移主要集中在种植体周围的皮质骨区并沿种植体长轴向下传导至底部的松质骨区域。随着Ⅰ-Ⅳ类颌骨骨质的减弱,各组模型皮质骨区产生的位移、Von Mises应力均呈现增加趋势,且均较松质骨区大。而松质骨区Von Mises应力除自Ⅱ类骨起则呈下降趋势外,其余均与皮质骨区相类似,但当咬合间隙增大时,皮质骨及松质骨区产生的应力及位移峰值则呈现逐渐减小趋势。③在咬合间隙为0-40μm的Ⅱ-Ⅳ类骨质条件下以及60μm的Ⅳ类骨质条件时,种植体-骨组织界面应力均介于20-60 MPa之间,其余各组应力均<20 MPa。④种植体Von Mises应力主要集中于种植体颈部,在咬合间隙为20μm的Ⅱ-Ⅳ类骨质条件下,种植体应力峰值均大于咬合间隙为0μm、Ⅰ类骨质条件下的144.10 MPa。⑤在不同弹性模量的均质模型中,其应力及位移分布较非均质模型更加均匀。⑥结论:实验结果从生物力学的角度证明种植义齿修复的咬合调整应该将牙槽骨骨质纳入考虑因素,临床工作中咬合间隙应随着颌骨密度的下降而增加,单颗种植牙与对颌天然牙的咬合间隙在20-40μm是一个相对合适的咬合调整方案。但由于有限元分析法的特殊性,还有待结合临床进行进一步的深入研究。 展开更多
关键词 种植体 骨质 应力 咬合空间 咬合接触 三维有限元
下载PDF
AZ91D镁合金表面钼-钛-锰导电膜化学转化工艺及其性能研究
8
作者 易爱华 祝闻 +3 位作者 雷华 黄智泉 王政 董家仁 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2024年第3期55-63,共9页
[目的]对镁合金进行表面处理可获得兼具导电性和耐蚀性的膜层,进而满足电子通信领域的使用要求。[方法]采用以(NH_(4))_(2)MoO_(4)、H_(2)TiF_(6)和KMnO_(4)为主成分的溶液,在AZ91D镁合金表面通过化学转化技术制备了钼−钛−锰(用MTM表示... [目的]对镁合金进行表面处理可获得兼具导电性和耐蚀性的膜层,进而满足电子通信领域的使用要求。[方法]采用以(NH_(4))_(2)MoO_(4)、H_(2)TiF_(6)和KMnO_(4)为主成分的溶液,在AZ91D镁合金表面通过化学转化技术制备了钼−钛−锰(用MTM表示)导电膜。研究了前处理工艺和化学转化液的KMnO_(4)质量浓度对MTM膜层外观、形貌、组成、耐蚀性和导电性的影响。[结果]对AZ91D镁合金进行打磨、碱洗、酸洗、表调等前处理后在含4.2 g/L KMnO_(4)的转化液中处理所得的MTM膜层表面拥有最大面积分数的β相导电斑点,耐蚀性较好,导电性最佳(禁带宽度和接触电阻分别为2.556 eV和0.428Ω/in^(2))。[结论]本工艺制备的MTM膜层耐蚀性和导电性良好,在电子通信领域具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 镁合金 化学转化 高锰酸钾 前处理 禁带宽度 接触电阻 耐蚀性
下载PDF
AuBe/p-GaP接触体系界面特性随温度变化的研究 被引量:2
9
作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期99-104,共6页
微合金条件对M-S接触的表面与界面特性产生重要的影响.借助光电子能谱分析了AuBe/p-GaP接触体系界面组分变化,用扫描电子显微镜观察其表面形貌;从冶金学观点解析了M-S接触界面反应的特征,并对其温度依赖关系进行了... 微合金条件对M-S接触的表面与界面特性产生重要的影响.借助光电子能谱分析了AuBe/p-GaP接触体系界面组分变化,用扫描电子显微镜观察其表面形貌;从冶金学观点解析了M-S接触界面反应的特征,并对其温度依赖关系进行了讨论. 展开更多
关键词 AuBe/p-gap 接触界面 表面形貌 M-S接触
下载PDF
特高压直流GIL运行可靠性设计与研究
10
作者 黎斌 刘琳 +6 位作者 梁作栋 李丽娜 曹少华 梁芳蔚 李传扬 何金良 张长虹 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期69-79,共11页
特高压直流GIL运行可靠性取决于内绝缘设计的可靠性。此外,导电元件直流电流密度的取值、弹簧触头的定位设计、GIL各元件中的绝缘件与金具连接处的楔形气隙的处理以及母线中支撑件的结构设计细节,都会对产品运行可靠性产生重大影响,不... 特高压直流GIL运行可靠性取决于内绝缘设计的可靠性。此外,导电元件直流电流密度的取值、弹簧触头的定位设计、GIL各元件中的绝缘件与金具连接处的楔形气隙的处理以及母线中支撑件的结构设计细节,都会对产品运行可靠性产生重大影响,不能忽视。对于运行环境十分严酷的UHV DC GIL为保证内绝缘工作可靠性和减少气体维护工作量,文中还提出了高气密性结构设计。为适应-50℃低温运行要求,产品选用了液化温度很低的N_(2)/SF_(6)混合气体,对两种气体的配比,压力特性和绝缘特性进行了讨论与计算。还有产品的局放、气体密度及微水含量的监视系统的可靠性设计,都会对产品运行可靠性产生直接影响。文中对上述问题的研究成果作了介绍,可供高压直流产品设计使用。对其中未解的新技术如基于冷镜露点测试原理、微机电技术制作的智能气体湿度和密度监测装置、高压直流复合绝缘套管伞面局放起始场强提出了研究方案。文中提出的诸多GIL运行可靠性设计要点,对于其他超/特高压直流气体绝缘电器可参考选用。 展开更多
关键词 电流密度 弹簧触头定位 楔形气隙 高气密性设计 局放微水监测预警新技术
下载PDF
Au对GaP接触界面形成及其特性
11
作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期336-341,共6页
借助X射线衍射和扫描电子显微镜研究了An和GaP接触体系界面特性的温度依赖性.测量表明,既使在低于400℃温度下界面反应也会生成少量的An-GaP金属间化合物,它的主要成份是(GaAu)H,Ga2Au.在较高温度55... 借助X射线衍射和扫描电子显微镜研究了An和GaP接触体系界面特性的温度依赖性.测量表明,既使在低于400℃温度下界面反应也会生成少量的An-GaP金属间化合物,它的主要成份是(GaAu)H,Ga2Au.在较高温度550℃合金条件下,GaP化合物表面发生分解,界面反应增强并伴随着快速的原子间互扩散.大量Ga原子向外迁移进人An膜复盖层.同时,An原子也内扩散进入GaP表面,An-Ga之间界面反应生成(GaAu)H,Ga2An和(GaAu)8O.实验结果指出,An和GaP接触界面是一个金属一半导体界面反应层和合金再生长层.它含有An、Ga、P原子.An-Ga金属间化合物的形成有助改善An膜机械强度和粘附性.扫描电子显微镜观察发现,当合金温度超过AuGa共熔温度470℃,表面形貌变得粗糙和不均匀.随着温度上升,M-S接触界面层微结晶颗粒变大.在600℃下,微结晶效应显著.事实上,这种合金条件无助于欧姆接触制备. 展开更多
关键词 接触 界面反应 磷化镓 表面性质 半导体
下载PDF
p-GaP/Au-Sb/Au-Zn体系的接触界面
12
作者 林秀华 江炳熙 徐富春 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期34-38,共5页
采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn... 采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r^+溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。 展开更多
关键词 接触界面 半导体 p-gap化合物 XPS
下载PDF
横磁触头真空电弧起始运动的临界触头开距实验研究
13
作者 李秀广 姚晓飞 +2 位作者 周秀 张庆平 亓亮 《宁夏电力》 2024年第2期46-53,共8页
起始桥柱状真空电弧运动的临界开距是对应于横磁触头大电流真空电弧运动模式演变的标志性物理量,对横磁触头真空断路器大电流开断性能具有重要影响。本文的研究目标是实验研究横磁触头开槽方式、燃弧时间和电弧电流等因素对横磁触头起... 起始桥柱状真空电弧运动的临界开距是对应于横磁触头大电流真空电弧运动模式演变的标志性物理量,对横磁触头真空断路器大电流开断性能具有重要影响。本文的研究目标是实验研究横磁触头开槽方式、燃弧时间和电弧电流等因素对横磁触头起始桥柱状真空电弧运动临界开距的影响规律。研究结果显示在燃弧时间0 ms~10 ms、电流有效值5 kA~31.5 kA的实验条件下,3种结构的横磁触头的起始桥柱状电弧有越靠近电流峰值起弧,停滞时间越长的趋势。直角槽型卐字形横磁触头(CuCr40)、螺旋槽型横磁触头(CuCr25)和曲线槽型卐字形横磁触头(CuCr50)的电弧运动临界开距分别在0.96,1.1 mm和1.7 mm有概率最大值点。相关研究结果对横磁触头大电流真空电弧的发展和演变特性的理解提供基础。 展开更多
关键词 真空电弧 横磁触头 临界开距 起始运动
下载PDF
GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析
14
作者 张福甲 李宝军 卓肇龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期247-252,共6页
本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质.
关键词 欧姆接触 俄歇电子谱法 质谱法
下载PDF
TFT-LCD黑Gap分析及改善研究 被引量:6
15
作者 熊奇 毕芳 +4 位作者 王耀杰 钟野 罗春 张志聪 王云志 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期568-574,共7页
黑Gap是大尺寸TFT-LCD产品常见的一种不良,它直接影响产品品质,降低产品竞争力。本文分析了黑Gap的发生原因及机理,指出面板放在卡夹中受到与卡夹接触点较强外力挤压后发生形变,柱状隔垫物受损,不能及时恢复导致黑Gap的发生。实验表明... 黑Gap是大尺寸TFT-LCD产品常见的一种不良,它直接影响产品品质,降低产品竞争力。本文分析了黑Gap的发生原因及机理,指出面板放在卡夹中受到与卡夹接触点较强外力挤压后发生形变,柱状隔垫物受损,不能及时恢复导致黑Gap的发生。实验表明管控面板在卡夹中的存放时间,限制面板进行加热或降低加热温度,减少加热时间;增加面板与卡夹接触面积,减小面板与卡夹的接触角;增加柱状隔垫物与面板接触密度及辅助柱状隔垫物顶面柱径大小均可有效改善黑Gap。通过导入以上措施,使得黑Gap发生率由改善前的8.58%降低至0.1%,大大提高了产品品质。 展开更多
关键词 gap 卡夹 接触面积 柱状隔垫物
下载PDF
基于X射线数字化成像技术的40.5 kV开关柜触头盒质量检测
16
作者 章学兵 骆国防 +2 位作者 廖巍 朱妍雯 袁加妍 《电力与能源》 2024年第2期215-218,共4页
作为高压开关柜的关键绝缘部件,触头盒主要起绝缘隔离和连接过渡的作用。触头盒发生局部放电会导致绝缘击穿,甚至引发相间短路故障,对开关柜的可靠性运行带来严重威胁。目前对于触头盒产品没有有效的质量检测标准,为此提出了采用X射线... 作为高压开关柜的关键绝缘部件,触头盒主要起绝缘隔离和连接过渡的作用。触头盒发生局部放电会导致绝缘击穿,甚至引发相间短路故障,对开关柜的可靠性运行带来严重威胁。目前对于触头盒产品没有有效的质量检测标准,为此提出了采用X射线数字化成像技术对某40.5 kV开关柜的触头盒进行入网质量检测,并在安装阶段进行检测试验。检测结果发现同批次12件触头盒中有4件内部存在空隙类缺陷,为不合格产品。试验结论表明,采用X射线数字化成像技术检测触头盒的产品质量具有一定的实用性,这也为开关柜内其他绝缘部件的质量检测提供了参考和借鉴。 展开更多
关键词 高压开关柜 触头盒 质量检测 X射线数字化成像技术
下载PDF
上海虹桥动车所动车检修库接触网绝缘间隙击穿原因分析及整改措施
17
作者 章来胜 《铁道技术监督》 2024年第3期45-51,共7页
在简述近年来上海虹桥动车所动车检修库中发生的接触网绝缘间隙击穿故障的基础上,介绍接触网电分段和分段绝缘器布置、分段绝缘器安装形式。通过分解动车组入库检修过程,模拟动车组升降弓、合断主断路器操作,检测接触网电压,分析确定动... 在简述近年来上海虹桥动车所动车检修库中发生的接触网绝缘间隙击穿故障的基础上,介绍接触网电分段和分段绝缘器布置、分段绝缘器安装形式。通过分解动车组入库检修过程,模拟动车组升降弓、合断主断路器操作,检测接触网电压,分析确定动车组操作过电压是分段绝缘器绝缘间隙击穿和分段绝缘子绝缘端头带电部件与钢桁梁绝缘间隙击穿的原因,提出分段绝缘器选型和安装形式优化措施。优化后,上海虹桥动车所动车检修库中接触网未再发生绝缘间隙击穿故障。 展开更多
关键词 动车检修库 接触网 分段绝缘器 钢桁梁 绝缘间隙 绝缘击穿 操作过电压
下载PDF
GaP样品测试电极的制备
18
作者 臧永丽 《山东电子》 1999年第2期34-34,38,共2页
本文介绍了采用vandePauw法测量GaP材料电学性能参数时,电极材料的选取及实现电极与样品良好欧姆接触的电极制备条件。
关键词 铟电极 欧姆接触 半导体光电材料 磷化镓
下载PDF
平板触头小开距中频真空电弧特性研究 被引量:3
19
作者 蒋原 武建文 +5 位作者 李擎 苗磊 王昊 江冰 齐志新 陈明轩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期6517-6524,共8页
为验证小开距平板真空触头在航空变频(360~800Hz)电力系统中作为保护电器应用的可行性,该文选择触头直径为20mm、触头材料为Cu-W-WC合金的真空灭弧室,在3mm开距条件下进行电弧特性实验,并基于磁流体理论,建立中频真空电弧的多物理场耦... 为验证小开距平板真空触头在航空变频(360~800Hz)电力系统中作为保护电器应用的可行性,该文选择触头直径为20mm、触头材料为Cu-W-WC合金的真空灭弧室,在3mm开距条件下进行电弧特性实验,并基于磁流体理论,建立中频真空电弧的多物理场耦合仿真模型。研究结果表明:平板触头内的小开距中频真空电弧,燃弧能量低、对触头表面烧蚀轻,开断失败时未形成阳极斑点;大电流模式下,电流的自身磁场可使对称的柱状电弧合并,峰值时形成扩散态中频真空电弧;在360~800Hz范围内,随电流频率增加,小开距平板触头的开断能力略有下降,开断能力大于12.4kA,满足航空变频电力系统的保护需求。 展开更多
关键词 航空变频电力系统 真空开关 平板触头 小开距 电弧特性
下载PDF
1/2晶体罩密封继电器触点参数自动测试系统设计
20
作者 马航宇 梁慧敏 +3 位作者 陈昊 罗福彪 周哲峰 俸钶云 《电器与能效管理技术》 2023年第10期54-60,共7页
针对1/2晶体罩密封继电器触簧系统在使用传统人工方式进行触点参数测试时,存在精度差、效率低、费时费力和触簧损伤等缺陷,设计并实现一套以某型号1/2晶体罩密封继电器触簧系统为测试对象的触点参数自动测试系统。系统使用机器视觉检测... 针对1/2晶体罩密封继电器触簧系统在使用传统人工方式进行触点参数测试时,存在精度差、效率低、费时费力和触簧损伤等缺陷,设计并实现一套以某型号1/2晶体罩密封继电器触簧系统为测试对象的触点参数自动测试系统。系统使用机器视觉检测技术自动测试触点间隙,使用电动滑台配合克力计自动测试触点初压力。对同型号继电器触簧样本进行自动测试,实验结果表明,系统触点间隙测试精度高于1μm、触点初压力测试精度为1 mN,能保证继电器装配时触点参数的一致性。 展开更多
关键词 继电器 触点间隙 触点压力 自动测试系统 机器视觉
下载PDF
上一页 1 2 11 下一页 到第
使用帮助 返回顶部