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Controlled crossover of electron transport in graphene nanoconstriction:From Coulomb blockade to electron interference
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作者 余炜 郭潇 +2 位作者 蔡煜文 俞晓天 梁文杰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期489-494,共6页
The ability to control transport behaviors in nanostructure is crucial for usage as a fundamental research platform as well as a practical device.In this study,we report a gate-controlled crossover of electron transpo... The ability to control transport behaviors in nanostructure is crucial for usage as a fundamental research platform as well as a practical device.In this study,we report a gate-controlled crossover of electron transport behaviors using graphene nanoconstrictions as a platform.The observed transport properties span from Coulomb blockade-dominated single electron transmission to electron-wave interference-dominated quantum behavior.Such drastic modulation is achieved by utilizing a single back gate on a graphene nanoconstriction structure,where the size of nanostructure in the constriction and coupling strength of it to the electrodes can be tuned electrically.Our results indicate that electrostatic field by gate voltage upon the confined nanostructure defines both the size of the nanoconstriction as well as its interaction to electrodes.Increasing gate voltage raises Fermi level to cross the energy profile in the nanoconstriction,resulting in decreased energy barriers which affect the size of nanoconstriction and transmissivity of electrons.The gate-tunable nanoconstriction device can therefore become a potential platform to study quantum critical behaviors and enrich electronic and spintronic devices. 展开更多
关键词 graphene nanoconstriction coulomb blockade electron interference gate-tunable
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Transition from the Kondo effect to a Coulomb blockade in an electron shuttle
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作者 张荣 楚卫东 +1 位作者 段素青 杨宁 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第11期518-523,共6页
We investigate the effect of the mechanical motion of a quantum dot on the transport properties of a quantum dot shuttle, Employing the equation of motion method for the nonequilibrium Green's function, we show that ... We investigate the effect of the mechanical motion of a quantum dot on the transport properties of a quantum dot shuttle, Employing the equation of motion method for the nonequilibrium Green's function, we show that the oscillation of the dot, i.e., the time-dependent coupling between the dot's electron and the reservoirs, can destroy the Kondo effect. With the increase in the oscillation frequency of the dot, the density of states of the quantum dot shuttle changes from the Kondo-like to a Coulomb-blockade pattern. Increasing the coupling between the dot and the electrodes may partly recover the Kondo peak in the spectrum of the density of states. Understanding of the effect of mechanical motion on the transport properties of an electron shuttle is important for the future application of nanoelectromechanical devices. 展开更多
关键词 quantum dot electron shuttle Kondo effect coulomb blockade
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Quantum phase transition and Coulomb blockade effect in triangular quantum dots with interdot capacitive and tunnel couplings
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作者 熊永臣 王为忠 +1 位作者 杨俊涛 黄海铭 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期403-408,共6页
The quantum phase transition and the electronic transport in a triangular quantum dot system are investigated using the numerical renormalization group method.We concentrate on the interplay between the interdot capac... The quantum phase transition and the electronic transport in a triangular quantum dot system are investigated using the numerical renormalization group method.We concentrate on the interplay between the interdot capacitive coupling V and the interdot tunnel coupling t.For small t,three dots form a local spin doublet.As t increases,due to the competition between V and t,there exist two first-order transitions with phase sequence spin-doublet-magnetic frustration phase-orbital spin singlet.When t is absent,the evolutions of the total charge on the dots and the linear conductance are of the typical Coulomb-blockade features with increasing gate voltage.While for sufficient t,the antiferromagnetic spin correlation between dots is enhanced,and the conductance is strongly suppressed for the bonding state is almost doubly occupied. 展开更多
关键词 quantum phase transition coulomb blockade effect triangular quantum dots strongly correlated system
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Low temperature magnetoresistive effects and coulomb blockade in La<sub>0.7</sub>Ca<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub>nanoparticles synthesis by auto-Ignition method
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作者 Aamir Minhas Khan Arif Mumtaz +1 位作者 S. K Hassnain A. Ul Haq 《Natural Science》 2011年第6期496-501,共6页
Electrical transport properties of the La0.7Ca0.3MnO3nanoparticles have been inves-tigated in the temperature range 300 to 9 K as a function of magnetic field. Samples were pre-pared by auto-ignition method. In low te... Electrical transport properties of the La0.7Ca0.3MnO3nanoparticles have been inves-tigated in the temperature range 300 to 9 K as a function of magnetic field. Samples were pre-pared by auto-ignition method. In low tempera-ture regime from 40 to 9 K, an increase in the resistivity has been observed. This effect is found to decrease as magnetic field is increased. It is assumed that these effects are due to the magnetic contacts between the nanoparticles. 展开更多
关键词 CMR (Colossal Magnetoresistance) CB (coulomb blockade)
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COULOMB BLOCKADE EFFECT IN SELF-ASSEMBLED GOLD QUANTUM DOTS
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作者 Shu-FenHu Ru-LingYeh Ru-ShiLiu 《China Particuology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第4期174-176,共3页
Nanometer-scale Au quantum dots have been assembled on SiO2 by controlling the reaction of raw materials to form a citrate Au sol and an aminosilane/dithiol-treated patterned Si wafer. The detailed formation mechanism... Nanometer-scale Au quantum dots have been assembled on SiO2 by controlling the reaction of raw materials to form a citrate Au sol and an aminosilane/dithiol-treated patterned Si wafer. The detailed formation mechanism has been studied. Three gold colloidal particles (15 nm), aligned in a chain to form a one-dimensional current path, was bridged across an 80-nm gap between source and drain metal electrodes. The device exhibited a Coulomb blockade effect at 33 K. 展开更多
关键词 quantum dots coulomb blockade effect GOLD
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Observation of Coulomb blockade and ballistic tunneling in graphene single electron transistor
6
作者 TAN ZhenBing LIU GuangTong LU Li YANG ChangLi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第1期7-10,共4页
A square graphene single electron transistor (SET) was defined with two side gates, and its transport was studied at low tem- perature at T = 2 K. At zero magnetic field, Coulomb blockade oscillations were clearly obs... A square graphene single electron transistor (SET) was defined with two side gates, and its transport was studied at low tem- perature at T = 2 K. At zero magnetic field, Coulomb blockade oscillations were clearly observed near the Dirac point of this device. At high magnetic field, in the quantum Hall regime, we observed ballistic tunneling of the carriers through the graphene SET, contrary to the Coulomb blockades observed while approaching the vicinity of the Dirac point. 展开更多
关键词 单电子晶体管 弹道导弹 石墨 隧道 封锁 库仑阻塞 领导干部 SET
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Ag/PVA纳米聚合物基复合材料的制备及其电性能研究 被引量:23
7
作者 冯军强 徐曼 +1 位作者 郑晓泉 曹晓珑 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第6期92-95,共4页
通过溶胶-凝胶法制备Ag/PVA纳米聚合物基复合材料,对复合材料的微观结构进行了表征,并对这种复合材料的电学性能进行了研究。结果表明,纳米银可以通过溶胶-凝胶法均匀分散在水溶性的PVA聚合物中,并且这种复合材料具有独特的电学性能,即... 通过溶胶-凝胶法制备Ag/PVA纳米聚合物基复合材料,对复合材料的微观结构进行了表征,并对这种复合材料的电学性能进行了研究。结果表明,纳米银可以通过溶胶-凝胶法均匀分散在水溶性的PVA聚合物中,并且这种复合材料具有独特的电学性能,即在合适的纳米银含量时这种复合材料表现出高于其基体的电阻率和击穿场强,并且低温下这种现象更加显著,利用纳米金属粒子在绝缘体中的库仑阻塞效应对这些结果进行了解释。 展开更多
关键词 Ag/PVA纳米聚合物基复合材料 电学性能 水溶性 微观结构 纳米材料
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单电子晶体管I-V特性数值分析 被引量:11
8
作者 杜磊 庄奕琪 江文平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期153-156,168,共5页
在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 I-V特性 数据分析
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纳米银-环氧树脂复合电介质的介电特性 被引量:14
9
作者 徐曼 冯军强 曹晓珑 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期117-122,共6页
研究了纳米银–环氧树脂复合电介质的介电特性,讨论了银粒子的大小和添加量对复合材料介电常数和介质损耗因数的影响,并分析了复合材料的介电温谱。结果表明,复合材料的介电常数和介质损耗因数比纯环氧树脂有所降低;复合材料在损耗温谱... 研究了纳米银–环氧树脂复合电介质的介电特性,讨论了银粒子的大小和添加量对复合材料介电常数和介质损耗因数的影响,并分析了复合材料的介电温谱。结果表明,复合材料的介电常数和介质损耗因数比纯环氧树脂有所降低;复合材料在损耗温谱中比纯环氧树脂多出一个高温峰,且高温峰的松弛活化能与纳米银粒子在介质中形成的库仑阻塞势垒有较好对应,实验结果表明了在一定尺寸和分布的纳米金属粒子与聚合物形成的复合介质中存在着库仑阻塞效应限制电荷运动的现象。 展开更多
关键词 纳米银 复合材料 介电特性 库仑阻塞效应
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半导体量子电子和光电子器件 被引量:14
10
作者 傅英 徐文兰 陆卫 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2001年第3期255-277,共23页
本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效... 本文阐述了半导体异质结构电子的量子特性 ,如电子波输运、库仑阻塞效应等。介绍了几种新颖、典型的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型和基本原理。这些器件包括了单电子晶体管、共振隧穿二极管、高电子迁移率晶体管、δ掺杂场效应晶体管、量子点元胞自动机、量子阱红外探测器、埋沟异质结半导体激光器、量子级联激光器等。给出了作者在半导体量子器件物理方面的最新研究结果。 展开更多
关键词 半导体 异质结构 量子器件 电子波输运 库仑阻塞 光电子器件 电子
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纳米Ag/PAM/EVA复合材料的制备及介电特性 被引量:5
11
作者 冯军强 徐曼 曹晓珑 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期85-88,共4页
利用γ射线辐照制备出均匀分布在PAM中的银粒子,直径约10nm。制备出的复合物再通过物理混合的方法与EVA复合,得到稳定的纳米Ag/PAM/EVA复合材料。结果表明:纳米银复合材料具有较高的电阻率和击穿场强,较低的tgδ和较高的介电常数。这种... 利用γ射线辐照制备出均匀分布在PAM中的银粒子,直径约10nm。制备出的复合物再通过物理混合的方法与EVA复合,得到稳定的纳米Ag/PAM/EVA复合材料。结果表明:纳米银复合材料具有较高的电阻率和击穿场强,较低的tgδ和较高的介电常数。这种纳米粒子的新颖特性可以用库仑阻塞机理解释。 展开更多
关键词 纳米AG 库仑阻塞效应 复合材料 介电性能
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纳米银/环氧树脂复合物的电阻和击穿特性研究 被引量:13
12
作者 王乐 徐曼 +2 位作者 孙颖 鲁宁 曹晓珑 《绝缘材料》 CAS 2006年第4期37-40,共4页
用辐照法制备了纳米银/环氧树脂复合材料,对复合材料的微观结构进行了表征,并对其电阻和击穿场强特性进行了研究。在研究材料的击穿性能时引入了Weibull统计的方法,能得出材料内部的更多信息,这也是本文的创新点所在。研究结果表明,在... 用辐照法制备了纳米银/环氧树脂复合材料,对复合材料的微观结构进行了表征,并对其电阻和击穿场强特性进行了研究。在研究材料的击穿性能时引入了Weibull统计的方法,能得出材料内部的更多信息,这也是本文的创新点所在。研究结果表明,在合适的纳米银含量时,这种复合材料表现出高于其基体的电阻率和击穿场强。作者利用纳米金属粒子在绝缘体中的库伦阻塞效应对这些结果进行了解释。 展开更多
关键词 纳米复合物 纳米银 环氧树脂 库伦阻塞效应 电阻特性 交流击穿场强 威布尔分布
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单电子存储器 被引量:6
13
作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期7-17,30,共12页
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。... 介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。 展开更多
关键词 单电子存储器 库仑阻塞 单电子晶体管 纳米加工 量子点浮栅
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介观互感耦合电路的量子化和库仑阻塞效应 被引量:2
14
作者 阮文 刘清 雷敏生 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第4期337-340,共4页
根据介观电路中电荷是量子化的事实 ,从无耗散互感电路的经典运动方程出发 ,利用经典拉格朗日正则变换以及正则线性变换 ,给出了介观无耗散互感耦合电路的量子化理论及库仑阻塞条件 ,并对结果进行了讨论 .
关键词 量子化 互感耦合 拉格朗日 正则变换 线性变换 耗散 运动方程 库仑阻塞 介观电路 电荷
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新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应 被引量:15
15
作者 韩秀峰 刘厚方 +6 位作者 张佳 师大伟 刘东屏 丰家峰 魏红祥 王守国 詹文山 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期339-353,共15页
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿... 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。 展开更多
关键词 巨磁电阻效应 隧穿磁电阻效应 磁性隧道结 第一性原理计算 自旋转移力矩效应 库仑阻塞磁电阻 磁随机存储器
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纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究 被引量:2
16
作者 卢刚 陈治明 +3 位作者 毛胜春 马剑平 王建农 葛惟昆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期70-73,共4页
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电... 介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随柵极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性。 展开更多
关键词 纳米结构 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
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硅单电子晶体管的制造及特性(英文) 被引量:2
17
作者 卢刚 陈治明 +1 位作者 王建农 葛惟昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期246-250,共5页
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管 .特别是 ,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流 -电压特性上观测到明显的库仑... 报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管 .特别是 ,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流 -电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应 .器件的总电容约为 9.16 a F.在 77K工作温度下 ,也观测到明显的电流 展开更多
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 量子点 电子束光刻技术 制造
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单电子隧穿器件的研究进展 被引量:1
18
作者 江鹏 何声太 +2 位作者 时东霞 张昊旭 高鸿钧 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期303-310,335,共9页
单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的... 单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展 ,并简述了其潜在的应用价值。 展开更多
关键词 单电子现象 库仑阻塞 库仑台阶 单电子隧穿器件 纳米电子学 凝聚态物理
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纳米结构制备技术 被引量:1
19
作者 卢刚 陈治明 +1 位作者 王建农 葛惟昆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期301-302,共2页
随着纳米加工技术的发展 ,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础 .本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法 ;用这种工艺方法在P型SIMO... 随着纳米加工技术的发展 ,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础 .本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法 ;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管 ,在其电流电压 展开更多
关键词 纳米结构 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿
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单电子晶体管隧穿电阻的量子计算 被引量:2
20
作者 杜磊 庄奕琪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期314-318,共5页
单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶... 单电子晶体管是一种新型量子器件 ,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管 .这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应 .但是 ,描述单电子晶体管I V特性的正统理论却是一种唯象理论 ,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果 ,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法 .文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发 ,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式 .在此基础上 ,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法 .计算结果与实验结果符合较好 ,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I V特性的影响 . 展开更多
关键词 单电子晶体管 隧穿电阻 量子计算 库仑阻断 微扰论
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